RJH1CF7RDPQ-80 Silic_代理商_研发采购服务

RJH1CF7RDPQ-80 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Datasheet

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

RJH1CF7RDPQ-80; RJH1CF7RDPQ-80-T2

本数据手册详细介绍了RJH1CF7RDPQ-80型号硅N沟道IGBT高速功率开关的技术规格与产品特性。该器件专为电压谐振电路设计，集成了单片体二极管，具备反向导通功能，特别适用于高效感应加热设备。在电气性能方面，该IGBT具有低集电极到发射极饱和电压，门极到发射极电压额定值为±30V，并采用无铅铅锡板工艺及TO-247封装形式。资料涵盖了其关键电气特性、封装尺寸及订购信息，为工程师进行高频功率开关设计提供了重要参考。针对该型号器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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加工定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

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可定制车载智能天线频率：20kHz、114.5 kHz、120- kHz、125 kHz、134 kHz、134.2kHz、134.5 kHz；工作温度范围：-40ºC to ~125ºC；电感范围：100~734；符合AEC-Q200（汽车质量标准）和IP68标准；

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数据手册 - 英文	RJH60F6DPQ-A0 600 V-45 A-IGBT高速电源切换数据表 Rev.2.00	下载

世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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应用/方案

【产品】提供QSOP和SOIC封装的高速CMOS四路总线开关QS3125，最大耗散功率仅0.5W

瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出高速CMOS四路总线开关QS3125。器件提供一组四个高速低电阻CMOS开关，这些开关将输入连接到输出，而没有传播延迟，也不会产生额外的接地反弹噪声。单个使能端（/OE）用于打开开关。该器件不会给系统增加噪声，接地反弹，传播延迟或显著功耗，是信号和控制开关的理想选择。产品还可以用于模拟开关应用，例如视频等。

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【产品】2A双通道功率MOSFET驱动器，专有Turbo-Driver提供高速性能

Intersil（Renesas收购）推出的ISL89410、ISL89411和ISL89412具有匹配的上升和下降沿延迟时间，提供低输入阻拦和高抗噪性能，适用于开关电源、线路驱动器等应用中。

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3PEAK Releases High-speed Analog Switch TPD160221 with a Signal Switching Rate of up to 16Gbps

3PEAK has launched the high-speed analog switch TPD160221. The TPD160221 high-speed analog switch features a 3.3 V power supply, bidirectional low-latency 2:1 selection, and a switching speed of 16 Gbps. It is compatible with high-speed serial interface signals such as PCIe 3.0/4.0, DP 1.3/1.4, and USB 3.1/3.2.

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The 60V/1.8A N-channel MOSFET SL2308 with Fast Switching Speed, Low Power Consumption and High Reliability

The SL2308 is an N-channel MOSFET with a 60V drain-source voltage and a 1.8A continuous drain current. It features low on-state resistance (135mΩ@10V, 1.8A) and serves as a power electronic component known for its fast switching speed, low power consumption, and high reliability. These characteristics make it an ideal switch and signal processing component in electric balance scooter systems, especially in situations that demand high efficiency and precise control.

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Speedier Switching with Vincotech‘s flowPACK 1 1200 V Sixpack High-speed Power Module

Tipping the cost/performance scales in the right direction. A unique family of high-speed power modules is now available to boost efficiency and strike the best balance between costs and benefits. The flowPACK 1 1200 V sixpack features tandem diode technology and a high-speed IGBT.

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【产品】ROHM 800V高速开关型N沟道功率MOSFET，适用于开关

ROHM四款采用了超级结技术的高速开关型N沟道功率MOSFET，分别是R8002KND3、R8006KNX、R8002KNX、R8003KNX。该系列产品着重于高效率，可通过高速开关实现更高的性能，并且高速开关可以有效提高PFC和LLC电路的效率。

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