IRGIB10B60KD1P INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IR HiRel
型号：
IRGIB10B60KD1P; IRFI840G
本数据手册详细介绍了IRGIB10B60KD1P型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的技术规格与应用特性。该器件采用低VCE（on）非穿通IGBT技术，具备低二极管VF、10μs短路能力及方形反向偏置安全工作区（RBSOA），并集成了超软二极管反向恢复特性。其VCE（on）典型值为1.7V，拥有正VCE（on）温度系数，最大结温可达175°C，且符合无铅及UL认证标准。凭借高效能、坚固的瞬态性能和低电磁干扰（EMI）优势，该产品主要适用于电机控制等工业领域。英飞凌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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