RJP60F0DPE 600 V - 2_代理商_研发采购服务

RJP60F0DPE 600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching Datasheet

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

RJP60F0DPE; RJP60F0DPE-00-J3

本数据手册详细介绍了RJP60F0DPE型600V-25A IGBT高速功率开关的技术规格与产品特性。该器件采用先进的沟槽栅极和薄晶圆技术，具备优异的电气性能，其集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）典型值仅为1.4V，有效降低了导通损耗。同时，该IGBT支持高速开关操作，下降时间（tf）典型值低至90ns，能够满足高频电力转换系统的效率需求。资料内容涵盖了该器件的详细电气特性、封装尺寸及订购信息，为工程师进行电路设计与选型提供了关键参考依据。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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加工定制

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资料平台

产品变更通知及停产信息 - 英文	Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）	下载
数据手册 - 英文	RJP60F0DPM 600 V-25 A-IGBT高速电源切换数据表 Rev.1.00	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	关于撤销瑞萨模具材料UL认证的补充通知（QA21-010） March 18, 2021	下载
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技术文档 - 英文	RJH60F5BDPQ-A0 600V-40A-IGBT高速功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJP60D0DPK硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍 Rev.3.00	下载
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数据手册 - 英文	RJK5012DPP-A0 500V-12A-MOS FET高速功率开关 Rev.1.00	下载
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数据手册 - 英文	RJH1CF7RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍 Rev.1.00	下载
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数据手册 - 英文	RJH1CF6RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍 Rev.1.00	下载
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技术文档 - 英文	RJP6065DPM硅n沟道IGBT高速功率开关 Rev.1.00	下载
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数据手册 - 英文	RJK0346DPA 30V，65A，2.0mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表 Rev.4.00	下载
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数据手册 - 英文	RJK0391DPA 30V，50A，2.9mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表 Rev.4.00	下载
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数据手册 - 英文	RJK4007DPP-M0硅N沟道MOSFET高速功率开关数据表 Rev.1.00	下载
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应用/方案

【产品】提供QSOP和SOIC封装的高速CMOS四路总线开关QS3125，最大耗散功率仅0.5W

瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出高速CMOS四路总线开关QS3125。器件提供一组四个高速低电阻CMOS开关，这些开关将输入连接到输出，而没有传播延迟，也不会产生额外的接地反弹噪声。单个使能端（/OE）用于打开开关。该器件不会给系统增加噪声，接地反弹，传播延迟或显著功耗，是信号和控制开关的理想选择。产品还可以用于模拟开关应用，例如视频等。

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【产品】2A双通道功率MOSFET驱动器，专有Turbo-Driver提供高速性能

Intersil（Renesas收购）推出的ISL89410、ISL89411和ISL89412具有匹配的上升和下降沿延迟时间，提供低输入阻拦和高抗噪性能，适用于开关电源、线路驱动器等应用中。

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3PEAK Releases High-speed Analog Switch TPD160221 with a Signal Switching Rate of up to 16Gbps

3PEAK has launched the high-speed analog switch TPD160221. The TPD160221 high-speed analog switch features a 3.3 V power supply, bidirectional low-latency 2:1 selection, and a switching speed of 16 Gbps. It is compatible with high-speed serial interface signals such as PCIe 3.0/4.0, DP 1.3/1.4, and USB 3.1/3.2.

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The 60V/1.8A N-channel MOSFET SL2308 with Fast Switching Speed, Low Power Consumption and High Reliability

The SL2308 is an N-channel MOSFET with a 60V drain-source voltage and a 1.8A continuous drain current. It features low on-state resistance (135mΩ@10V, 1.8A) and serves as a power electronic component known for its fast switching speed, low power consumption, and high reliability. These characteristics make it an ideal switch and signal processing component in electric balance scooter systems, especially in situations that demand high efficiency and precise control.

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Speedier Switching with Vincotech‘s flowPACK 1 1200 V Sixpack High-speed Power Module

Tipping the cost/performance scales in the right direction. A unique family of high-speed power modules is now available to boost efficiency and strike the best balance between costs and benefits. The flowPACK 1 1200 V sixpack features tandem diode technology and a high-speed IGBT.

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【产品】ROHM 800V高速开关型N沟道功率MOSFET，适用于开关

ROHM四款采用了超级结技术的高速开关型N沟道功率MOSFET，分别是R8002KND3、R8006KNX、R8002KNX、R8003KNX。该系列产品着重于高效率，可通过高速开关实现更高的性能，并且高速开关可以有效提高PFC和LLC电路的效率。

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