RJP65S06DWA / RJP65S06DWS 650V - 100A - IGBT Application: Inverter Datasheet
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
RJP65S06DWA; RJP65S06DWS; RJP65S06DWT-80; RJP65S06DWA-80; RJP65S06DWA-80#W0; RJP65S06DWS-80#W0
本数据手册详细介绍了RJP65S06DWA与RJP65S06DWS型号的650V 100A IGBT器件，旨在为逆变器等应用提供高性能的功率开关解决方案。该资料重点阐述了器件的核心技术特性，包括低集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)典型值为1.5V），这一特性有助于显著降低导通损耗；同时，器件具备高速开关能力，能够提升系统的工作效率。此外，手册还详细说明了其最小10μs的短路承受时间，确保了在严苛工况下的系统可靠性与安全性。资料内容涵盖了完整的电气特性参数、封装尺寸及订购信息，为工程师的设计选型提供了权威参考。基于该方案，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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RJP65M06DWA/RJP65M06DWS 650V-100A-IGBT应用：逆变器
Rev.1.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
8英寸未切割晶圆IGBT UV带更换产品更改通知（PCN）（BL202301547）
6/19/2023
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RJP65D05DWA/RJP65D05DWS 650V-30A-IGBT应用：逆变器
Rev.1.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IGBT和FRD裸片产品（BL202202569）订购零件号和外包装箱更换
12/22/2022
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| 数据手册 - 英文 |
RJP65S05DWA/RJP65S05DWS 650V-75A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.4.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IGBT和FRD裸片产品订购零件号和外包装箱变更产品变更通知（PCN）（BL202202569）
1/25/2023
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| 数据手册 - 英文 |
RJP65S03DWA/RJP65S03DWS 650V-30A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.4.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
分立功率器件产品内箱标签位置更改产品咨询（PA）（BL202301967）
8/2/2023
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RJP65M04DWA/RJP65M04DWS 650V-50A-IGBT应用：逆变器
Rev.1.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas报废通知（SAF-B-20-0010）
17 December 2020
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Renesas（瑞萨电子） RJP65S08DWA/RJP65S08DWS 数据手册
2015年11月06日
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产品寿命终止通知（SAF-B-23-0016）
11 December 2023
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RJP65S04DWA/RJP65S04DWS 650V-50A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.4.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）
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RJP65M05DWA/RJP65M05DWS 650V-75A-IGBT应用：逆变器
Rev.1.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)（2018K）
2018年6月
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RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 650V-15A-IGBT应用：逆变器
Rev.1.00
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Renesas（瑞萨电子） IGBT RJP65S07DWA/RJP65S07DWS数据手册
Rev.5.00
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Renesas（瑞萨电子） IGBT RJP65T54DPM-E0数据手册
Rev.1.00
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RJP65S08DWA/RJP65S08DWS 650V-200A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.4.00
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RJP65S07DWA/RJP65S07DWS 650V-150A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.5.00
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RJP65T54DPM-A0型
Rev.1.10
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RJP65T54DPM-E0 650V-30A-IGBT应用：部分开关电路数据表
Rev.1.00
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RJP65T43DPQ-A0 650V-30A-IGBT
Rev. 1.01
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RJP65T43DPM 650V-20A-IGBT应用：功率因数校正电路
Rev.1.00
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RJP65T43DPM 650V-20A-IGBT高速开关
Rev.2.00
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RJH60M0DPQ-E0 600V-22A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.2.00
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8英寸未切割晶圆的1800V IGBT产品变更通知（PCN）（BL202301548）的UV带更换和铝溅射条件优化
6/19/2023
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RJH60M3DPQ-E0 600V-17A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.2.00
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RJH60M2DPP-M0 600V-12A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.3.00
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RJH60M3DPE 600V-17A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.3.00
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RJH60M1DPE 600V-8A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.3.00
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RJQ6008BDPM 600V-6A-IGBT功率开关
Rev.2.00
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RJH60M5DPQ-E0 600V-37A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.2.00
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应用/方案
采用图腾柱交错式PFC的JP230数字电源转换
本资料介绍了Renesas Electronics的JP230数字电源转换解决方案，该方案采用 Totem Pole Interleaved PFC技术，提供高效率的AC/DC电源。方案包括高效率的LLC共振DC/DC转换器，支持多种输出电压，并具备高性能MCU和外围电路，适用于通信、工业和数据中心设备等应用。资料详细介绍了系统架构、关键组件和性能特点。
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离散和功率设备为广泛的高性能应用提供强健、可靠的解决方案
本资料介绍了Renesas公司提供的离散和功率器件，包括晶闸管/硅控整流器、IGBT和功率MOSFET。资料详细介绍了这些器件的特点、技术参数和应用领域，旨在支持高性能应用，提高系统性能并减小尺寸和重量。资料还包含了产品线、技术规格和销售办公室信息。
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【产品】650V/30A高速大功率绝缘栅双极型晶体管，集电极-发射极饱和电压仅为1.35V
RENESAS（瑞萨）公司制作了一款采用隔离封装的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RJP65T54DPM-A0，开通延迟时间td(on)典型值仅为31ns，上升时间tr典型值为22ns，关断延迟时间典型值为128ns，下降时间典型值为156ns。开通能量损耗典型值为0.47mJ，关断能量损耗典型值为1.04mJ，能量损耗极少，主要应用于电动工具，电动汽车动力系统，逆变电源，轨道交通等应用领域。
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RJP65T54DPM-E0的单独页产品规格
该资料详细介绍了RJP65T54DPM-E0型号的元器件产品规格。包括其集电极到发射极电压、栅极到发射极电压、集电极电流、集电极峰值电流、结温、集电极到发射极饱和电压、栅极到发射极截止电压、下降时间等关键参数。此外，还提供了该元器件的封装信息。
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【方案】高效率电动汽车电机驱动控制器优选器件方案
电动汽车电机驱动控制器主要由功率系统和控制系统两部分组成：功率系统接收电池的直流电能，逆变成三相交流电供给汽车电机；控制系统接收电机转速等信号并反馈到仪表盘，控制器控制功率系统的频率，从而达到加/减速的目的。由于应用领域的特殊性，要求控制器具有高效率、高适应性、高可靠性，以保证车辆稳定、安全运行。
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【产品】650V/30A绝缘栅双极型晶体管，适用于开关电路
RJP65T54DPM-A0是RENESAS（瑞萨）推出的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用了瑞萨公司的第七代IGBT技术，具有特有的沟槽栅极技术，并采用了薄化晶圆工艺，可应用在开关电路中。
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【产品】650V的绝缘栅双极型晶体管，集电极电流可高达200A
RENESAS瑞萨公司采用了自行研发的第七代IGBT技术制作了一款额定电流高达200A的绝缘栅双极型晶体管——RJP65S08DWA /RJP65S08DWS，其具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，可应用在逆变器中。
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【产品】650V/20A绝缘栅双极型晶体管，最大耗散功率为68.8W
瑞萨的RJP65T43DPM采用了瑞萨公司的第七代IGBT技术，具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄晶圆制造工艺，其额定电压650V、额定电流20A，反向传输电容典型值为26pF，可以应用在功率因数校正电路中。
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【产品】650V的绝缘栅双极型晶体管，集电极电流可高达100A
瑞萨的RJP65S04DWA/RJP65S04DWS栅极电荷总量典型值为225nC，开关开通延时仅为25ns，上升时间为35ns，适用于逆变器领域。
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