N0601N N-CHANNEL MO_代理商_研发采购服务

N0601N N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Data Sheet

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

N0601N; N0601N-ZK-E1-AY; N0601N-ZK-E2-AY

本数据手册详细介绍了Renesas Electronics公司生产的N0601N N沟道MOS场效应晶体管。该器件专为高电流开关应用设计，具备低导通电阻、低输入电容及高电流处理能力等显著特性。具体而言，其导通电阻RDS(on)在VGS=10V、ID=50A条件下不超过4.2 mΩ，典型输入电容Ciss为7730 pF，且支持高达±100 A的直流电流，同时符合RoHS环保标准。针对文中所述器件，Renesas在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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资料平台

数据手册 - 英文	N0601N N沟道MOSFET 60V，100A，4.2 mΩ Rev.2.00	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Renesas（瑞萨电子） PMD 2SJ181L-E等停止推广通知 2017年06月27日	下载
数据手册 - 英文	N0601N N沟道MOSFET数据表 Rev.2.00	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	分立功率器件产品内箱标签位置更改产品咨询（PA）（BL202301967） 8/2/2023	下载
数据手册 - 英文	Renesas（瑞萨电子） H7N0607DL/DS高速功率开关N沟道硅MOS场效应管数据手册 v3.0	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	SAF-B-21-0008-2：本通知的目的是传达瑞萨电子（Renesas Electronics）已开始对部分零件号进行寿命终止（EOL）处理。 17 June 2021	下载
数据手册 - 英文	Renesas（瑞萨电子） H7N0603DL/DS高速功率开关N沟道硅MOS场效应管数据手册 v2.0	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	产品寿命终止通知（SAF-B-22-0004） 15 June 2022	下载
数据手册 - 英文	N0604N N沟道MOSFET 60 V，82 A，6.5 mΩ Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0604N N沟道MOSFET 60V，82A，6.5 mΩ Rev.2.00	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	产品寿命终止通知（SAF-B-23-0016） 11 December 2023	下载
数据手册 - 英文	N0609N N沟道MOSFET数据表 Rev.1.00	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Renesas（瑞萨电子）REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)（2018K） 2018年6月	下载
数据手册 - 英文	N0605N N沟道MOSFET数据表 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0609N N沟道MOSFET Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0605N N沟道MOSFET Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0606N N沟道MOSFET 60 V，60 A，12.9 mΩ Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0602N开关用N沟道MOSFET数据表 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0602N N沟道MOSFET 60 V，100 A，4.6 mΩ Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0602N N沟道MOSFET 60V，100A，4.6 mΩ Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0606N N沟道MOSFET Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0608N N沟道MOSFET Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0607N N沟道MOSFET数据表 Rev.2.02	下载
数据手册 - 英文	N0608N N沟道MOSFET数据表 Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0607N N沟道MOSFET 60 V，65 A，8.4 mΩ Rev.2.02	下载
数据手册 - 英文	N0603N N沟道MOSFET 60 V，100 A，4.6 mΩ Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0603N N沟道MOSFET 60V，100 A，4.6 mΩ Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	μPA672CT N沟道开关MOSFET Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	开关用2SK3054C N沟道MOSFET Rev.3.00	下载
数据手册 - 英文	开关用2SK3054C N沟道MOSFET Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	开关用2SK1581C N沟道MOSFET Rev.2.00	下载
技术文档 - 中文	RJH60F3DPQ-A0C硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	μPA572CT N沟道开关MOSFET Rev.3.00	下载
数据手册 - 英文	μPA606CT N沟道开关MOSFET Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0412N开关用N沟道MOSFET数据表 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	Renesas（瑞萨电子） N0412N N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING数据手册 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	Renesas（瑞萨电子） 2SK1824 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING数据手册 D11220EJ2V0DS00	下载
数据手册 - 英文	N0435N N沟道MOSFET 40V，80A，4.8 mΩ Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0437N N沟道MOSFET 40V，60A，7.0 mΩ Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	N0412N N沟道MOSFET 40V，100 A，3.7 mΩ Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	N0413N N沟道MOSFET 40V，100 A，3.3 mΩ Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	RJK5020DPK硅N沟道MOSFET高速功率开关 Rev.3.00	下载
数据手册 - 英文	RJK4007DPP-M0硅N沟道MOSFET高速功率开关数据表 Rev.1.00	下载

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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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应用/方案

电机解决方案用户友好的电机控制开发环境，缩短上市时间

Renesas提供全面的电机解决方案，包括电机类型、控制方法、传感器特性和相关设备。资料详细介绍了不同类型的电机（如BLDC、步进电机、感应电机）及其控制方法（如120度导通控制和矢量控制），并提供了相应的开发工具和评估系统。此外，资料还涵盖了各种电机控制IC、MOSFET、门驱动器、电源管理器件等，旨在帮助客户缩短产品上市时间，实现绿色社会。

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离散和功率设备为广泛的高性能应用提供强健、可靠的解决方案

本资料介绍了Renesas公司提供的离散和功率器件，包括晶闸管/硅控整流器、IGBT和功率MOSFET。资料详细介绍了这些器件的特点、技术参数和应用领域，旨在支持高性能应用，提高系统性能并减小尺寸和重量。资料还包含了产品线、技术规格和销售办公室信息。

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【产品】60V/±82A N沟道MOSFET N0604N，漏源导通电阻低于6.5mΩ

N0604N是瑞萨电子推出的一款N沟道MOSFET，其漏源电压为60V，漏极电流为±82A，可应用于大电流开关切换场合。具有低漏源导通电阻（RDS(ON)最高不超过6.5mΩ@VGS=10V，ID=41A）、输入电容Ciss典型值为4150pF@VDS=25V，VGS=0V，且符合RoHS标准。采用TO-220AB封装。

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【产品】60V/100A N沟道MOSFET N0602N，通态电阻小于4.6mΩ

N0602N是瑞萨电子推出的一款N沟道MOSFET，其漏源电压为60V，漏极电流高达±100A，可应用于高电流场合。且具有较低通态电阻（RDS(ON)最高不超过4.6mΩ@VGS=10V，ID=50A）、低输入电容Ciss典型值只有7730pF@VDS=25V VGS=0V，且符合RoHS标准。采用TO-220AB封装。

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【产品】60V/60A N沟道MOSFET N0606N，通态电阻低于12.9mΩ

N0606N是瑞萨电子推出的一款N沟道MOSFET，其漏源电压可至60V，漏极电流±60A，可应用于高电流场合。具有低通态电阻（RDS(ON)最高不超过12.9mΩ@VGS=10V，ID=30A）、低输入电容Ciss典型值只有2170pF@VDS=25V，符合RoHS标准。

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【产品】60V/65A N沟道MOSFET N0607N，通态电阻小于8.4mΩ

N0607N是瑞萨电子推出的一款N沟道MOSFET，其漏源电压可至60V，漏极电流高达±65A，具有低通态电阻（RDS(ON)最高不超过8.4mΩ@VGS=10V，ID=32.5A）、低输入电容Ciss典型值只有3300pF@VDS=25V，且符合RoHS标准。采用TO-252封装。

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模拟集成电路和离散电路

本资料主要介绍了Renesas公司在模拟和离散元器件领域的解决方案，涵盖了高精度信号链设计所需的各类产品。内容包括数字电源监控、多单元电池管理、放大器、数据转换器、接口等，旨在为仪器、医疗、通信和工业过程控制等应用提供创新、可靠和可信赖的解决方案。资料详细介绍了各产品的性能特点、应用场景和关键参数。

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