Package outline AG-ECON03-4-1
发布时间：
2018-08-02
类型：
封装信息/封装结构图，封装图、外形尺寸图
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
FS75R17KE3
本数据手册详细介绍了Infineon Technologies AG旗下型号为FS75R17KE3的器件，重点展示了AG-ECONO3-4-1封装的轮廓图及电路图。资料明确指出，所提供的信息不作为产品保证条件或特性的依据，且不对任何示例、提示或典型值承担任何形式的保证或责任。该文档内容仅供技术熟练人员参考，并要求客户技术部门对产品的适用性及信息完整性进行独立评估。此外，资料特别包含安全警告，强调产品可能含有危险物质，且未经Infineon Technologies明确书面批准，其产品不得用于可能导致人身伤害的应用场景。针对文中所述器件，Infineon在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块FS75R17KE3
revision: 2.0
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技术信息 IGBT-模块 FS75R17KE3
revision: 2.0
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技术信息IGBT模块FS75R17KE3
revision: 2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-ECONO3-1-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-ECONO2-6-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
EconoPACK包装大纲™2模块AG-ECONO2-6-1 FS75R12KT4\U B15
Revision 01.00
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| 数据手册 - 英文 |
60V强场效应晶体管™ 电池供电应用的功率MOSFET系列基准性能技术
04/2016
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
EasyPACK模块AG-EASY2B-1-1 FS75R12W2T4封装外形图
Revision 01.00
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技术信息FS75R12W2T4
revision: 2.3
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技术信息FS75R12W2T4
revision: 2.3
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技术信息FS75R12W2T4
revision: 2.3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-ECONO3-4-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-ECONO3-4-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
强红外场效应晶体管™ IRFS7534-7PPbF HEXFET®功率MOSFET
November 5, 2014
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技术信息模块 FS75R07N2E4
revision:2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
封装外形34mm模块AG-ECONO3-4-1电路图IFS75B12N3E4\U B31
Revision 01.00
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强红外场效应晶体管™ IRFS7530-7PPbF HEXFET®功率MOSFET
March 5,2015
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技术信息IGBT模块FS75R07U1E4
revision:3.0
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强红外场效应晶体管™ IRFB7534PbF IRFS7534PbF IRFSL7534PbF HEXFET®功率MOSFET
November 5, 2014
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲MIPAQ™基本模块AG-ECONO3-4-1电路图IFS75B13N3E4\U B32
Revision 01.00
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强红外场效应晶体管™ IRFB7537PbF IRFS7537PbF IRFSL7537PbF HEXFET®功率MOSFET
October 7, 2014
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
封装外形图SmartPACK1 moudule AG-SMART1-1-1电路图FS75R07U1E4
revision:01.00
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强红外场效应晶体管™ IRFB7540PbF IRFS7540PbF IRFSL7540PbF HEXFET®功率MOSFET
November 6, 2014
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技术信息IGBT模块FS75R07N2E4
revision:2.0
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现代电力电子系统集成电流测量的一种新方法
2017/11/02
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Technische 信息/技术信息FS75R07N2E4 IGBT模块IGBT模块
revision:2.0
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强红外场效应晶体管™ IRFB7530PbF IRFS7530PbF IRFSL7530PbF HEXFET®功率MOSFET
November 7, 2014
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技术信息IGBT模块FS75R12KE3
2002-09-03
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提高交流电源效率驱动器：比较拓扑和设备技术
22 May 2014
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技术信息IGBT模块FS75R12KS4
revision: 2.1
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技术信息 IGBT-模块 FS75R12KS4
revision: 2.1
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技术信息IGBT模块FS75R12KS4
revision: 2.1
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技术信息IGBT模块FS75R06KE3
revision:2.0
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| 技术文档 - 英文 |
混合动力汽车和电动汽车半导体创新驱动的电动汽车
05 / 2014
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用半导体创新塑造未来电动汽车混合动力和电动汽车的半导体解决方案
10 / 2018
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技术信息IGBT模块FS75R12KE3G
revision: 3.1
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技术信息 IGBT-模块 FS75R12KE3G
revision: 3.1
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技术信息IGBT模块FS75R12KE3G
revision: 3.1
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技术信息IGBT模块FS75R12KE3\U B9
revision: 2.0
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技术信息IGBT模块FS75R12KE3\U B9
revision: 2.0
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技术信息模块 FS75R07N2E4_B11
revision:2.0
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技术论坛
中功率变频器项目有使用英飞凌1200V 75A Easy 封装IGBT模块FS75R12W2T4_B11，是否有合适产品推荐替换？
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应用/方案
IPOSIM入门
本文档为Infineon的IPOSIM在线原型设计工具的使用指南。指南详细介绍了注册、选择拓扑、定义输入参数、选择器件、模拟电气和热性能、比较模拟结果以及下载结果等步骤。此外，还包括了相关文档和视频资源。
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E3和T3系列1200V IGBT3模块的特性差异
本文详细比较了E3和T3系列1200V IGBT模块的特性差异。T3 IGBT通过优化降低了集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和关断损耗（Eoff），在更高开关频率下表现出更低的损耗。T3 IGBT的关断损耗比E3 IGBT低约17%。然而，T3 IGBT在关断过程中表现出较低的软度，需要减少应用中的杂散电感以避免过电压。
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E3和T3系列1200V IGBT3模块的性能差异
本资料主要介绍了E3和T3系列1200V IGBT3模块的性能差异。T3系列通过优化芯片工艺，降低了集射极饱和电压和关断损耗，提高了工作频率和电流密度。T3系列在最大结温下的集射极饱和电压比E3系列低约100mV，关断损耗降低约17%。资料还对比了两种系列的开通过程、开通损耗和关断损耗，并讨论了降低关断损耗的方法。
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风能系统解决方案高系统可靠性的节能部件和子系统
本文介绍了Infineon公司为风力发电系统提供的能源效率组件和子系统，旨在提高系统可靠性。内容涵盖固定速度和双馈感应发电机（DFIG）的拓扑结构，以及相关的产品，如PrimePACK™、IHM、IHV、EconoDUAL™ 3、EconoPACK™ + 和 EconoPACK™。文章还强调了Infineon在提高功率密度、降低损耗和提供高可靠性方面的技术优势，并介绍了ModSTACK™ HD、Bipolar modules and discs等关键产品。
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驱动汽车电子的未来汽车应用指南
本文档详细介绍了Infineon公司在汽车电子领域的应用指南，涵盖了安全应用、车身应用、动力系统应用和Infineon的PRO-SIL™技术。重点介绍了安全系统如气囊系统、可逆式安全带预紧器、电动驻车制动器、制动系统、电动助力转向（EPS）和主动悬架控制系统。此外，还讨论了车身应用，包括中央车身控制模块、座椅控制模块和HVAC控制模块。动力系统应用部分涵盖了混合动力车（HEV）和电动汽车（EV）的应用，以及内燃机电控系统。最后，介绍了Infineon的PRO-SIL™概念，该概念旨在帮助客户开发符合ISO 26262功能安全标准的汽车电子产品。
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驱动汽车电子的未来汽车应用指南
本文介绍了Infineon公司在汽车电子领域的解决方案和产品。文章涵盖了安全应用、车身应用、动力系统应用、电动汽车应用、增强通信、外围应用亮点、嵌入式软件和零缺陷计划等方面。重点介绍了Infineon在汽车安全、节能减排、数据安全、功能安全等方面的技术优势和创新产品。
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AN2010-05 MA3AE12\U EVAL-用MIPAQ测量电流的隔离放大器™ 底座
本资料为Infineon Technologies AG发布的应用笔记，主要介绍了MA3AE12_EVAL隔离放大器的设计和应用。该放大器用于电流测量，适用于MIPAQTM Base模块。资料详细描述了MA3AE12_EVAL的特性和功能，包括其主要特性、尺寸、功能、线性度等，并提供了电路图、布局和物料清单。此外，还介绍了如何订购评估板和相关参考资料。
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双DPAK（DDPAK）封装产品简介
Infineon Technologies推出首款顶侧冷却表面贴装器件（SMD）封装DDPAK，适用于高功率应用，如PC电源、太阳能、服务器和电信。该封装结合了600V CoolMOS™ G7超结（SJ）MOSFET和650V CoolSiC™肖特基二极管G6的高压技术，以及顶侧冷却的创新概念，为高电流硬切换拓扑结构如PFC提供系统解决方案，并为LLC拓扑结构提供高端效率解决方案。DDPAK封装具有内置第四引脚Kelvin源配置和低寄生源电感，可提高效率并实现更高的功率密度。
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