1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch ADG636
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
ADG636; ADG636YRU; ADG636YRU-REEL; ADG636YRUZ; ADG636YRUZ-REEL; ADG636YRUZ-REEL7
本数据手册详细介绍了Analog Devices（ADI）推出的ADG636器件，这是一款CMOS工艺的单刀双掷（SPDT）开关。该产品专为高精度信号路径设计，具备极低的电荷注入（典型值±1.5 pC）和极低的漏电流（典型值10 pA），能够有效减少信号失真。ADG636支持灵活的电源配置，包括±2.7 V至±5.5 V的双电源供电以及+2.7 V至+5.5 V的单电源供电，并具有TTL/CMOS兼容输入、高速切换及低功耗等特性。其工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，采用14引脚TSSOP封装，广泛应用于自动测试设备、数据采集系统、电池供电仪器、通信系统、采样保持系统、音频视频信号路由及航空电子设备等领域，特别适合作为继电器的替代方案。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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ADG636：1 PC电荷注入、100 pA泄漏、CMOS、？V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关
Rev. B
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新概念模拟电路4：信号处理电路
2018/12/29
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| 技术文档 - 中文 |
新概念模拟电路（电子版全集 第一版）
2019/7/11
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双通道单刀双掷开关ADG436
Rev.B
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ADG436双通道单刀双掷开关
Rev.B
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双单刀双掷开关DC-2.5 GHz
v00.0814
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双单刀双掷开关DC-2.5 GHz
v04.0404
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| 技术文档 - 英文 |
低成本10位单片模数转换器AD561
REV.G
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ADG736 CMOS低压2.5Ω双通道单刀双掷开关
Rev. D
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HMC199AMS8/199AMS8E双通道单刀双掷开关DC-2.5 GHz
v00
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高压防闭锁，双SPDT开关
Rev. B
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高压防闭锁，双SPDT开关
Rev. C
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故障保护和检测、1010 RON、双通道单刀双掷开关ADG5436F
Rev. C
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CMOS Low Voltage 2.5 Ω Dual SPDT Switch ADG736L
Rev. 0
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低电容，低电荷注入，±15 V/12 V iCMOS，双SPDT开关
Rev. A
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CMOS低压2.5Ω双单刀双掷开关
Rev. D
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ADG1436-EP 1.5 Ω On Resistance, ±15 V/12 V/±5 V,iCMOS,Dual SPDT Switch
Rev.0
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1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、CMOS、双通道单刀双掷开关ADG1436
Rev. B
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ADG1236：低电容、低电荷注入、？5V/12V iCMOS、双通道单刀双掷开关
Rev.A
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1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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ADG5436高压防闩锁型双通道单刀双掷开关
Rev. C
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ADG5236高压防闩锁型双通道单刀双掷开关
Rev.B
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ADG884 0.5ΩCMOS，双2:1 MUX/SPDT音频开关数据表
Rev. D
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0.5ΩCMOS，双2:1 MUX/SPDT音频开关
Rev. D
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ADG1436 1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、iCMOS、双通道单刀双掷开关
Rev. B
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ADG836：0.5CMOS CMOS、1.65 V至3.6 V、双通道单刀双掷/2：1多路复用器
Rev.B
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ADG787 2.5ΩCMOS低功耗双通道2：1多路复用器/多路分用器USB 1.1开关
Rev. A
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AD5172/AD5173 256位、一次性可编程、双通道、I2C数字电位计
Rev. J
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| 技术文档 - 中文 |
PCB设计秘籍
2020/3/10
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| 数据手册 - 英文 |
12位串行输入乘法模数转换器DAC8043A
REV.B
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| 数据手册 - 英文 |
DAC10 10位高速乘法模数转换器（通用数字逻辑接口）
REV. D
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性数据报告产品系列R597
2019/5/2
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| 测试报告 - 英文 |
LT1011/RH1011可靠性数据
2018/9/22
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RH1011电压比较器
Rev. E
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
CN-0510 电路笔记
本文介绍了Analog Devices的Circuits from the Lab®参考设计，包括电池电化学阻抗谱（EIS）测量系统。该系统采用AD5941芯片进行阻抗和电化学前端测量，结合AD8694和ADG636等器件，实现对电池的电流、电压或阻抗响应的激励和测量。文章详细阐述了EIS测量原理、等效电路模型（ECM）构建方法，以及如何使用AD5941进行电池阻抗测量。此外，还提供了电路评估板和参考软件，方便用户进行电池测试和分析。
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电路笔记 CN-0510：电池的电化学阻抗谱(EIS)
本资料介绍了由Analog Devices提供的电池电化学阻抗谱（EIS）测量系统，用于表征锂离子电池的性能。系统采用AD5941芯片进行阻抗和电化学前端测量，结合AD8694运算放大器和ADG636开关矩阵，实现电池阻抗的精确测量。资料详细描述了电路设计、原理图、布局文件、物料清单和软件，并提供了测试程序和结果分析。
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电路笔记CN-0510：电池的电化学阻抗谱（EIS）
本文档为Analog Devices公司提供的电路笔记，主要介绍了基于AD5941的电池电化学阻抗谱（EIS）测量系统。该系统用于表征锂离子电池的健康状态（SOH）和充电状态（SOC）。文档详细描述了EIS测量原理、等效电路模型（ECM）、电路设计、测试方法和结果分析。此外，还介绍了所需的硬件和软件配置，以及如何使用该系统进行电池测试。
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EVAL-ADG5436FEBZ用户指南ADG5436F过压保护双单刀双掷开关评估板
本资料为ADG5436FEBZ评估板用户指南，介绍了该评估板及其相关组件。评估板适用于ADG5436F双通道SPDT开关，具有过压保护功能。指南详细说明了评估板的硬件连接、电源、输入输出信号、跳线设置、连接器使用等，并提供了原理图和PCB布局图。
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ADG884 0.5ΩCMOS双2:1 Mux/SPDT音频开关评估板
本资料为ADG884评估板用户指南，旨在测试ADG884双通道单刀双掷（SPDT）开关的性能。ADG884是一款低电压CMOS器件，适用于高性能音频开关，具有极低的导通电阻和低功耗特点。评估板提供多种测试选项，包括测试点、逻辑控制输入等，方便用户评估ADG884的性能。指南中详细介绍了评估板的硬件设计、操作方法、测试参数以及组件列表。
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EVAL-ADGM1001评估ADGM1001 0 Hz/DC至34 GHz、SPDT、MEMS开关
本资料为ADGM1001评估板用户指南，介绍了ADGM1001这款0 Hz/DC至34 GHz的SPDT MEMS开关及其控制芯片的评估板。该评估板支持单电源供电，具有宽频率范围、SMA接口、并行接口和SPI接口，并提供了校准传输线以方便网络分析仪校准。资料详细描述了评估板的硬件、软件安装、初始设置、性能测量、校准程序、处理指南、布局建议、焊接建议以及订购信息。
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ADI双光束分光光度计演示系统和解决方案
本文介绍了ADI公司推出的双光束分光光度计演示系统和解决方案。内容包括系统设计考虑因素、稳定性、漂移与温度变化的影响，以及ADI公司的新演示系统和产品。重点介绍了双通道比色计、FET输入模拟前端和ADC驱动器等新产品，并提供了系统块图和主要产品列表。
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高效率，20A，单片静音开关2稳压器的SoC和微处理器应用的设计说明
本文介绍了Analog Devices公司推出的LTC7150S单芯片 Silent Switcher® 2稳压器，适用于SoC和微处理器应用。该器件具有高效率、小尺寸和低EMI特性，能够提供高达20A的电流输出，适用于工业和汽车系统中的高性能电源需求。LTC7150S采用Silent Switcher 2架构，通过集成热环路电容和MOSFET，实现了低EMI和高效率，简化了EMI滤波器设计和布局。此外，该器件还具备高频率、高效率的特点，适用于紧凑空间设计。
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肖特基整流器单片器件1N5391
该资料提供了一系列元器件的型号、参数和温度范围。包括不同型号的元器件，如71 5、119、150、175等，以及相应的参数如125、70、115、575、150、175等。资料还展示了不同温度下的参数变化，如-40°C至125°C。
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产品概述NLAS52231：模拟开关，双SPDT，超低Ron，0.4Ω
NLAS52231是一款双刀双掷（SPDT）模拟开关，具有超低导通电阻（0.4Ω）和过冲保护功能。适用于音频应用，特别适合需要极低导通电阻以实现最大信号传输的应用。该产品具有宽电压工作范围（1.65V-4.5V），并能与低至1.3V的控制输入选择线电压接口。NLAS52231采用小型10引脚UQFN封装，具有超低导通电阻、单电源操作、全0VCC信号处理能力、高通道隔离、低失真、高连续电流能力等特点。适用于手机音频模块、手机、扬声器耳机切换、便携式音乐播放器、铃声芯片/放大器切换、调制解调器等应用。
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肖特基整流单片器件
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基本DAC架构III：分段DAC
本文介绍了分段DAC的架构和设计，包括电压输出和电流输出两种类型。文中详细讨论了Kelvin-Varley分压器和缓冲电压模式梯形电阻网络等不同分段DAC结构，并分析了无缓冲分段串DAC的原理和实现。此外，还介绍了高速DAC的设计，包括AD9775 TxDAC®的架构和PMOS晶体管电流开关单元。
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用于 3.3 V 电压轨的简单备份电源
本文介绍了使用LTC3643芯片设计一款针对3.3V电压轨的备份电源解决方案。该方案利用低成本电解电容器作为储能元件，通过隔离MOSFET和RA-CA串联电路确保在电源中断时为关键负载提供短期电源支持。文章详细阐述了电路设计原理、工作过程以及关键参数设置，并提供了电路图和波形图以供参考。
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采用4 mm × 4 mm × 1.92 mm BGA封装的低EMI Silent Switcher 1.2 A μModule稳压器
LTM8074是一款采用4 mm × 4 mm × 1.92 mm BGA封装的低EMI Silent Switcher 1.2 A µModule稳压器。该产品适用于狭小紧凑的空间，内置Silent Switcher架构，提供低EMI性能，支持多种输出电容，简化了整体设计。LTM8074具有宽输入电压范围（3.4 V至40 V），输出电压为0.78 V至15 V，输出电流为1.2 A，并具备快速瞬态响应和良好的环路稳定性。
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10 A电子保险丝可实现48 V电源的紧凑型过流保护
本文介绍了一种紧凑型、低轮廓、快速响应的10A电子保险丝，用于48V直流电源轨的过流保护。该电子保险丝克服了传统保险丝的体积大、响应慢、容差宽和需要更换等缺点。文章详细描述了电子保险丝的工作原理和电路设计，并介绍了其保护功能和应用场景。
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