21(+1) Channel High-Density E1 Line Interface Unit IDT82P2521
发布时间：
2018-08-01
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT82P2521
本数据手册详细介绍了IDT82P2521，这是一款21通道高密度E1线路接口单元。资料全面涵盖了该器件的功能描述、应用场景、接收与发送路径设计、抖动衰减器特性、诊断设施、时钟输入输出管理、中断处理机制、编程信息、JTAG接口、热管理策略以及物理和电气规格等关键信息。作为一款高密度的接口解决方案，IDT82P2521能够满足复杂的通信系统设计需求，为E1线路传输提供稳定可靠的技术支撑。IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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加工定制
可定制OGS一片式电容屏，G+G电容屏，G+F电容屏，G+F+F电容屏，尺寸范围：1”~21”，单层产品厚度：0.55mm~2mm，可按客户要求在产品上附加防反射，防指纹，多色丝印，钻孔磨边，2.5D导圆角等工艺。
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可定制导热胶的导热系数1~6W、粘度范围3000~250000cps、固化方式可加热、仅室温、可UV；施胶方式：点胶机、手工、喷胶、转印；支持颜色、硬度、固化时间等参数的个性化定制。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
21（+1）通道高密度E1线路接口单元IDT82P2521
Version 1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
June 20, 2008
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IDT82P2521 21（+1）信道高密度E1线路接口单元数据表
Version 1
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IDT82P2521 21(+1) Channel High-Density E1 Line Interface Unit
Version 1
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IDTF1358
Rev O
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ZLED7x20 High Current 40V LED Driver with Internal Switch
April 20, 2016
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IDT71V2546S/XS 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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XFP236156.250000I 156.250000MHz晶体振荡器数据表附录
December 6, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
HXR5112A 12通道14Gb/s接收机简表
February 22, 2018
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IDT72401 IDT72403 CMOS PARALLEL FIFO 64 x 4
JUNE 2012
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9DMU0431 2:4 1.5V PCIe Gen1-2-3时钟多路复用器产品介绍
REVISION A
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IDT72V8981 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH 128 x 128
AUGUST 2003
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ProXO XF Family Evaluation Board User Manual
March 12, 2019
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9DBV0431 4-输出1.8V PCIe Gen1-2-3零延迟/扇出缓冲器（ZDB/FOB）数据表
REVISION E
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9ZX21200用于PCIE GE N3和QPI的12输出差分Z缓冲区产品介绍
REV D
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IDT72V295 IDT72V2105 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO™ 131,072x18 262,144x18
MARCH 2018
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9DBU0531 5输出1.5V PCIe Gen1-2-3扇出缓冲区数据表
Rev.F
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ICS843021I Femtock®Crystal-to-3.3V LVPECLOCK发生器数据表
REVISION A
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IDT72V201, IDT72V211 256 x 9, 512 x 9, IDT72V221, IDT72V231 1,024 x 9, 2,048 x 9, IDT72V241, IDT72V251 4,096 x 9 and 8,192 x 9 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO™
MARCH 2018
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843003I-01 FemtoClock®Crystal-to-3.3V LVPECL频率合成器数据表
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
MK74CB218 DUAL 1 TO 8 BUFFALO™ CLOCK DRIVER
REV K
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
BR784H1，PSC-4349-01 784，FCBGA封装外形图
Rev 00
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ICS854S54I双2:1和1:2差分到LVDS多路复用器数据表
REVISION A
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IDTQS3390 QUICKSWITCH® PRODUCTS HIGH-SPEED CMOS QUICKSWITCH 16:8 MULTIPLEXER
OCTOBER 2014
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| 数据手册 - 英文 |
ICS613 LOW PHASE NOISE CLOCK MULTIPLIER
REV F
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| 数据手册 - 英文 |
5P49V5944可编程时钟发生器数据表
JULY 10,2019
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| 数据手册 - 英文 |
7052S/L HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort™ STATIC RAM
JULY 2019
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| 数据手册 - 英文 |
IDT74FCT38074 3.3V CMOS 1-TO-4 CLOCK DRIVER
MAY 2010
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| 数据手册 - 英文 |
XPL536800.000000I 800.000000 MHz晶体振荡器数据表附录
2020/01/02
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9DBV0241 2-输出1.8V PCIe Gen1/2/3零延迟/扇出缓冲器，Zo=100欧姆数据表
REVISION F
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| 数据手册 - 英文 |
ICS9P935 DDR I/DDR II锁相环零延迟缓冲器数据表
REV H
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IDT74ALVC162244 3.3V CMOS 16-BITBUFFER/DRIVER WITH3-STATE OUTPUTS
JUNE 2009
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| 数据手册 - 英文 |
ZSSC3138陶瓷传感器应用信号调节器数据表
January 25, 2016
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
82P28xx、82P2521无继电器无故障保护切换（HPS）应用说明
本资料介绍了IDT公司的高密度LIU（线路接口单元）在无中继器的情况下实现的无缝保护切换（HPS）应用。资料详细阐述了HPS方案的设计、实现和应用，包括1+1和1:1硬件保护方案。资料还涵盖了HPS方案的关键特性，如高速高阻抗输出驱动器、任意波形发生器、内部/外部线路阻抗匹配能力等。此外，资料还提供了测试报告，包括备份卡电源故障测试、长期比特错误测试和热插拔测试等，以验证HPS方案的性能和可靠性。
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82P28xx、82P2521无继电器无故障保护切换（HPS）应用说明
本资料为IDT公司发布的关于无中继保护切换（HPS）应用说明，主要针对IDT高密度线路单元（LIU）产品。内容涵盖HPS应用方案、1+1和1:1硬件保护方案、无中继HPS切换技术，以及IDT高密度LIU产品的特点和应用。资料详细介绍了HPS方案的设计、实现和测试结果，旨在为电信系统中的冗余保护提供解决方案。
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无继电器无故障保护开关（HPS）82P28xx、82P2521应用说明AN-522
本资料为IDT公司发布的关于无中继保护切换（HPS）应用指南，主要针对IDT高密度LIU系列设备。内容涵盖HPS应用方案、1+1和1:1硬件保护方案、无中继HPS切换技术优势、高密度LIU产品特性等。资料详细介绍了HPS方案的设计、实现和测试结果，旨在提高电信系统中的数据传输可靠性和效率。
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无继电器无故障保护开关（HPS）82P28xx、82P2521应用说明AN-522
本资料介绍了IDT公司的高密度LIU（线路接口单元）在无中继器的情况下实现的无缝保护切换（HPS）应用。资料涵盖了HPS方案的设计、实现和应用，包括1+1和1:1硬件保护方案。重点介绍了HPS方案的优势，如减少组件、提高可靠性和降低成本，以及如何通过IDT的LIU实现快速切换和热插拔功能。此外，还提供了测试报告，展示了HPS方案在实际应用中的性能。
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AN-377 IDT T1/E1/J1 LIU和收发器应用说明的变压器选型指南
本指南为IDT T1/E1/J1 LIU和SuperJET收发器提供变压器选择指南。分为两部分，分别针对产品组1和产品组2的变压器要求进行详细说明，包括线路接口、变压器电气参数和可用变压器列表。指南中提供了不同产品型号的变压器选择建议，并附有相应的电气参数和阻抗匹配信息。
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IDT T1/E1/J1和收发器应用说明AN-377的变压器选型指南
本指南为IDT T1/E1/J1 LIU和SuperJET收发器提供变压器选择指南。分为两部分，分别针对产品组1和产品组2的变压器要求进行详细说明，包括线路接口、变压器电气参数和可用变压器列表。指南中提供了不同产品型号的变压器电气参数和阻抗匹配信息，以及相应的变压器供应商列表。
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Tsi350™ PCI到PCI桥用户手册
本资料为Tsi350™ PCI-to-PCI Bridge用户手册，主要内容包括Tsi350的功能概述、PCI接口、地址解码、事务排序、错误处理、独占访问、PCI总线仲裁、通用I/O、时钟、PCI电源管理、复位、JTAG模块、信号和引脚分配、电气特性、寄存器以及封装信息。手册详细介绍了Tsi350的架构、数据路径、事务类型、地址解码、事务排序、错误处理机制、独占访问控制、PCI总线仲裁过程、通用I/O功能、时钟管理、电源管理、复位机制、JTAG调试接口、信号定义、电气参数、寄存器配置和封装规格。
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82P33731/33831评估板用户指南
本资料介绍了82P33731/33831评估板的用户指南，包括板的概述、组件、电源设置、输入输出连接器、软件配置和使用方法。资料详细描述了如何通过Timing Commander软件配置和编程板以生成标准频率，以及如何连接板到PC和电源。此外，还提供了板上晶振的安装、默认频率输出、与TimingCommand软件的配置步骤以及如何查看状态信息。
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9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南
本资料为9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南，详细介绍了评估板的设置和连接方式，以及配套GUI软件的安装和使用。评估板通过SMBus接口可编程，具有USB到SMBus接口。指南中包含了评估板的概述、引脚功能、电源供应、连接方式、GUI软件安装和操作步骤等内容。
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Tsi382™ PCIe®到PCI网桥产品简介
Tsi382是一款高性能PCIe到PCI桥接芯片，支持PCI Express 1.1和PCI/PCI-X Bridge 1.0等规范。它具备高效队列和缓冲功能，提供低延迟和高吞吐量。芯片支持多种工作模式，包括透明、非透明和不可见模式，适用于多种应用，如数字视频录像机、笔记本电脑ExpressCard、主板、适配卡等。Tsi382采用BGA和LQFP封装，具有低功耗和小型封装的特点。
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8A3xxxx 48QFN EVK用户手册
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IDT®89HPES64H16G2 PCI Express®交换机用户手册
本手册详细介绍了IDT公司生产的89HPES64H16G2 PCI Express Switch的硬件和软件信息。该产品属于IDT的PRECISE系列，提供下一代I/O互连标准。手册内容涵盖设备概述、架构概述、交换核心、时钟、复位和初始化、交换分区、链路操作、SerDes、操作理论、热插拔和热插拔功能、电源管理、通用I/O、SMBus接口、多播、寄存器组织、PCI到PCI桥和专有端口特定寄存器、交换控制和管理状态寄存器、JTAG边界扫描等。
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ZSSC3018 QFN24包装规格技术简介
本资料详细介绍了ZSSC3018传感器信号调节器IC的QFN24封装规格。内容包括封装尺寸、引脚分配和布局、焊盘和着陆图案、热阻值、封装标记和板级连接。资料还提供了相关文档、术语表和文档修订历史。
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汽车应用的布局和电磁干扰建议应用说明
本文档为IDT公司发布的《汽车应用中的布局和EMI推荐》应用笔记，主要针对IDT时钟发生器的布局推荐，旨在降低电磁干扰（EMI）。文档详细讨论了汽车应用中EMI的来源、传播途径以及降低EMI的方法，包括时钟和数据路径的布局设计、电源供应的滤波和去耦等。此外，还介绍了IDT时钟器件的降低EMI特性，如频谱调制、可编程边沿速率等。
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ZBT公司sram：系统设计问题和总线计时应用说明
本文探讨了Zero Bus Turnaround (ZBT) SRAM的系统设计问题和总线时序。ZBT架构允许设计师在数据总线周期中实现100%的利用率，但同时也带来了总线争用的问题。文章详细解释了总线争用的概念、相关影响以及如何通过时钟偏斜、电感和电容等因素来减少总线争用的影响。此外，还讨论了数据手册规格、系统效应以及总线争用对系统可靠性的影响。
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微带线与带状线：串扰和均方根相位抖动应用说明
本文探讨了在PCB设计中使用不同传输线结构（微带和 stripline）以最小化串扰的影响。随着数据速率和相位噪声要求的提高，PCB上的电磁干扰（EMI）变得更加显著。文章比较了微带和 stripline 的结构、制造难度、成本和隔离性能，并通过实验评估了两种结构在特定条件下的串扰和均方根相位抖动。实验结果表明，stripline 在减少串扰和提高均方根相位抖动方面优于微带。
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无线电源LDO技术说明
本资料主要探讨了无线充电接收器IC输出端的低 dropout (LDO) 级联电池充电器时，LDO级联的行为表现。资料详细分析了CD操作频率和输出电容对电压调节器电压降的影响，并通过仿真结果进行了说明。此外，还讨论了LDO拓扑结构、环路图、噪声效应对调节的影响，以及设计建议和常见问题解答。
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