LC²MOS Precision Quad SPST Switches ADG431/ADG432/ADG433
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
ADG431; ADG432; ADG433; ADG431BN; ADG431BR; ADG431ABR; ADG432BN; ADG432BR; ADG432ABR; ADG433BN; ADG433BR; ADG433ABR
本数据手册详细介绍了ADG431、ADG432及ADG433系列四通道单刀双掷（SPST）开关。该系列产品基于增强型LC2MOS工艺设计，具备44V的最大供电电压与15V的模拟信号范围，能够处理高电压信号。其关键性能指标包括低导通电阻（<24Ω）、超低功耗（3.9W）以及极低的漏电流（<0.25nA），同时拥有快速的开关响应时间（tON <165ns，tOFF <130ns）。此外，这些器件支持断开-再连接开关动作，并兼容TTL/CMOS逻辑电平，可直接作为DG411/DG412/DG413系列的插件式替代品。凭借上述优异特性，该系列开关被广泛应用于音频和视频切换、自动测试设备、精密数据采集、电池供电系统、样本保持系统以及通信系统等场景。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG211a/aDG212a
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG201a/aDG202a
REV.A
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ADG774：CMOS、3 V/5 V、宽带宽、四通道2：1多路复用器
REV.C
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1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、CMOS、双通道单刀双掷开关ADG1436
Rev. B
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低电容、低电荷注入、®5 V/+12 V iCMOS®双通道单刀单掷开关ADG1221/ADG1222/ADG1223
Rev. B
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四通道SPDT？5 V/+12 V开关ADG1334
Rev. 0
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LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG201a-EP
Rev.0
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| 数据手册 - 英文 |
低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V i CMOS单刀单掷开关，采用SOT-23封装ADG1201/ADG1202
Rev. 0
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1 pC电荷注入、100 pA泄漏、CMOS、？V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关ADG636
Rev. B
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ADG794低压、300 MHz、四通道2：1多路复用模拟高清电视音频/视频开关
Rev.B
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1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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CMOS锁存4/8通道模拟多路复用器aDG529a
REV. B
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ADG719 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5Ω2：1多路复用器/单刀双掷开关，采用SOT-23封装
Rev.D
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低电容、三通道/四通道单刀双掷、±15 V/+12 V/CMOS开关ADG1233/ADG1234
Rev. D
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| 数据手册 - 英文 |
9.5ΩRon、16通道、差分、8通道、±15 V/+12 V/±5 V/CMOS多路复用器ADG1406/ADG1407
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
CMOS 4/8通道模拟多路复用器aDG508a/aDG509a
Rev. D
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AD669单芯片16位DAC端口
REV.A
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Variable Resolution, Monolithic Resolver-to-Digital Converter AD2S80A
REV. D
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四通道单刀双掷开关aDG333a
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
16-/32通道，串行控制4 1.8 V至5.5 V，2.5 V，模拟多路复用器
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG796A I²C®兼容型、宽带宽、六路2：1多路复用器
Rev.0
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
SigmaStudio发行说明
Revision 22.0
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LT3758/LT3758A高输入电压、升压、反激、SEPIC和反相控制器
Rev H
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| 数据手册 - 英文 |
HMC543ALC4B 22.5°微波单片集成电路4位数字移相器，8-12 GHz数据手册
v07.0322
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| 数据手册 - 英文 |
ADA4099-1/ADA4099-2 50 V、8 MHz、每通道1.5 mA、鲁棒的顶级精密运算放大器
Rev. A
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| 技术文档 - 中文 |
新概念模拟电路1：晶体管
2018/8/22
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| 数据手册 - 英文 |
ADP1034：内置7个数字隔离器和可编程电源控制的3通道隔离式微功耗管理单元
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
HMC8412芯片低噪声放大器，0.4 GHz至10 GHz
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADRF5043非反射式、9 kHz至44 GHz硅SP4T开关
Rev. A
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| 数据手册 - 英文 |
ADXRS645高温、振动抑制±2000°/秒陀螺仪
Rev. C
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| 数据手册 - 英文 |
LTC3025 300mA微功耗VLDO线性稳压器
Rev. E
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| 测试报告 - 英文 |
GaAs HBT-A工艺累积可靠性（2013-00228）
Revision:11
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| 数据手册 - 英文 |
5B47隔离线性热电偶输入
Rev.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
165引脚BGA封装（16mm×11.9mm×3.32mm）
Rev B
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
Alliance Memory Delveloped 64M x8, 32M x16, and 16M x32 512Mb Monolithic CMOS SDRAMs
Alliance Memory extends its offering of 512Mb high-speed CMOS SDRAMs with new monolithic 64M x 8 (AS4C64M8SC-7TIN) and 32M x 16 (AS4C32M16SC-7TIN) devices in the 54-pin 400-mil plastic package, and a 16M x 32 (AS4C16M32SC-7TIN) device in the 86-pin TSOP II package.
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【技术】浅析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路
在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通(即“截止”或“关断”)，所以称为“互补型CMOS管”。本文解析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路。
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【产品】单片定时电路XD/XL555采用TILinCMOS工艺制造，工作频率高达2MHz，功耗低至1mW
信路达XD/XL555是使用TI LinCMOS工艺制造的单片定时电路。 该定时器与CMOS、TTL和 MOS逻辑完全兼容，工作频率高达2MHz。 由于其高输入阻抗，该器件使用的定时电容器比555NE使用的电容器更小。 因此具有更准确的时间延迟和振荡。
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【产品】功能引脚可替代NE555的单片计时电路CBM555，与CMOS、TTL和MOS逻辑器件完全兼容
芯佰微推出的单片计时电路CBM555 采用 CMOS工艺制造，与 CMOS、TTL 和 MOS 逻辑器件完全兼容，可在高达 2MHz 的频率下正常工作。此器件可支持比 NE555 或 LM555,TLC555 所支持的计时电容器更小的计时电容器。因此，可实现更加准确的延时时间和振荡。
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【产品】单片高速、低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器IDT72V3612，3.3V电源供电
瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出的IDT72V3612采用3.3V电源供电，具有极低的功耗。 该器件是单片高速，低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器。 它支持高达83 MHz的时钟频率，并且具有高达8ns的读取访问时间。 FIFO在IDT标准模式下运行。芯片缓冲区数据板上具有两个独立的64x36双端口SRAM。
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具较高电流 SIO 通道的四通道 IO-Link 主控器
本文介绍了如何设计一个具有较高电流SIO通道的四通道IO-Link主控器。主要内容包括IO-Link通信标准的介绍，LTC2874四通道IO-Link主控器的配置，以及如何通过改变LTC2874热插拔通道的用途，为SIO负载提供较大电流（SIO+模式），同时保持IO-Link特性和功能。文章还涉及了电路描述、工作波形分析以及产品手册下载信息。
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业界首款双通道70 A SilentMOS和单通道140 A智能功率级
本文介绍了ADI公司的LTC7050 SilentMOS™系列大电流负载点转换器，该系列满足了对高效率、高密度、可靠功率级的需求。LTC7050支持双通道70 A和单通道140 A配置，具有独立控制、故障报告和电流检测输出。其Silent Switcher 2架构和集成自举电源支持高速切换，降低EMI。LTC7050采用先进的封装技术，实现高功率密度和低损耗，同时提供全面的监控和保护特性，确保系统安全。
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【产品】CMOS模拟复用器HI-506、HI-508、HI-509，内置16 /8个模拟开关
Renesas推出的HI-506、HI-508、HI-509单片CMOS模拟复用器，每个分别内置16个和8个模拟开关的阵列、用于通道选择的数字解码器电路、用于逻辑阈值的电压参考电路、以及当存在多个多路复用器时用于器件选择的使能输入电路。可提供比传统结隔离CMOS低得多的衬底泄漏和寄生电容，均非常适用于数据采集系统、精密仪器、多路分离和开关选择器等应用。
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Silicon Labs（芯科科技） CMEMS技术采用批量CMOS制造工艺生产基于MEMS的频率控制器件
CMEMS®技术采用CMOS和MEMS单片集成，通过在CMOS电路上直接加工MEMS器件，实现频率控制产品的微型化、高性能和低成本。该技术利用多晶硅-锗材料，兼容CMOS后端处理工艺，提供小尺寸、高可靠性、抗老化特性等优势，有望在频率控制行业取得突破。
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具有16 μA静态电流的双通道8.5 A、18 V同步降压型Silent Switcher器件
LT8652S是一款双通道同步降压型稳压器，具有3 V至18 V的输入范围，可提供高达8.5 A的连续电流。它采用Silent Switcher 2架构，降低EMI并提高效率。LT8652S在Burst Mode工作模式下提供16 µA超低静态电流，适用于电池供电应用。器件支持内部和外部补偿，具有差分输出电压检测功能，适用于高电流应用。
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评估ADG1519 3.8Ω导通电阻单刀双掷开关
本资料为ADG1519评估板（EVAL-ADG1519EBZ）的用户指南，介绍了该评估板的硬件设置、操作方法和注意事项。ADG1519是一款单通道、单刀双掷（SPDT）开关，适用于不对称电压供电。评估板包含ADG1519、电源、信号发生器等组件，可用于测试ADG1519的功能和性能。指南详细说明了评估板的硬件连接、电源配置、信号输入设置以及跳线设置等操作步骤。
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CN-0377 使用RF MEMS开关实现的DC至2.5 GHz可切换RF衰减器
该资料介绍了Analog Devices公司提供的ADGM1304单刀四掷（SP4T）RF MEMS开关在RF衰减器应用中的参考设计。该设计通过使用ADGM1304开关，实现了DC至2.5 GHz的可切换RF衰减器，用于多路复用和信号路由。资料详细描述了电路设计、原理图、PCB布局、物料清单以及测试结果，强调了ADGM1304开关的低插入损耗、高线性度、直流传输能力、小尺寸和快速切换速度等优势。
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CN-0432 使用两个具有多DAC同步功能的AD9139器件进行宽带基带I/Q发射器设计
本文档介绍了Analog Devices的Circuits from the Lab®参考设计，该设计使用AD9139 TxDAC数模转换器和ADL5375宽带正交调制器，实现了一个同步宽频带发射器。设计支持高达1150 MHz的超宽I/Q带宽，并提供了高无杂散动态范围(SFDR)、低误差矢量幅度(EVM)和宽频带范围内的平坦频率响应。文档详细描述了电路设计、布局、时钟方案、LVDS接口设计、低通滤波器设计以及评估板的测试设置和测量结果。
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【产品】单片四路SPST CMOS模拟开关DG411/883，可直接替换DG211和DG212
DG411 / 883系列是Intersil公司推出的单片四路SPST CMOS模拟开关，是广受欢迎的DG211和DG212系列器件的直接替换产品。 它们包括四个独立的SPST（单刀单掷）模拟开关，兼容TTL和CMOS数字输入。与DG211或DG212相比，DG411 / 883具有更低的模拟导通电阻（＜35Ω）和更快的开关时间（tON ＜175ns）。
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为保护继电器应用配置ADE1202寄存器
本应用笔记介绍了如何配置ADE1202寄存器以配置300V直流二进制输入应用。内容涵盖ADE1202概述、寄存器配置、硬件考虑、原理示意图、MOSFET选择、寄存器配置示例、MOSFET保护代码、ADE1202启动等。主要目的是帮助用户了解如何通过寄存器配置来监控数字输入，并生成DOUT信号，以便微控制器或FPGA监控。
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