LC²MOS Quad SPST Switches ADG211A/ADG212A
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
ADG211A; ADG212A; ADG211AKN; ADG211AKNZ; ADG211AKPZ; ADG211AKR; ADG211AKRZ; ADG211AKRZ-REEL; ADG211AKRZ-REEL7; ADG212AKNZ; ADG212AKPZ; ADG212AKPZ-REEL; ADG212AKR; ADG212AKRZ; ADG212AKRZ-REEL
本数据手册详细介绍了Analog Devices公司生产的ADG211A和ADG212A两款LC2MOS四通道单刀双掷开关。该器件具备44V最大供电额定值及±15V的模拟信号范围，拥有最大115Ω的低导通电阻和典型值0.5nA的低泄漏电流，并支持断开-后再闭合切换功能。其设计兼容TTL/CMOS逻辑电平，支持单电源操作，且提供-40°C至+85°C的扩展塑料温度范围。产品封装涵盖16引脚PDIP/SOIC及20引脚PLCC，并与DG211/DG212引脚兼容，广泛应用于模拟开关、多路复用器、高精度电路及单电源应用场景。Analog Devices在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG201a-EP
Rev.0
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LC²MOS四通道单刀单掷开关aDG201a/aDG202a
REV.A
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LC²MOS精密四通道单刀单掷开关ADG431/ADG432/ADG433
REV. C
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LC²MOS四通道单刀单掷开关ADG221/ADG222
REV.B
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ADG774：CMOS、3 V/5 V、宽带宽、四通道2：1多路复用器
REV.C
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1.5Ω导通电阻、±5 V/12 V/？V、CMOS、双通道单刀双掷开关ADG1436
Rev. B
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低电容、低电荷注入、®5 V/+12 V iCMOS®双通道单刀单掷开关ADG1221/ADG1222/ADG1223
Rev. B
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四通道SPDT？5 V/+12 V开关ADG1334
Rev. 0
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低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V i CMOS单刀单掷开关，采用SOT-23封装ADG1201/ADG1202
Rev. 0
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1 pC电荷注入、100 pA泄漏、CMOS、？V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关ADG636
Rev. B
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ADG794低压、300 MHz、四通道2：1多路复用模拟高清电视音频/视频开关
Rev.B
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1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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1Ω（典型值）导通电阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3 V双通道单刀双掷开关ADG1636
Rev. B
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CMOS锁存4/8通道模拟多路复用器aDG529a
REV. B
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ADG719 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5Ω2：1多路复用器/单刀双掷开关，采用SOT-23封装
Rev.D
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低电容、三通道/四通道单刀双掷、±15 V/+12 V/CMOS开关ADG1233/ADG1234
Rev. D
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9.5ΩRon、16通道、差分、8通道、±15 V/+12 V/±5 V/CMOS多路复用器ADG1406/ADG1407
Rev. C
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CMOS 4/8通道模拟多路复用器aDG508a/aDG509a
Rev. D
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AD669单芯片16位DAC端口
REV.A
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Variable Resolution, Monolithic Resolver-to-Digital Converter AD2S80A
REV. D
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四通道单刀双掷开关aDG333a
Rev. B
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16-/32通道，串行控制4 1.8 V至5.5 V，2.5 V，模拟多路复用器
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
ADG796A I²C®兼容型、宽带宽、六路2：1多路复用器
Rev.0
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| 数据手册 - 英文 |
AD5172/AD5173 256位、一次性可编程、双通道、I2C数字电位计
Rev. J
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| 技术文档 - 中文 |
PCB设计秘籍
2020/3/10
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| 数据手册 - 英文 |
12位串行输入乘法模数转换器DAC8043A
REV.B
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| 数据手册 - 英文 |
DAC10 10位高速乘法模数转换器（通用数字逻辑接口）
REV. D
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| 测试报告 - 英文 |
可靠性数据报告产品系列R597
2019/5/2
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| 测试报告 - 英文 |
LT1011/RH1011可靠性数据
2018/9/22
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RH1011电压比较器
Rev. E
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RH119高性能双比较器
Rev. D
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LT1714双通道、7ns、低功耗、3V/5V/±5V轨到轨比较器
2018/2/24
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| 数据手册 - 英文 |
DAC8426四通道8位电压输出CMOS DAC，内置10 V基准电压源
Rev. C
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| 测试报告 - 英文 |
LTC1257/LTC1450 51/52/53/LTC1599/LTC1654/55/57可靠性数据
Rev. 23
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| 测试报告 - 英文 |
LT1640/LT1641/LT4250可靠性数据
Rev. 1
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LT1026可靠性数据
Rev .1
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LTC1262/LTC1263可靠性数据
Rev. 20
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| 数据手册 - 英文 |
LT1993-4 900MHz低失真、低噪声差分放大器/ADC驱动器（AV=4V/V）
Rev. B
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| 测试报告 - 英文 |
LT1187/1189/1190/1191/1192/1193/1194/1195可靠性数据
Rev. 1
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世强AI
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应用/方案
Alliance Memory Delveloped 64M x8, 32M x16, and 16M x32 512Mb Monolithic CMOS SDRAMs
Alliance Memory extends its offering of 512Mb high-speed CMOS SDRAMs with new monolithic 64M x 8 (AS4C64M8SC-7TIN) and 32M x 16 (AS4C32M16SC-7TIN) devices in the 54-pin 400-mil plastic package, and a 16M x 32 (AS4C16M32SC-7TIN) device in the 86-pin TSOP II package.
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【技术】浅析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路
在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通(即“截止”或“关断”)，所以称为“互补型CMOS管”。本文解析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路。
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【产品】单片定时电路XD/XL555采用TILinCMOS工艺制造，工作频率高达2MHz，功耗低至1mW
信路达XD/XL555是使用TI LinCMOS工艺制造的单片定时电路。 该定时器与CMOS、TTL和 MOS逻辑完全兼容，工作频率高达2MHz。 由于其高输入阻抗，该器件使用的定时电容器比555NE使用的电容器更小。 因此具有更准确的时间延迟和振荡。
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【产品】功能引脚可替代NE555的单片计时电路CBM555，与CMOS、TTL和MOS逻辑器件完全兼容
芯佰微推出的单片计时电路CBM555 采用 CMOS工艺制造，与 CMOS、TTL 和 MOS 逻辑器件完全兼容，可在高达 2MHz 的频率下正常工作。此器件可支持比 NE555 或 LM555,TLC555 所支持的计时电容器更小的计时电容器。因此，可实现更加准确的延时时间和振荡。
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【产品】单片高速、低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器IDT72V3612，3.3V电源供电
瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出的IDT72V3612采用3.3V电源供电，具有极低的功耗。 该器件是单片高速，低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器。 它支持高达83 MHz的时钟频率，并且具有高达8ns的读取访问时间。 FIFO在IDT标准模式下运行。芯片缓冲区数据板上具有两个独立的64x36双端口SRAM。
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基本DAC架构III：分段DAC
本文介绍了分段DAC的架构和设计，包括电压输出和电流输出两种类型。文中详细讨论了Kelvin-Varley分压器和缓冲电压模式梯形电阻网络等不同分段DAC结构，并分析了无缓冲分段串DAC的原理和实现。此外，还介绍了高速DAC的设计，包括AD9775 TxDAC®的架构和PMOS晶体管电流开关单元。
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【产品】CMOS模拟复用器HI-506、HI-508、HI-509，内置16 /8个模拟开关
Renesas推出的HI-506、HI-508、HI-509单片CMOS模拟复用器，每个分别内置16个和8个模拟开关的阵列、用于通道选择的数字解码器电路、用于逻辑阈值的电压参考电路、以及当存在多个多路复用器时用于器件选择的使能输入电路。可提供比传统结隔离CMOS低得多的衬底泄漏和寄生电容，均非常适用于数据采集系统、精密仪器、多路分离和开关选择器等应用。
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Silicon Labs（芯科科技） CMEMS技术采用批量CMOS制造工艺生产基于MEMS的频率控制器件
CMEMS®技术采用CMOS和MEMS单片集成，通过在CMOS电路上直接加工MEMS器件，实现频率控制产品的微型化、高性能和低成本。该技术利用多晶硅-锗材料，兼容CMOS后端处理工艺，提供小尺寸、高可靠性、抗老化特性等优势，有望在频率控制行业取得突破。
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用于 3.3 V 电压轨的简单备份电源
本文介绍了使用LTC3643芯片设计一款针对3.3V电压轨的备份电源解决方案。该方案利用低成本电解电容器作为储能元件，通过隔离MOSFET和RA-CA串联电路确保在电源中断时为关键负载提供短期电源支持。文章详细阐述了电路设计原理、工作过程以及关键参数设置，并提供了电路图和波形图以供参考。
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采用4 mm × 4 mm × 1.92 mm BGA封装的低EMI Silent Switcher 1.2 A μModule稳压器
LTM8074是一款采用4 mm × 4 mm × 1.92 mm BGA封装的低EMI Silent Switcher 1.2 A µModule稳压器。该产品适用于狭小紧凑的空间，内置Silent Switcher架构，提供低EMI性能，支持多种输出电容，简化了整体设计。LTM8074具有宽输入电压范围（3.4 V至40 V），输出电压为0.78 V至15 V，输出电流为1.2 A，并具备快速瞬态响应和良好的环路稳定性。
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【产品】单片四路SPST CMOS模拟开关DG411/883，可直接替换DG211和DG212
DG411 / 883系列是Intersil公司推出的单片四路SPST CMOS模拟开关，是广受欢迎的DG211和DG212系列器件的直接替换产品。 它们包括四个独立的SPST（单刀单掷）模拟开关，兼容TTL和CMOS数字输入。与DG211或DG212相比，DG411 / 883具有更低的模拟导通电阻（＜35Ω）和更快的开关时间（tON ＜175ns）。
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