IRG7PH35UDPbF IRG7PH35UD-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IR HiRel
型号：
IRG7PH35UDPbF; IRG7PH35UD-EP; IRGP30B120KD-E
本数据手册详细介绍了IRG7PH35UDPbF及IRG7PH35UD-EP型号绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及其共封装超快软恢复二极管的技术参数与应用特性。该器件采用低VCE（ON）沟槽IGBT技术，具备低开关损耗、高效率及正VCE（ON）温度系数等显著优势，并拥有平方反向偏置安全工作区（RBSOA）和紧密的参数分布。所有部件均经过ILM测试，且符合无铅环保标准。资料全面阐述了产品的电气特性、开关性能、热阻指标、封装尺寸及标记信息，明确指出该产品适用于不间断电源（U.P.S.）、焊接设备及太阳能逆变器等多种工业应用场景。Infineon（英飞凌）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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