Low Capacitance, Triple/Quad SPDT ±15 V/+12 V/CMOS Switches ADG1233/ADG1234
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
ADG1233; ADG1234; ADG1233YRUZ; ADG1233YRUZ-REEL7; ADG1233YCPZ-REEL7; ADG1234YRUZ; ADG1234YRUZ-REEL7; ADG1234YCPZ-REEL; ADG1234YCPZ-REEL7
本数据手册详细介绍了Analog Devices（亚德诺）生产的ADG1233和ADG1234两款iCMOS工艺模拟开关。这些器件具备低电容（1.5 pF关断电容）与低电荷注入（0.5 pC）的卓越性能，拥有33 V的宽电源电压范围及120 Ω的导通电阻，并支持3 V逻辑兼容数字输入。其典型功耗极低，且完全在±15 V/+12 V条件下指定规格，提供16引脚TSSOP、20引脚TSSOP及4 mm × 4 mm LFCSP等多种封装选择。凭借上述特性，该系列产品广泛应用于音频和视频路由、自动测试设备、数据采集系统、电池供电系统、采样保持系统及通信系统等领域。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
4Ω导通电阻、三通道/四通道单刀双掷、±15 V/+12 V/±5V/CMOS开关ADG1433/ADG1434
Rev. E
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| 数据手册 - 英文 |
低电容、低电荷注入、®5 V/+12 V iCMOS®双通道单刀单掷开关ADG1221/ADG1222/ADG1223
Rev. B
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低电容，4-/8通道，±15 V/+12 V iCMOS多路复用器
Rev. E
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1419 2.1Ω导通电阻、±5 V/+12 V/？V、iCMOS单刀双掷开关
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1212-EP：低电容、低电荷注入、？5 V/+12 V iCMOS、四通道单刀单掷开关
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
串行控制，±15 V/+12 V/±5 V，8通道/4通道，iCMOS多路复用器/矩阵开关
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
1Ω导通电阻，±15 V/+12 V/±5 V iCMOS SPST开关
Rev. 0
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9.5ΩRON，±15 V/+12 V/±5 V iCMOS，串行控制八进制SPST开关
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
2.1Ω导通电阻，±15 V/+12 V/±5 V iCMOS双SPST开关
Rev. A
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低电容，低电荷注入，±15 V/+12 V iCMOS四SPST开关
Rev. A
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低电容，低电荷注入，±15 V/+12 V iCMOS四SPST开关
Rev. D
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1.5Ω导通电阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS，四SPST开关
Rev. C
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ADG1414 9.5ΩRON、±5 V/+12 V/？V iCMOS、串行控制八通道单刀单掷开关
Rev.B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1436 1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、iCMOS、双通道单刀双掷开关
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1236：低电容、低电荷注入、？5V/12V iCMOS、双通道单刀双掷开关
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1201低电容，低电荷注入，±15 V/+12 V，iCMOS，SOT-23数据表中的SPST
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
低电容，低电荷注入，±15 V/12 V iCMOS，双SPDT开关
Rev. A
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2.1Ω导通电阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS SPDT开关
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1204：低电容、低电荷注入、？5 V/+12 V、4：1 iCMOS多路复用器
Rev. C
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ADG1219：低电容、低电荷注入、？5 V/12 V iCMOS单刀双掷开关，采用SOT-23封装
Rev. A
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| 数据手册 - 中文 |
ADGS1412 串行控制、1.5 Ω导通电阻、高电压、iCMOS、四通道SPST开关
Rev. 0
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1.5 0导通电阻、±5 V/12 V/？V、4：1、iCMOS多路复用器ADG1404
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1404 1.5Ω导通电阻，±15 V/12 V/±5 V，4:1，iCMOS多路复用器数据表
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
9.5ΩRon、16通道、差分、8通道、±15 V/+12 V/±5 V/CMOS多路复用器ADG1406/ADG1407
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、CMOS、双通道单刀双掷开关ADG1436
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG1634L 4.7Ω导通电阻、四通道单刀双掷开关，兼容1.2 V和1.8 V JEDEC逻辑
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
低电容、低电荷注入、？5 V/12 V i CMOS单刀双掷开关，采用SOT-23封装ADG1219
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V i CMOS单刀单掷开关，采用SOT-23封装ADG1201/ADG1202
Rev. 0
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
SigmaStudio发行说明
Revision 22.0
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| 数据手册 - 英文 |
LT3758/LT3758A高输入电压、升压、反激、SEPIC和反相控制器
Rev H
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| 数据手册 - 英文 |
HMC543ALC4B 22.5°微波单片集成电路4位数字移相器，8-12 GHz数据手册
v07.0322
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| 数据手册 - 英文 |
ADA4099-1/ADA4099-2 50 V、8 MHz、每通道1.5 mA、鲁棒的顶级精密运算放大器
Rev. A
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| 技术文档 - 中文 |
新概念模拟电路1：晶体管
2018/8/22
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| 数据手册 - 英文 |
ADP1034：内置7个数字隔离器和可编程电源控制的3通道隔离式微功耗管理单元
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
HMC8412芯片低噪声放大器，0.4 GHz至10 GHz
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADRF5043非反射式、9 kHz至44 GHz硅SP4T开关
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADXRS645高温、振动抑制±2000°/秒陀螺仪
Rev. C
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
在±5V电源下使用ADG12XX系列器件及其性能影响
本资料详细介绍了ADG12xx系列模拟开关的特性和应用。内容包括开关的电气特性、封装类型、工作电压范围、开关速度、泄漏电流、隔离度等关键参数。资料还提供了开关在不同工作条件下的性能数据，以及开关在不同温度下的开关时间和泄漏电流等参数。此外，资料还讨论了开关的触发电平、导通电阻、关断电阻等性能指标。
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使用±5 V电源操作ADG12xx系列零件及其对性能的影响
本文介绍了Analog Devices公司ADG12xx系列模拟开关和复用器在±5V电源下的操作性能及其影响。文章详细分析了该系列产品的电容、电荷注入、泄漏、触发电平、导通电阻、泄漏电流和时序等关键性能参数，并指出在较低电源电压下，这些产品的电容、电荷注入和泄漏性能仍然保持优异，但导通电阻和时序性能会有所下降。
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评估AD8253 10 MHz 20 V/μs，G=1，10，100，1000，iCMOS可编程增益仪表放大器
本资料为AD8253-EVALZ评估板用户指南，详细介绍了如何评估AD8253可编程增益仪器放大器。指南概述了评估AD8253所需的基本连接，并描述了可用于获得所需输出的开关设置。评估板提供了多种配置选项，包括额外的输入和输出滤波，以适应噪声环境。指南还包括评估板的软件快速启动程序、原理图和物料清单。
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评估ADGS1414D SPI、1.5ΩRON、±15 V/±5 V/+12 V、高密度八通道单刀单掷开关用户指南
本资料为ADGS1414D SPI控制八通道单刀双掷开关的评估板EV-ADGS1414DSDZ的用户指南。指南详细介绍了评估板的硬件和软件设置，包括电源供应、输入信号、连接选项、软件安装和配置等。此外，还提供了芯片视图、内存映射、原理图和 artwork 等信息，以帮助用户进行评估和测试。
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从实验室参考电路设计选定的测试和测量解决方案
本资料为Analog Devices公司提供的测试与测量参考设计电路笔记汇编，包含针对模拟、混合信号和射频设计挑战的精选参考设计。这些设计包括详细的文档、完整的设计和集成文件，以及工厂测试的评估硬件和开发平台，旨在帮助工程师节省时间、降低风险并提高上市时间。资料中列举了多个参考设计，如超灵敏度飞纳安测量平台、电池或USB供电的9 kHz至6 GHz均方根功率测量系统、隔离式多通道数据采集系统等，涵盖了从低电流测量到射频信号处理等多个领域。
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助力客户迈向5G未来——ADI公司为Rohde&Schwarz两款新产品提供支持
随着5G技术的到来，测试与测量行业面临重大挑战，需要更高性能的测试设备。Rohde & Schwarz与ADI公司合作，开发了R&S®SMW200A矢量信号发生器和R&S®FSW信号与频谱分析仪，以应对5G挑战。这些设备采用ADI公司的数据转换器和RF器件，实现低本底噪声的高频测试，满足下一代5G设备的测试需求。
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新数据，新见解10BASE-T1L连接边缘传感器改善结果
10BASE-T1L技术是一种单对以太网（SPE）媒体标准，提供10兆比特每秒的通信，支持在单对双绞线电缆上传输数据和电力，最大传输距离可达1公里。该技术通过延长以太网连接距离，使远程边缘节点能够实现新的数据流和测量，为过程控制和建筑自动化等领域带来新的见解和效率提升。此外，10BASE-T1L技术支持在危险环境中使用，并能够提供高达60瓦的电力，从而扩展工业物联网（IIoT）的应用范围。
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ADuCM3027/ADuCM3029超低功耗微控制器产品亮点
Analog Devices推出的ADuCM3027和ADuCM3029是两款超低功耗微控制器，专为物联网应用设计，具有低功耗、高安全性和强大的数据处理能力。它们支持多种接口和功能，包括ADC、数字外设、安全加密加速器和多种存储选项。这些微控制器适用于智能健康、智能建筑、智能农业、智能城市、智能工厂和智能能源等物联网应用。
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具较高电流 SIO 通道的四通道 IO-Link 主控器
本文介绍了如何设计一个具有较高电流SIO通道的四通道IO-Link主控器。主要内容包括IO-Link通信标准的介绍，LTC2874四通道IO-Link主控器的配置，以及如何通过改变LTC2874热插拔通道的用途，为SIO负载提供较大电流（SIO+模式），同时保持IO-Link特性和功能。文章还涉及了电路描述、工作波形分析以及产品手册下载信息。
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业界首款双通道70 A SilentMOS和单通道140 A智能功率级
本文介绍了ADI公司的LTC7050 SilentMOS™系列大电流负载点转换器，该系列满足了对高效率、高密度、可靠功率级的需求。LTC7050支持双通道70 A和单通道140 A配置，具有独立控制、故障报告和电流检测输出。其Silent Switcher 2架构和集成自举电源支持高速切换，降低EMI。LTC7050采用先进的封装技术，实现高功率密度和低损耗，同时提供全面的监控和保护特性，确保系统安全。
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具有16 μA静态电流的双通道8.5 A、18 V同步降压型Silent Switcher器件
LT8652S是一款双通道同步降压型稳压器，具有3 V至18 V的输入范围，可提供高达8.5 A的连续电流。它采用Silent Switcher 2架构，降低EMI并提高效率。LT8652S在Burst Mode工作模式下提供16 µA超低静态电流，适用于电池供电应用。器件支持内部和外部补偿，具有差分输出电压检测功能，适用于高电流应用。
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评估ADG1519 3.8Ω导通电阻单刀双掷开关
本资料为ADG1519评估板（EVAL-ADG1519EBZ）的用户指南，介绍了该评估板的硬件设置、操作方法和注意事项。ADG1519是一款单通道、单刀双掷（SPDT）开关，适用于不对称电压供电。评估板包含ADG1519、电源、信号发生器等组件，可用于测试ADG1519的功能和性能。指南详细说明了评估板的硬件连接、电源配置、信号输入设置以及跳线设置等操作步骤。
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CN-0377 使用RF MEMS开关实现的DC至2.5 GHz可切换RF衰减器
该资料介绍了Analog Devices公司提供的ADGM1304单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关在RF衰减器应用中的参考设计。该设计通过使用ADGM1304开关，实现了DC至2.5 GHz的可切换RF衰减器，用于多路复用和信号路由。资料详细描述了电路设计、原理图、PCB布局、物料清单以及测试结果，强调了ADGM1304开关的低插入损耗、高线性度、直流传输能力、小尺寸和快速切换速度等优势。
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