2N718A 2N1613 2N1613L TECHNICAL DATA SHEET
发布时间:
2018-08-01
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
2N718A; 2N1613; 2N1613L
本数据手册详细介绍了Microsemi公司生产的NPN低功耗硅晶体管2N718A、2N1613及2N1613L的技术规格。资料全面阐述了这些器件的绝对最大额定值,涵盖集电极-发射极电压、集电极-基极电压、集电极电流及总功耗等关键参数,并明确了工作与存储结温范围及热阻指标。在电气特性方面,手册详细列出了开启特性、关断特性、动态特性及开关特性,为电路设计提供精准的数据支持。此外,资料还包含TO-18、TO-39、TO-5等多种封装类型的尺寸信息,满足不同应用场景的物理布局需求。Microsemi在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/181标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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| 数据手册 - 英文 |
NPN低功率硅晶体管2N918技术数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/253标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/182标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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2N3439至2N3440 NPN低功耗硅晶体管
Rev. 4
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2N3439L至2N3440L NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1
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2N3019低功率NPN硅晶体管
Rev. 2
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符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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抗辐射NPN低功率硅晶体管2N3439技术数据表
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700 Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700UB Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/225
2017/12/04
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TECHNICAL DATA NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/368
2017/12/13
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符合MIL-PRF-19500/391JANS_2N3019和JANS_2N3019S标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev.3
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2N3439UA至2N3440UA NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1 (111683)
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| 数据手册 - 英文 |
2N3439U4至2N3440U4 NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1 (111617)
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| 数据手册 - 英文 |
NPN硅低功率晶体管2N2484UA技术数据表
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
2N3700低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
2N3057A低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1 (121562)
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| 数据手册 - 英文 |
2N3700UB低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
2N3019S低功耗NPN硅晶体管,符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313
2017/12/05
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| 数据手册 - 英文 |
TECHNICAL DATA NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376
2017/12/05
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| 数据手册 - 英文 |
MRF517射频和微波分立小功率晶体管
2018/01/19
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/343 2n2857UB标准的RF和微波分立低功率晶体管
Rev.1
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| 数据手册 - 英文 |
2N3866/2N3866射频和微波分立低功耗晶体管
2017/12/13
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| 数据手册 - 英文 |
扬斯_2N3057A
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
2N3866/2N3866A射频和微波分立低功耗晶体管
January 2009
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| 数据手册 - 英文 |
2N2857号
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
LX7730 64位空间模拟输入遥测控制器
rev 2.4
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| 数据手册 - 英文 |
PD70100/PD70200 IEEE 802.3af/AT PD前端IC
Revision 3.0
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
Libero®SoC V2021.1发行说明
Revision F
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| 数据手册 - 英文 |
MSCSM70VM19C3AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
Revision 1.0
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
CoreSmartbert v2.6发行说明
Revision 7.0
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| 测试报告 - 英文 |
M2S050材料申报数据表
Revision No. 2
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| 测试报告 - 英文 |
19T-RTAX2000S-CQ352-DFJCN1总电离剂量试验报告
Rev. 0
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| 技术文档 - 英文 |
CN19031 PolarFire FPGA Quad0/PCIE1
December 18,2019
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技术论坛
我司设计一款并卷机电机驱动器,原整流桥设计了MICROSEMI MSD75-16
正在导入第二供应商,请推荐性能相当的整流桥。
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应用/方案
STPower SiC MOSFET:高压开关领域的真正突破
ST的STPOWER SiC MOSFET在高压开关领域实现突破,采用宽禁带材料,具有极低的开关损耗和低功率损耗。产品包括650V和1200V系列,适用于牵引逆变器、电动汽车充电站、光伏、工厂自动化、电机驱动和数据中心电源等应用。这些产品具有高温度额定值、高效能和紧凑设计,可降低被动元件尺寸和成本,提高系统效率。与硅晶体管相比,STPOWER SiC MOSFET在高温下具有更低的开关损耗,适用于更高开关频率,减少无源元件尺寸。
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【产品】TO-92封装的NPN/PNP硅晶体管SBC337、SBC327,彼此互补配对,适用于高电流应用与开关应用
硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多重功能,常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高,响应速度快,准确性高;耐压范围大,结实可靠。AUK(KODENSHI旗下)推出的NPN硅晶体管SBC337,PNP硅晶体管SBC327,适用于高电流应用,开关应用等应用场景,适用于AF驱动级和低功率输出级。
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SiC MOSFET:高压开关领域的真正突破
ST公司推出的SiC MOSFET在高压开关领域实现突破,具有非常低的开关损耗和低功率损耗,适用于工业和汽车应用。这些器件具有高耐温性,可提高系统效率,减少冷却需求,并实现小型化设计。与硅晶体管相比,SiC MOSFET在高温下的开关损耗显著降低,适用于高开关频率,有助于减小无源元件尺寸。
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【产品】采用SOT-23F封装的硅晶体管BC808F、BC818F,适用于高电流应用以及开关应用
硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波,整流,放大等多重功能。晶体管开关具有频率高,响应速度快,准确性高等特点。AUK(KODENSHI旗下)推出的PNP硅晶体管BC808F,NPN硅晶体管BC818F适用于高电流应用以及开关等应用,适用于AF驱动级和低功率输出级。
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基于RISC-V的PolarFire®SoC入门:FPGA网络研讨会系列会议14 ReNode中的PolarFire SoC Icicle套件模型
本资料介绍了基于RISC-V的PolarFire®SoC FPGA的Webinar系列,特别是第14场关于Renode Icicle Kit Model的讨论。内容包括SoftConsole v6.3的发布,其中包含Renode v1.9.0和Icicle Kit模型,以及模型名称的更新。资料详细介绍了Renode Icicle Kit Model的功能和特性,包括对eMMC、SD、USB、MAC、SPI、CAN、I2C、DDR等组件的支持,以及MSS I/Os和PCIe接口。此外,还提到了当前传感器模型的开发进度和未来计划。
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Libero®SoC V12.1及更高版本SmartTime静态时序分析仪用户指南
本资料为Microchip Technology Inc.提供的Libero® SoC v12.1及以后版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。指南详细介绍了SmartTime的功能和操作方法,包括设计流程、设置配置、时序分析、生成时序报告等。SmartTime工具用于可视化设计中的时序问题,评估时序要求,创建自定义时序集,设置时序异常,以及定义与其他工具的交叉探针路径。指南涵盖了时序分析的基本概念、高级时序分析、时序报告生成等方面,旨在帮助用户有效地进行时序分析和设计验证。
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Libero®SoC V12.3及更高版本SmartDesign用户指南
本文档介绍了Microchip的SmartDesign工具,这是一个基于视觉块的设计创建和输入工具,用于实例化、配置和连接Microchip IP核、用户生成IP核、自定义和胶水逻辑HDL模块。SmartDesign提供了一个类似于面包板的画布,用于将各种设计组件连接在一起。最终结果是一个经过设计规则检查和自动抽象的合成准备好的HDL文件。SmartDesign可以生成整个FPGA设计或可重用的大设计中的组件子系统。文档涵盖了SmartDesign的画布布局、设计流程、组件实例化、连接、生成设计以及用户操作等方面。
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【产品】集电极功耗仅200mW的硅晶体管BC817F、BC807F,适用于AF驱动级和低功率输出级
AUK作为KODENSHI(可天士)旗下品牌,专注于硅半导体,化合物半导体等领域,向全球提供国际水准的核心器件,广泛应用于家用电器,IT产品等数码技术产品。其中,硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波,整流,放大等多重功能。晶体管开关具有频率高,响应速度快,准确性高等特点。BC807F,BC817F适用于高电流应用以及开关等应用以及AF驱动级和低功率输出级。
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Libero®SoC V2021.1 SmartTime静态时序分析仪(STA)用户指南
本资料为Libero® SoC v2021.1版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。主要内容包括SmartTime的功能介绍、设计流程、设置配置、时序分析、高级时序分析、时序报告生成、时序概念解释、教程、对话框操作、Tcl命令、术语表、修订历史和客户支持信息。SmartTime工具用于可视化识别设计中的时序问题,评估时序要求,创建自定义时序报告,并与其他工具定义交叉探针路径。
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FlashPro用户指南软件v11.9
FlashPro用户指南主要介绍了Microsemi公司开发的FlashPro编程软件工具,该工具用于SmartFusion2、IGLOO2、RTG4、SmartFusion、IGLOO、ProASIC3和Fusion等设备的编程。指南涵盖了软件的安装、使用、功能特点、编程设置、操作流程以及故障排除等内容。FlashPro支持多种编程功能,包括自动链路构建、非Microsemi BSDL文件导入、多设备链路编程和串行化、生成STAPL、SVF和IEEE 1532文件等。指南还提供了详细的操作教程和故障排除信息,以帮助用户有效地使用FlashPro进行设备编程。
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FlashPro Express用户指南软件v11.9
本指南详细介绍了Microsemi的FlashPro Express编程工具,旨在解决生产编程环境中的安全编程保证问题。FlashPro Express支持多种Microsemi器件,包括SmartFusion2、IGLOO2、RTG4、SmartFusion、IGLOO、ProASIC3、Fusion和ProASICPLUS,并提供两种安装方式:集成于Libero或作为独立安装。指南涵盖了软件和硬件的安装、用户界面、编程设置、链编程、TCL命令以及故障排除等内容。
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