RJE0603JPE Silicon _代理商_研发采购服务

RJE0603JPE Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching Datasheet

发布时间： 2018-08-01

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

RJE0603JPE; RJE0603JPE-00-J3

本数据手册详细介绍了RJE0603JPE硅P沟道MOSFET系列功率开关的初步规格与技术特性。该器件专为高可靠性功率开关设计，具备卓越的过温保护机制，能够实时感知结温并在过功耗或过电流等高结温情况下自动关闭栅极电压，从而有效防止系统损坏。其核心特性包括高短路耐久性、内置过温关断电路、闩锁型关断操作（需零电压恢复）以及内置电流限制电路，这些功能共同确保了器件在复杂电气环境下的稳定运行与安全防护。针对文中所述器件，Rohm在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。

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数据手册 - 英文	HAF1010RJ硅P沟道MOSFET系列功率开关 Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0608JSP 60V-5A-N沟道MOS FET功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RQJ0302NGDQA硅P沟道MOS FET功率开关数据表 Rev.6.00	下载
技术文档 - 中文	RJH60F0DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RQJ0303PGDQA硅P沟道MOS FET功率开关数据表 Rev.6.00	下载
技术文档 - 中文	RJH60F6BDPQ-A0 600V-45A-绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RQJ0304DQDQA硅P沟道MOS FET功率开关数据表 Rev.3.00	下载
技术文档 - 中文	RJH1CF6RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	HAT11111C-60V，-2A，307mΩ最大硅P沟道MOS FET功率开关 Rev.8.00	下载
技术文档 - 英文	微电路，线性，直流/直流电源开关稳压器，单片硅 REV A	下载
数据手册 - 英文	RBN75H65T1FPQ-A0 650V-75A-IGBT电源开关 Rev.1.20	下载
技术文档 - 中文	RJH1CF7RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RBN40H65T1FPQ-A0 650V-40V-IGBT电源开关 Rev.1.20	下载
技术文档 - 中文	RJH60F6DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RBN50H65T1FPQ-A0 650V-50A-IGBT电源开关 Rev.1.20	下载
技术文档 - 中文	RJH60F3DPQ-A0C硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RBN75H125S1FP4-A0 1250V-75V-IGBT电源开关 Rev.1.40	下载
技术文档 - 英文	RJF0611DPE硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RBN25H125S1FPQ-A0 1250V-25V-IGBT电源开关 Rev.1.40	下载
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数据手册 - 英文	RBN40H125S1FPQ-A0 1250V-40V-IGBT电源开关 Rev.1.40	下载
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数据手册 - 英文	RJQ6008BDPM 600V-6A-IGBT功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJQ6008BDPM 600V-6A-IGBT功率开关 Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0612JPE 60V-50A-N沟道热场效应晶体管电源开关 Rev.2.00	下载
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技术文档 - 英文	RJF0604DPD 60V、5A硅n沟道热场效应晶体管电源开关 Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0354DSP硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.2.00	下载
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数据手册 - 英文	RJK0656DPB 60V，40A，5.6mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0611JPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	RBN40H65T1FPQ-A0 650V-40A-IGBT电源开关 Rev.1.21	下载
技术文档 - 英文	RJF0612DPE 60V-50A-N沟道热场效应晶体管电源开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0455DPB 40V，45A，3.8mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.3.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0611DPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0332DPB-01硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.5.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0605JPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.3.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0655DPB 60V，35A，6.7mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0605DPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0301DPB-02 30V，60A，2.8mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.9.01	下载
技术文档 - 英文	2SJ60，2SJ161，2SJ162硅P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	RBN75H125S1FP4-A0 1250V-75A-IGBT电源开关 Rev.1.41	下载
数据手册 - 英文	RJK0454DPB 40V，40A，4.9mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.3.00	下载

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应用/方案

【产品】1500V/2.5A适用于高速电源开关设计的N沟道MOSFET 2SK1317

Renesas公司推出的一款N沟道MOSFET产品——2SK1317-E，支持高速开关操作，具备高击穿电压、无二次击穿、低驱动电流以及出色的温度稳定性，其漏源电压VDSS为1500V，沟道的上限温度为150℃，漏极电流低至2.5A，非常适用于高速电源开关、开关稳压器、DC-DC转换器以及电动机驱动器等应用的设计。

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【应用】具备快速开关速度的双路SPST单电源开关用于无线应变计系统开关设计，泄漏电流低至8nA

针对无线应变计中的开关模块，本文推荐采用Intersil（Renesas收购）公司推出的一款双路SPST单电源开关ISL54061，采用+1.8V~+6.5V的单电源供电，导通电阻可低至0.56Ω，功耗低至8nA，并且具备快速的开关速度，采用微型10Ld 1.8mmx1.4mm μTQFN或10Ld 3mmx3mm TDFN封装，可有效满足无线应变计的低功耗和小尺寸需求。

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【产品】适用于照明/加热器应用的硅N沟道MOSFET电源开关RJF0605JPD、RJF0605DPD

RJF0605JPD和RJF0605DPD是Renesas公司生产的两款硅N沟道MOSFET系列电源开关，适用于照明/加热器应用，以及动力总成应用和24V电池系统应用。两者都采用相同的DPAK(S)封装，引脚兼容标准功率MOSFET封装。

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【应用】高转化效率的DC/DC电源开关稳压器，助力雷达/声呐系统电源管理

Intersil（Renesas子公司）生产的ISL8560MR，是一款降压型DC/DC电源开关稳压器，采用内功率DMOS晶体管，具备非常高的效率和开关速度。

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【产品】应用于稳压电池系统的硅P沟道MOSFET电源开关芯片HAF1010RJ

Renesas公司的硅P沟道MOS FET系列电源开关芯片HAF1010RJ，可检测结温，在栅极区内置有过热关断电路用于过热保护。

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东南电子应用在打印机上的KDC-A04电源开关

东南电子的KDC-A04电源开关可用于打印机电源控制，具备高分断可靠性、大电流承受能力和长寿命等特点。

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SLG47004可靠的电源开关，带有用于隐私应用的离线存储器

本应用笔记介绍了如何设计并构建一个可靠的带离线内存的电源开关，适用于隐私应用。该开关即使在断电后也能记住其状态，并具有LED指示灯和故障监控系统。如果LED故障（断路或短路），开关将关闭。应用笔记包含一个设计文件，可在参考资料部分找到。该设计使用SLG47004芯片，具有数字电位器和内置内存，能够在断电后保持状态。此外，设计还包括LED监控和低功耗特性，适用于电池供电设备。

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