IRGP4072DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
IRGP4072DPbF; IRFPE30
本数据手册详细介绍了IRGP4072DPbF绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及其配套的超快软恢复二极管。该器件采用低VCE（ON）沟槽IGBT技术，具备低开关损耗、高效率及坚固的瞬态性能，能够适应宽范围的开关频率并降低电磁干扰（EMI）。资料重点阐述了产品的关键特性，包括最大结温达150°C、典型VCE（ON）为1.46V、紧密的参数分布以及100%测试夹紧电感负载的可靠性。此外，该产品采用无铅封装，符合环保要求，主要应用于不间断电源、电池供电车辆、焊接设备以及太阳能转换器和逆变器等领域。针对文中所述器件，英飞凌（Infineon）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IRGP6650DPbF和IRGP6650D EPbF
November 14, 2014
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至SUPER-27AA（SUPER-27AA）至SUPER-27AA（SUPER-27AA-274）
37
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至SUPER-27AA（SUPER-27AA）至SUPER-27AA（SUPER-27AA-274）
VER.37
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IRGP4078DPbF IRGP4078D-EP绝缘栅双极晶体管，带超低VF二极管，用于感应加热和软开关应用
July 17, 2014
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带超快软恢复二极管的IRGP6630DPbF IRGP6630D EPbF绝缘栅双极晶体管
November 14, 2014
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带超快软恢复二极管AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E的绝缘栅双极晶体管
12/14/11
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绝缘栅双极晶体管
August 22, 2014
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绝缘栅双极晶体管
August 22, 2014
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汽车级AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1-E
May 02,2013
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绝缘栅双极晶体管IRGP4266PbF IRGP4266 EPbF
August 22, 2014
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汽车级AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E
July 12,2013
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IRGP4063D1PbF IRGP4063D1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
June 24, 2013
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IRGB4062DPbF IRGP4062DPbF IRGP4062D带超快软恢复二极管的EPbF绝缘栅双极晶体管
July 17,2013
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绝缘栅双极晶体管IRGP4069PbF IRGP4069 EPbF
10/02/09
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汽车级AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1-E
May 02,2013
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绝缘栅双极晶体管IRGP4640PbF IRGP4640 EPbF
October 29,2013
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绝缘栅双极晶体管IRGP4066PbF IRGP4066 EPbF
10/8/2010
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汽车级AUIRGP35B60PD
05/10/11
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lRGP4660DPbF lRGP4660D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
November 17, 2014
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| 技术文档 - 英文 |
汽车级AUIRGPS4067D1
09/27/2012
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绝缘栅双极晶体管IRGP4263PbF IRGP4263 EPbF
August 21, 2014
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绝缘栅双极晶体管IRGP4063PbF IRGP4063 EPbF
06/30/09
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SMPS IGBT IRGP50B60PD1PbF WARP2系列带超快软恢复二极管的IGBT
7/25/08
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汽车级AUIRGP65G40D0 AUIRGF65G40D0
September8,2015
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用标准控制芯片为mosfet和igbt产生负栅偏压
2017/11/05
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具有超快软恢复二极管的绝缘栅双极晶体管IRGB4630DPbF IRGIB4630DPbF IRGP4630D（-E）PbF
2015-11-23
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汽车级AUIRGP35B60PD-E
01/11/10
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具有超快软恢复二极管的绝缘栅双极晶体管IRGB4620DPbF IRGIB4620DPbF IRGP4620D（-E）PbF
2015-11-23
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IGBT或MOSFET：明智的选择
2017/11/02
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| 数据手册 - 英文 |
汽车级AUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0
October 10, 2014
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| 数据手册 - 英文 |
绝缘栅双极晶体管IRGP4062 EPbF
October 10,2012
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带超快软恢复二极管的IRGP30B120KD-EP绝缘栅双极晶体管
5/29/2014
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绝缘栅双极晶体管IRGPS40B120以上
03/15/05
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绝缘栅双极晶体管IRGP20B120U-EP
09/14/04
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IRGP20B120UD-EP UltraFast CoPack IGBT
7/28/04
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汽车级AUIRFP4310Z
2015-9-29
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使用单片高压门驱动器
2017/11/04
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lRGPS46160DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFASTSOFT RECOVERY DIODE
November 14, 2014
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在电机驱动和UPS系统的PWM逆变器中使用HEXFET III
2018/02/12
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红外焦平面4868PBF
2017-06-21
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红外焦平面4868PBF
October 30, 2012
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
梅鲁斯™ D级音频解决方案更凉爽、更小、更轻的扩音器，适用于音质卓越的音频产品
Infineon的MERUS™系列D类音频解决方案提供高效、紧凑的音频放大器，适用于便携式、家用和专业音频设备。这些解决方案包括集成多级音频放大器IC、多芯片模块（MCM）和离散音频放大器驱动IC，旨在提高音频性能、降低功耗并简化设计。MERUS™产品利用专利架构、专有算法和先进制造技术，提供卓越的音频体验和可靠性。
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Cres最小化产生的“仅正”门极驱动IGBT
本文介绍了国际整流器公司开发的一种新型“仅正电压”栅极驱动IGBT。该IGBT通过降低Cres寄生电容和JFET效应，提高了在高dv/dt条件下的性能。与传统负栅极驱动IGBT相比，该新型IGBT在相同dv/dt条件下，dv/dt感应导通电流降低了21倍。这使得该IGBT能够与高压IC栅极驱动器兼容，并适用于未来更高dv/dt拓扑设计。
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IGBT特性
本文详细介绍了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性，包括其与功率MOSFET的互补性、硅结构、导通特性、开关特性、闩锁现象、安全工作区、跨导以及如何阅读数据手册。文章还讨论了国际整流器（IR）的IGBT技术，包括不同硅结构的特点和应用，以及如何选择适合特定应用的IGBT。此外，文章还提供了关于热阻、电气特性、开关特性、器件电容、转移特性和反向偏置安全工作区（RBSOA）的详细信息。
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IGBT特性
本应用笔记主要讨论了IGBT功率电路设计过程中遇到的一些主要问题，包括门极驱动要求、开关轨迹和安全工作区、导通损耗、硬开关损耗、导通和开关损耗之间的权衡、热设计、用IGBT替换MOSFET以及并联指南。内容涵盖了IGBT的特性、开关损耗、热设计以及与MOSFET的对比等方面。
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应用说明AN-1005功率MOSFET雪崩设计指南
本文详细介绍了IR HEXFET Power MOSFET的雪崩模式及其设计指南。文章首先定义了雪崩模式，并分析了其在工业应用中的发生情况，如反激转换器和汽车燃油喷射线圈。接着，文章讨论了雪崩失效模式、功率MOSFET器件物理特性以及坚固MOSFET的设计和评级。此外，文章还详细介绍了雪崩测试的细节，包括单脉冲未钳位电感开关和去耦VDD电压源测试电路。最后，文章对比了不同的雪崩评级方法，包括热极限方法、统计方法和无评级，并强调了理解不同供应商的雪崩评级条件的重要性。
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5～10kva变换器用igbt传导电磁干扰性能的实验与仿真研究
本文研究了IGBT在5-10 kVA转换器中的传导电磁干扰（EMI）性能。通过实验和模拟，分析了不同测试电路中IGBT的传导EMI，并从特殊开发的模型中解释了共模和差模干扰的预测结果。研究结果表明，IGBT的干扰谱与半导体结构无关，主要干扰源是续流二极管的反向恢复电流。通过模拟模型分析，可以确定更好的配置以减少干扰。实验结果表明，改进的模块可以降低EMI。
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MOSFET失效模式在零电压开关全桥开关电源中的应用
本文探讨了在零电压切换（ZVS）全桥转换器应用中MOSFET的失效模式。文章分析了ZVS拓扑中MOSFET的失效原因，包括体二极管的反向恢复问题和高负载下的硬开关问题。针对这些问题，文章提出了新的MOSFET技术，具有快速反向恢复时间、低导通电阻和良好的dv/dt鲁棒性，适用于高频、高功率的ZVS应用。
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