RJH1CV7DPK 1200V - 35A - IGBT Application: Inverter Datasheet
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
RJH1CV7DPK; RJH1CV7DPK-00#T0
本数据手册详细介绍了RJH1CV7DPK型1200V-35A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的技术规格与性能参数。该器件采用先进的沟槽栅极和薄晶圆技术，具备低集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)典型值为1.8V）和高速开关特性（下降时间tf典型值为280ns）的优势，能够有效提升系统效率。此外，该产品内置了快速恢复二极管（trr典型值为200ns），并拥有5μs的典型短路承受时间，在保障电路安全的同时简化了设计复杂度。资料还涵盖了完整的电气特性曲线及封装尺寸信息，主要适用于逆变器等电力电子应用场景。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可依托平台获取原厂授权的正品器件，利用专职FAE团队进行专业的选型指导、设计验证及调试支持。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas报废通知（SAF-B-20-0010）
17 December 2020
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| 数据手册 - 英文 |
RJH1CV7DPQ-E0 1200V-35A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.8.00
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| 数据手册 - 中文 |
RJH1CV7DPQ-E0 1200V - 35A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 规格书 数据手册
REV,5.00
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| 数据手册 - 英文 |
XK33L161L322L644i XK晶体振荡器（PROXO II）规格书附录
Rev.1.00
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| 数据手册 - 英文 |
用于RapidCharge™的IW9861超低待机功耗AC/DC数字准谐振反激式控制器产品概要
Rev.0.01
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| 产品勘误说明 - 英文 |
更正用户手册中的错误描述通知RL78/G16描述：硬件版本1.00更改技术更新（TN-RL*-A0126A/E）
Rev. 1.00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
添加对独占访问技术更新的限制（TN-RA*-A0098A/E）
Rev. 1.00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
对共享同一从机接口的外设进行连续总线访问期间的中断注意事项技术更新（TN-RA*-A0084B/E）
Rev. 2.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
集成电路用塑料封装
Rev 2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
HS300x-MCx系列，16.0 X 24.0 X 6.5 mm模块BD0封装外形图
Revision: 06
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
110-WBBGA 7.00 X 7.50 X 0.99 mm主体，0.65mm mm间距BV0110AA封装外形图
Revision: 00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
16.3 X 17.0 X 2.20 mm模块ML0100AB封装外形图
Revision: 00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
40-DSBGA 2.13 X 3.25 X 0.60 mm主体，0.40 mm间距AZR40D1封装外形图
Revision: 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
15-WLCSP 1.61 X 2.41 X 0.6 mm主体，0.4mm间距AHG15D1封装外形图
Revision: 01
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
20-WLCSP 1.565 X 1.825 X 0.50 mm，0.35mm间距AWQ20D1封装外形图
Revision: 04
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
RH1CM300 22.53 X 22.66 X 1.47 mm模块ML0138AA封装外形图
Revision: 00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
14-DFN 4.0 X 3.0 X 0.85 mm主体，0.5 mm间距NRG14S1封装外形图
Revision: 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
24-VFQFPN 4.0 X 4.0 X 0.9 mm主体，0.5mm间距NLG24P1封装外形图
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
NBG24S1 24-VFQFPN 4.0 X 4.0 X 0.75 mm主体，0.5mm间距封装外形图
Revision: 01
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
MOD1 10.00 X 9.00 mm主体，2.00mm间距，RAA2SM0005封装外形图
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
NCG8P1 8-DFN 2.0 X 3.0 X 0.75 mm主体，0.5mm间距封装外形图
Revision: 05
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
RYZ024A 16.3 X 17.0 X 1.90 mm模块封装外形图
Revision: 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
NBG8P5 8-DFN 2.0 X 2.0 X 0.9 mm，0.5mm间距封装外形图
Revision: 01
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
L32.3x5 32引脚倒装芯片薄型四方扁平无引脚封装（FCTQFN）外形图
Rev 0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
L16.3x3G 16引脚四方扁平无引脚塑料封装外形图
Rev 0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
L14.3X3 14引脚阶梯切割超薄四方扁平无引脚塑料封装（SCTQFN）外形图
Rev 0
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| 产品图纸 - 英文 |
PWQN0056KF-A外形图
2023/6/14
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| 产品图纸 - 英文 |
PRBG0552GC-A外形图
2023/3/3
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| 产品图纸 - 英文 |
PLBG0361KD-A外形图
2023/5/31
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| 产品图纸 - 英文 |
PLBG0359KA-A外形图
2023/5/31
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
PSC-4969-01封装外形图
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| 测试报告 - 英文 |
Renesas REAR56957AJSN SERISE REAR56957AJSN#HC1 REAR 56957JASN#YB1可靠性报告（Apr-22-H0053-A）
Apr. 17, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
Renesas Rear56957BGSM Serise Rear56957BGSM#HC0 Reral56957 BGSM#YB1 Reral56957 BGSM#YJ1 Reral 56957 bgsm#YK1可靠性报告（Apr-22-H0054-A）
Apr. 17, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
瑞萨REARS 56953AGSM SERISE REAR56953AGSM#HC0 REAR56953AGSM#YB1 REAR56953AGSM#YJ1 REAR 56953 AGSM#YK1可靠性报告（4月22日-H0048-A）
Apr. 17, 2023
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世强AI
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应用/方案
【产品】1200V-25A/30A/35A IGBT，集电极-发射极饱和压降1.8V，适用于逆变器
Renesas推出的RJH1CV5DPK、RJH1CV6DPK、RJH1CV7DPK绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，集电极到发射极的饱和电压极低，典型值为1.8V，降低了IGBT的总体损耗；具有独特的沟槽栅配置，以及薄化晶圆制造工艺，可以降低导通损耗及开关损耗；短路耐受时间典型值均为5µs，主要应用于逆变器等领域。
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【产品】1200V/35A的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72，可用于工业传动
Vincotech（威科）的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72，属于MiniSKiiP®PIM 2产品系列，芯片为IGBT M7，具有低VCEsat和增强EMC性能，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为35A，可应用于工业传动等领域。
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NFC智能锁
本文介绍了Renesas Electronics Corporation的NFC技术在智能锁应用中的解决方案。重点介绍了PTX105R NFC控制器，其高功率传输、高灵敏度、低功耗和与现有NFC设备的互操作性。此外，还讨论了NFC在智能锁中的挑战和PTX105R的优势，包括小尺寸、低成本、易于集成和固件更新。文章还涵盖了DA1469x系列微控制器和DA14695 SmartBond模块，它们为智能锁和其他应用提供了高度集成和低功耗的解决方案。
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【产品】扬杰科技发布1200V/10~35A IGBT PIM新品，P2、P3封装外形可选
扬杰科技发布了其IGBT PIM新品，产品有P2、P3两款封装外形，1200V，电流10A~35A，芯片参数稳定，一致性优异，采用环保物料，符合RoHS标准，主要用于电动驱动器、交直流伺服驱动放大器和不间断电源。
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【产品】1200V/35A flowPIM® E2产品系列PIM (CIB) IGBT功率模块，采用IGBT4芯片技术
全球领先的 IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech（威科）推出的10-E212PMA035SC-L188A48Z、10-EY12PMA035SC-L188A48T系列功率模块，击穿电压为1200V，芯片标称额定电流为35A。且产品拓扑结构都为PIM (CIB)，使用了Al2O3材料进行基础绝缘，主要用于工业驱动。
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SLG7RN46358参考设计
本资料提供SLG7RN46358元器件的时序图表和连接示例。图表展示了IN、UVLO_AtoD、ENABLE、GATE_A、GATE_B、GATE_C、GATE_D、RESET等终端的tON和tOFF时间。连接示例展示了VDD、GATE_A、GATE_B、GATE_C、GATE_D、UVLO、nRESET、SCL、SDA、GND等引脚的连接方式。资料强调所提供数据为模拟数据，未在实际机器上测试，需自行测试确保无缺陷。
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【产品】1200V/35A Sixpack拓扑结构 IGBT功率模块10-EZ126PA035SC-L859F48T
Vincotech公司推出10-EZ126PA035SC-L859F48T IGBT功率模块，击穿电压1200V/额定电流35A，采用Sixpack拓扑结构和IGBT4芯片技术，使用flow E1模块外壳，封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm，可用于工业驱动和UPS。
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【产品】1200V/35A Sixpack IGBT功率模块80-M212WPA035SC-K389F，适用于工业驱动
Vincotech公司推出IGBT功率模块80-M212WPA035SC-K389F，击穿电压1200V/额定电流35A，采用Sixpack拓扑结构和IGBT4芯片技术，使用MiniSKiiP® 2模块外壳，封装尺寸58.9 mm x 51.9 mm x 16 mm，适用于工业驱动。
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【产品】1200V/35A IGBT功率模块 80-M2126PA035M7-K717F70
Vincotech公司推出80-M2126PA035M7-K717F70 IGBT功率模块，属于MiniSKiiP® PACK 2产品系列，使用Sixpack拓扑结构和IGBT M7芯片技术，击穿电压1200V/额定电流35A，封装尺寸58.9 mm x 51.9 mm x 16 mm，可用于工业驱动。
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【产品】1200V/35A Booster IGBT功率模块10-PZ12B2A040MR01-M330L68Y
全球领先的 IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech（威科）推出的10-PZ12B2A040MR01-M330L68Y IGBT功率模块，属于flowBOOST 0 dual SiC产品系列。其击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为35A。该产品具有快速反向恢复时间、低导通电阻的优点，可应用在太阳能逆变器和电源应用中。
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【产品】1200V/35A flowPACK 1+R系列IGBT功率模块10-F112R6A035SC-M439E08
全球领先的IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech（威科）推出的10-F112R6A035SC-M439E08 IGBT功率模块，该产品击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为35A，且产品采用Sixpack+Rectifier拓扑结构和IGBT4芯片技术，易于并联，具有低关断损耗，专为能量再生应用设计。
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AN-CM-293 DC-DC过电流保护应用笔记
本应用笔记详细介绍了如何在SLG46585 DC/DC转换器中启用过流保护（OCP）功能，尤其是在输出电压为3V或3.3V时。笔记中包含了设计文件和电路图，解释了当输出电压设定为3V或3.3V时，如何通过特定的应用电路和内部设计电路来避免DC/DC转换器因过流保护而无法恢复的问题。此外，还讨论了如何通过计数器和延时功能来控制OCP事件，以及如何调整相关参数以适应不同的应用需求。
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