Microsemi POWER PRODUCTS GROUP APT100GN120JDQ4 1200V, 100A, VCE(ON) = 1.7V Typica
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT100GN120JDQ4
本数据手册详细介绍了Microsemi旗下APT100GN120JDQ4型IGBT的技术规格与应用特性。该器件是一款1200V、100A的绝缘栅双极型晶体管，采用最新的场截止和沟槽栅技术，具备超低VCE(ON)特性，典型值仅为1.7V，能够显著降低导通损耗，特别适用于对能效要求严苛的低频应用场景。在设计与可靠性方面，该产品内置栅极电阻，有助于降低电磁干扰（EMI）并提升系统运行的稳定性，即使在短路故障情况下也能保持可靠运行；同时，其低栅极电荷特性简化了栅极驱动电路设计，且器件易于并联，方便用户进行系统扩容。该产品符合RoHS环保标准，广泛应用于焊接设备、电磁加热、太阳能逆变器、开关模式电源（SMPS）、电机驱动以及不间断电源（UPS）等领域。针对文中所述器件，Microsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT10035B2FLL(G) APT10035LFLL(G) 1000V 28A 0.37 Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT10090BFLL APT10090SFLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32
Rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT10090BLL APT10090SLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 MOSFET
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
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| 数据手册 - 英文 |
APT100GT60B2R（G）APT100GT60LR（G）600V，100A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT1004RKNG 1000V 3.6A 4.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev D
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APT1004RBN 1000V 4.4A 4.00ΩAPT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT10045B2FLL(G) APT10045LFLL(G) 1000V 23A 0.46Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev D
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APT1001RBNR 1000V 11.0A 1.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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APT1001R1BNG 1000V 10.5A 1.10N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev D
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1200V APT100GN120B2 APT100GN120B2G*
Rev A
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APT100D60B2 600V 100A超快软恢复整流二极管
Rev A
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APT100D60BG 600V 100A超快软恢复整流二极管
Rev A
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APT1001RBN 1000V 11.0A 1.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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APT100GLQ65JU3
Rev 0
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APT100GLQ65JU2
Rev 0
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APT10026JFLL 1000V 30A0.28 Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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APT10030L2VFR 1000V 33A 0.300Ω POWER MOS V® FREDFET
Rev A
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APT100GT120JU2 ISOTOP®升压斩波器沟槽式+场截止IGBT3
Rev 4
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APT100F50J 500V，103A，0.036Ω（最大值），trr≤390ns n沟道FREDFET
Rev C
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APT10045JFLL 1000V 21A 0.46 Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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APT100GT60JRDQ4 600V，100A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT10050JN 1000V 20.5A 0.50ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev F
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APT100GT120JU3 ISOTOP®降压斩波器沟槽式+场截止IGBT3
Rev 2
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APT100GT60JR
Rev B
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APT100M50J 500V、103A、0.036Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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APT10043JVR 1000V 22A 0.430Ω POWER MOS V®
Rev B
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APT10030L2VR 1000V 33A 0.300Ω POWER MOS V® MOSFET
Rev A
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APT10025JVFR 1000V 34A 0.250Ω POWER MOS V®
Rev A
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APT10053LNR 1000V 20.0A 0.53N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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APT1003RKLLG 1000V 4A 3.00Ω功率MOS 7®MOSFET
Rev B
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APT10026L2FLL 1000V 38A 0.260Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev A
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APT100GT120JRDL
Rev C
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APT100GT120JR
Rev B
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APT15D120BG数据表超快软恢复整流二极管
Revision C
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APT100GT120JRDQ4
Rev D
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ISOTOP®升压斩波器SiC MOSFET+SiC斩波器二极管电源模块APT100MC120JCU2
Rev.2
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APT100DL60HJ ISOTOP®快速二极管全桥电源模块
Rev 1
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APT30DQ100BG数据表超快软恢复整流二极管
Revision D
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世强AI
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应用/方案
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Microsemi的PoE中继器助力客户满足不断增长的无线网络需求。Dustin公司帮助其客户在多个校园内部署无线网络，采用Microsemi的6500和9000系列中继器，实现180个位置的无线网络覆盖，显著提高无线性能，同时降低安装和配置时间，使网络基础设施的回报率超过8年。
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