RJH1CV7DPQ-E0 1200V - 35A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 规格书 数据手册
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
RJH1CV7DPQ-E0#T2; RJH1CV7DPQ-E0
本数据手册详细介绍了RJH1CV7DPQ-E0型号绝缘栅双极晶体管（IGBT）的规格参数与技术特性。该器件基于沟槽栅与薄晶圆技术，具备1200V耐压与35A电流处理能力，专为逆变器等应用场景设计。其关键特性包括5μs的典型短路承受时间、1.8V的低集电极-发射极饱和电压，以及280ns的快速开关时间，有助于提升系统效率与可靠性。此外，该IGBT内置快速恢复二极管，反向恢复时间为200ns，并采用标准的TO-247封装形式。针对文中所述器件，[品牌]在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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可定制高压耐热绝缘电缆的材质：导体-镀锡/镀镍软铜线，绝缘体-架桥难燃PE/氟素树脂PFA，工作电压：300-600V，工作温度：150-200℃，阻燃对应UL:VW-1、FT1、-F-mark规格。
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| 数据手册 - 英文 |
RJH1CV7DPQ-E0 1200V-35A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.8.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）
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RJH60M1DPP-M0 600V - 8A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 数据手册
rev,3.00
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RJH60M3DPP-M0 600V - 17A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 数据手册
rev.3.00
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RJH60A83RDPP-M0 600V-10A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本 2.00
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RJH60V3BDPP-M0 600V - 17A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
rev.1.00
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RJH1CF6RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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RJH60M2DPE 600V - 12A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 数据手册
rev.3.00
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RJH1CF7RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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RJH60T4DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
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RJH60F6BDPQ-A0 600V-45A-绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
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RJP60F5DPM 600V - 40A - 绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本 2.00
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RJH60F0DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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RJH1DF7RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本 1.00
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RJH1CM7DPQ-E0 1200V-25A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本 4.00
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RJH60D7BDPQ-E0绝缘栅双极晶体管数据手册（中文）
Rev 2.00
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RJH60D5BDPQ-E0 600V-37A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本 2.00
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RJH60V2BDPP-M0 600V - 12A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 数据手册
rev.1.00
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RJH60F3DPQ-A0C硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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RJQ6015DPM 600V - 18A - 绝缘栅双极晶体管及二极管数据手册
1.00
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RJH60F6DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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RJH60V1BDPE 600 V - 8 A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 数据手册
rev.2.00
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RJH60D7DPQ-E0 600V-50A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
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RJH60F5DPQ-A0硅N沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关数据手册（中文）
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RJH1CM5DPQ-E0 1200V-15A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
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RJQ6003DPM 600V - 20A - 绝缘栅双极晶体管及二极管快速电源开关数据手册
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RJH60D7DPK 600V-50A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本4.00
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RJH60D1DPP-M0 600V-10A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
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RJH60D3DPP-M0 600V-17A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本4.00
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RJH60D5DPK 600V-37A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本4.00
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RJH60D7DPM 600V-50A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本3.00
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RJH60D2DPE 600V-12A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本4.00
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RJH1CM6DPQ-E0 1200V-20A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本 4.00
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RJH60D5DPM 600V-37A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本2.00
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RJH60D2DPP-M0 600V-12A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
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RJH60D0DPM 600V-22A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本3.00
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RJH60D1DPE 600V-10A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本4.00
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RJH60D0DPK 600V-22A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
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RJH60D3DPE 600V-17A-绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器
修订版本5.00
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技术论坛
Renesas RJH60F5DPQ N沟道绝缘栅双极晶体管的Vgs参数为30V，一般应用时驱动电平的经典值是多少呢？
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应用/方案
【产品】三款1200V-25A/30A/35A IGBT，短路承受时间5µs，适用于逆变器
Renesas推出的RJH1CV5DPQ-E0、RJH1CV6DPQ-E0、RJH1CV7DPQ-E0绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，集电极-发射极的饱和电压极低，典型值为1.8V，降低了IGBT的总体损耗；另外，其还具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，可以降低导通损耗及开关损耗；短路承受时间典型值为5µs，主要应用于逆变器等领域。
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【产品】600V/10A TO-220FL封装绝缘栅双极型晶体管 RJH60D1DPP-M0，短路耐受时间典型值为5us
瑞萨公司推出型号为RJH60D1DPP-M0的600V-10A-IGBT，短路耐受时间为5us，饱和电压低，内置快速恢复二极管，适合在逆变器中使用。
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【产品】内置快速恢复二极管，650V/50A绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）RJH65D27BDPQ-A，适用逆变器领域
Renesas推出的RJH65D27BDPQ-A0绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，其反向恢复时间典型值仅需80ns，反向恢复电荷典型值仅为0.35uC，具有较快的恢复速度，一定程度上保证了IGBT的开关速率；关于IGBT的电气参数，其集电极-发射极的饱和电压极低，典型值为1.3V；采用TO-247A封装，具有独特的沟槽栅极配置，可用于逆变器应用。
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【产品】650V/50A的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），针对电流共振应用进行了优化
RENESAS推出了一款针对电流共振应用进行了优化的绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）——RJH65T14DPQ-A0，具有独特的沟槽栅配置，以及薄化晶圆制造工艺，封装内置了快速恢复二极管，可应用于感应加热设备和微波炉等场合。集电极到发射极电压为650V，集电极电流为100A（TC=25℃）/50A（TC=100℃），集电极功耗为250W，可应对高压大功率电力系统的应用需求。
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【产品】650V/30A高速大功率绝缘栅双极型晶体管，集电极-发射极饱和电压仅为1.35V
RENESAS（瑞萨）公司制作了一款采用隔离封装的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RJP65T54DPM-A0，开通延迟时间td(on)典型值仅为31ns，上升时间tr典型值为22ns，关断延迟时间典型值为128ns，下降时间典型值为156ns。开通能量损耗典型值为0.47mJ，关断能量损耗典型值为1.04mJ，能量损耗极少，主要应用于电动工具，电动汽车动力系统，逆变电源，轨道交通等应用领域。
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【产品】600V/5A的绝缘栅双极型晶体管，采用单片二极管反向导通
RENESAS瑞萨公司推出了一款RJH60A01RDPD-A0绝缘栅双极型晶体管，额定电压为600V，额定电流为5A，VCC=300V，VGE=15V，IC=5A，Rg=5Ω情况下测得开关开通延迟仅为30ns，上升时间为10ns，关断延迟时间为40ns，下降时间为85ns，可应用于太阳能调节装置和不间断电源（UPS）以及调节器PFC，逆变器和摄像机频闪控制器等工业应用。
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【产品】1250V/30A大功率绝缘栅双极型晶体管，饱和电压仅为1.55V
RJP1CS23DWA/RJP1CS23DWS是RENESAS瑞萨公司推出了一款绝缘栅型双极型晶体管，采用了瑞萨公司的第七代沟槽IGBT技术，具有高达1250V的集电极到发射极电压，额定电流为30A，集电极到发射极饱和电压VCE(sat)=1.55V，可应用于太阳能调节装置和不间断电源（UPS）以及调节器PFC，逆变器，摄像机频闪控制器，工业应用等领域。
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【产品】1250V/200A大功率绝缘栅双极型晶体管，适于高压逆变器应用
RENESAS的绝缘栅型双极型晶体管RJP1CS08DWA / RJP1CS08DWS，采用了瑞萨公司的第七代IGBT技术，集电极到发射极电压高达1250V，具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，可应用在逆变器中。
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【产品】650V/30A绝缘栅双极型晶体管，适用于开关电路
RJP65T54DPM-A0是RENESAS（瑞萨）推出的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用了瑞萨公司的第七代IGBT技术，具有特有的沟槽栅极技术，并采用了薄化晶圆工艺，可应用在开关电路中。
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【产品】650V的绝缘栅双极型晶体管，集电极电流可高达200A
RENESAS瑞萨公司采用了自行研发的第七代IGBT技术制作了一款额定电流高达200A的绝缘栅双极型晶体管——RJP65S08DWA /RJP65S08DWS，其具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，可应用在逆变器中。
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