RJP60F4DPM 600 V - 3_代理商_研发采购服务

RJP60F4DPM 600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching Datasheet

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

RJP60F4DPM; RJP60F4DPM-00#T1

本数据手册详细介绍了RJP60F4DPM型600V-30A IGBT高速功率开关的技术规格与性能参数。作为一款采用沟槽栅极和薄晶圆技术的高速功率器件，该产品在集电极到发射极饱和电压方面表现优异，典型值仅为1.4V（测试条件为IC=30A，VGE=15V，Ta=25°C），有助于降低导通损耗并提升系统效率。资料内容涵盖了该器件的绝对最大额定值、详细的电气特性以及封装尺寸信息，为工程师进行电路设计与评估提供了权威参考。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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加工定制

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世强AI

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应用/方案

【产品】提供QSOP和SOIC封装的高速CMOS四路总线开关QS3125，最大耗散功率仅0.5W

瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出高速CMOS四路总线开关QS3125。器件提供一组四个高速低电阻CMOS开关，这些开关将输入连接到输出，而没有传播延迟，也不会产生额外的接地反弹噪声。单个使能端（/OE）用于打开开关。该器件不会给系统增加噪声，接地反弹，传播延迟或显著功耗，是信号和控制开关的理想选择。产品还可以用于模拟开关应用，例如视频等。

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【产品】2A双通道功率MOSFET驱动器，专有Turbo-Driver提供高速性能

Intersil（Renesas收购）推出的ISL89410、ISL89411和ISL89412具有匹配的上升和下降沿延迟时间，提供低输入阻拦和高抗噪性能，适用于开关电源、线路驱动器等应用中。

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3PEAK Releases High-speed Analog Switch TPD160221 with a Signal Switching Rate of up to 16Gbps

3PEAK has launched the high-speed analog switch TPD160221. The TPD160221 high-speed analog switch features a 3.3 V power supply, bidirectional low-latency 2:1 selection, and a switching speed of 16 Gbps. It is compatible with high-speed serial interface signals such as PCIe 3.0/4.0, DP 1.3/1.4, and USB 3.1/3.2.

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Speedier Switching with Vincotech‘s flowPACK 1 1200 V Sixpack High-speed Power Module

Tipping the cost/performance scales in the right direction. A unique family of high-speed power modules is now available to boost efficiency and strike the best balance between costs and benefits. The flowPACK 1 1200 V sixpack features tandem diode technology and a high-speed IGBT.

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【产品】ROHM 800V高速开关型N沟道功率MOSFET，适用于开关

ROHM四款采用了超级结技术的高速开关型N沟道功率MOSFET，分别是R8002KND3、R8006KNX、R8002KNX、R8003KNX。该系列产品着重于高效率，可通过高速开关实现更高的性能，并且高速开关可以有效提高PFC和LLC电路的效率。

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产品概述NGTB30N60FLWG:IGBT，600 V，30 A，FS1太阳能/UPS

NGTB30N60FLWG是一款600V、30A的IGBT，采用Trench结构，适用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等应用。该器件具有低饱和电压、低开关损耗、软恢复二极管和高速开关特性，可降低系统功耗。

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