1.5 Ω On Resistance,_代理商_研发采购服务

1.5 Ω On Resistance, ±15 V/12 V/±5 V, /CMOS, Dual SPDT Switch ADG1436

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

ADI（亚德诺半导体）

型号：

ADG1436; ADG1436YRUZ; ADG1436YRUZ-REEL7; ADG1436YCPZ-REEL; ADG1436YCPZ-REEL7

本数据手册详细介绍了由Analog Devices公司生产的ADG1436器件，这是一款采用iCMOS工艺的CMOS双单刀双掷（SPDT）开关。该器件具备1.5 Ω的低导通电阻、0.3 Ω的导通电阻平坦度以及0.1 Ω的通道间匹配度，并支持轨到轨操作，能够实现最小失真。在性能参数方面，ADG1436具有超低功耗特性（小于0.03 μW），且无需VL电源，输入逻辑兼容3 V电平。根据封装类型不同，其每通道连续电流支持最高400 mA（TSSOP封装）或260 mA（LFCSP封装）。凭借这些技术优势，该器件广泛应用于自动测试设备、数据采集系统、电池供电系统、采样保持系统、音频信号路由、通信系统以及继电器替换等场景。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

资料下载

加工定制

布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm；最小横截面：0.2 mm；最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。

立即提交 CCD/EMCCD/CMOS/sCMOS相机 TEC定制 >>

资料平台

数据手册 - 英文	ADG1436 1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、iCMOS、双通道单刀双掷开关 Rev. B	下载
数据手册 - 英文	ADG1436-EP 1.5 Ω On Resistance, ±15 V/12 V/±5 V,iCMOS,Dual SPDT Switch Rev.0	下载
数据手册 - 英文	ADG1236：低电容、低电荷注入、？5V/12V iCMOS、双通道单刀双掷开关 Rev.A	下载
数据手册 - 英文	ADG774：CMOS、3 V/5 V、宽带宽、四通道2：1多路复用器 REV.C	下载
数据手册 - 英文	LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG201a-EP Rev.0	下载
数据手册 - 英文	四通道SPDT？5 V/+12 V开关ADG1334 Rev. 0	下载
数据手册 - 英文	ADG794低压、300 MHz、四通道2：1多路复用模拟高清电视音频/视频开关 Rev.B	下载
数据手册 - 英文	低电容，低电荷注入，±15 V/12 V iCMOS，双SPDT开关 Rev. A	下载
数据手册 - 英文	1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636 Rev. B	下载
数据手册 - 英文	1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636 Rev. B	下载
数据手册 - 英文	LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG211a/aDG212a Rev. C	下载
数据手册 - 英文	LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG201a/aDG202a REV.A	下载
数据手册 - 英文	低电容、低电荷注入、®5 V/+12 V iCMOS®双通道单刀单掷开关ADG1221/ADG1222/ADG1223 Rev. B	下载
数据手册 - 英文	1 pC电荷注入、100 pA泄漏、CMOS、？V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关ADG636 Rev. B	下载
数据手册 - 英文	低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V i CMOS单刀单掷开关，采用SOT-23封装ADG1201/ADG1202 Rev. 0	下载
数据手册 - 英文	LC²MOS精密四通道单刀单掷开关ADG431/ADG432/ADG433 REV. C	下载
数据手册 - 英文	CMOS锁存4/8通道模拟多路复用器aDG529a REV. B	下载
数据手册 - 英文	ADG719 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5Ω2：1多路复用器/单刀双掷开关，采用SOT-23封装 Rev.D	下载
数据手册 - 英文	低电容、低电荷注入、？5 V/12 V i CMOS单刀双掷开关，采用SOT-23封装ADG1219 Rev. A	下载
数据手册 - 英文	低电容、三通道/四通道单刀双掷、±15 V/+12 V/CMOS开关ADG1233/ADG1234 Rev. D	下载
数据手册 - 英文	ADG1219：低电容、低电荷注入、？5 V/12 V iCMOS单刀双掷开关，采用SOT-23封装 Rev. A	下载
数据手册 - 英文	9.5ΩRon、16通道、差分、8通道、±15 V/+12 V/±5 V/CMOS多路复用器ADG1406/ADG1407 Rev. C	下载
数据手册 - 英文	CMOS 4/8通道模拟多路复用器aDG508a/aDG509a Rev. D	下载
数据手册 - 英文	AD669单芯片16位DAC端口 REV.A	下载
数据手册 - 英文	Variable Resolution, Monolithic Resolver-to-Digital Converter AD2S80A REV. D	下载
数据手册 - 英文	ADG796A I²C®兼容型、宽带宽、六路2：1多路复用器 Rev.0	下载
数据手册 - 英文	四通道单刀双掷开关aDG333a Rev. B	下载
数据手册 - 英文	16-/32通道，串行控制4 1.8 V至5.5 V，2.5 V，模拟多路复用器 Rev. B	下载
数据手册 - 英文	AD5172/AD5173 256位、一次性可编程、双通道、I2C数字电位计 Rev. J	下载
技术文档 - 中文	PCB设计秘籍 2020/3/10	下载
数据手册 - 英文	12位串行输入乘法模数转换器DAC8043A REV.B	下载
数据手册 - 英文	DAC10 10位高速乘法模数转换器（通用数字逻辑接口） REV. D	下载
测试报告 - 英文	可靠性数据报告产品系列R597 2019/5/2	下载
测试报告 - 英文	LT1011/RH1011可靠性数据 2018/9/22	下载
数据手册 - 英文	RH1011电压比较器 Rev. E	下载
数据手册 - 英文	RH119高性能双比较器 Rev. D	下载
数据手册 - 英文	LT1714双通道、7ns、低功耗、3V/5V/±5V轨到轨比较器 2018/2/24	下载
数据手册 - 英文	DAC8426四通道8位电压输出CMOS DAC，内置10 V基准电压源 Rev. C	下载
测试报告 - 英文	LTC1257/LTC1450 51/52/53/LTC1599/LTC1654/55/57可靠性数据 Rev. 23	下载

世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

去使用世强AI >>

应用/方案

Alliance Memory Delveloped 64M x8, 32M x16, and 16M x32 512Mb Monolithic CMOS SDRAMs

Alliance Memory extends its offering of 512Mb high-speed CMOS SDRAMs with new monolithic 64M x 8 (AS4C64M8SC-7TIN) and 32M x 16 (AS4C32M16SC-7TIN) devices in the 54-pin 400-mil plastic package, and a 16M x 32 (AS4C16M32SC-7TIN) device in the 86-pin TSOP II package.

阅读原文 >>

【技术】浅析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路

在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通(即“截止”或“关断”)，所以称为“互补型CMOS管”。本文解析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路。

阅读原文 >>

【产品】单片定时电路XD/XL555采用TILinCMOS工艺制造，工作频率高达2MHz，功耗低至1mW

信路达XD/XL555是使用TI LinCMOS工艺制造的单片定时电路。该定时器与CMOS、TTL和 MOS逻辑完全兼容，工作频率高达2MHz。由于其高输入阻抗，该器件使用的定时电容器比555NE使用的电容器更小。因此具有更准确的时间延迟和振荡。

阅读原文 >>

【产品】功能引脚可替代NE555的单片计时电路CBM555，与CMOS、TTL和MOS逻辑器件完全兼容

芯佰微推出的单片计时电路CBM555 采用 CMOS工艺制造，与 CMOS、TTL 和 MOS 逻辑器件完全兼容，可在高达 2MHz 的频率下正常工作。此器件可支持比 NE555 或 LM555,TLC555 所支持的计时电容器更小的计时电容器。因此，可实现更加准确的延时时间和振荡。

阅读原文 >>

【产品】单片高速、低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器IDT72V3612，3.3V电源供电

瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出的IDT72V3612采用3.3V电源供电，具有极低的功耗。该器件是单片高速，低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器。它支持高达83 MHz的时钟频率，并且具有高达8ns的读取访问时间。 FIFO在IDT标准模式下运行。芯片缓冲区数据板上具有两个独立的64x36双端口SRAM。

阅读原文 >>

【产品】CMOS模拟复用器HI-506、HI-508、HI-509，内置16 /8个模拟开关

Renesas推出的HI-506、HI-508、HI-509单片CMOS模拟复用器，每个分别内置16个和8个模拟开关的阵列、用于通道选择的数字解码器电路、用于逻辑阈值的电压参考电路、以及当存在多个多路复用器时用于器件选择的使能输入电路。可提供比传统结隔离CMOS低得多的衬底泄漏和寄生电容，均非常适用于数据采集系统、精密仪器、多路分离和开关选择器等应用。

阅读原文 >>

Silicon Labs（芯科科技） CMEMS技术采用批量CMOS制造工艺生产基于MEMS的频率控制器件

CMEMS®技术采用CMOS和MEMS单片集成，通过在CMOS电路上直接加工MEMS器件，实现频率控制产品的微型化、高性能和低成本。该技术利用多晶硅-锗材料，兼容CMOS后端处理工艺，提供小尺寸、高可靠性、抗老化特性等优势，有望在频率控制行业取得突破。

阅读原文 >>

基本DAC架构III：分段DAC

本文介绍了分段DAC的架构和设计，包括电压输出和电流输出两种类型。文中详细讨论了Kelvin-Varley分压器和缓冲电压模式梯形电阻网络等不同分段DAC结构，并分析了无缓冲分段串DAC的原理和实现。此外，还介绍了高速DAC的设计，包括AD9775 TxDAC®的架构和PMOS晶体管电流开关单元。

阅读原文 >>

用于 3.3 V 电压轨的简单备份电源

本文介绍了使用LTC3643芯片设计一款针对3.3V电压轨的备份电源解决方案。该方案利用低成本电解电容器作为储能元件，通过隔离MOSFET和RA-CA串联电路确保在电源中断时为关键负载提供短期电源支持。文章详细阐述了电路设计原理、工作过程以及关键参数设置，并提供了电路图和波形图以供参考。

阅读原文 >>

采用4 mm × 4 mm × 1.92 mm BGA封装的低EMI Silent Switcher 1.2 A μModule稳压器

LTM8074是一款采用4 mm × 4 mm × 1.92 mm BGA封装的低EMI Silent Switcher 1.2 A µModule稳压器。该产品适用于狭小紧凑的空间，内置Silent Switcher架构，提供低EMI性能，支持多种输出电容，简化了整体设计。LTM8074具有宽输入电压范围（3.4 V至40 V），输出电压为0.78 V至15 V，输出电流为1.2 A，并具备快速瞬态响应和良好的环路稳定性。

阅读原文 >>

【产品】单片四路SPST CMOS模拟开关DG411/883，可直接替换DG211和DG212

DG411 / 883系列是Intersil公司推出的单片四路SPST CMOS模拟开关，是广受欢迎的DG211和DG212系列器件的直接替换产品。它们包括四个独立的SPST（单刀单掷）模拟开关，兼容TTL和CMOS数字输入。与DG211或DG212相比，DG411 / 883具有更低的模拟导通电阻（＜35Ω）和更快的开关时间（tON ＜175ns）。

阅读原文 >>

资料加工定制资料平台世强AI 应用/方案