IRG4BC20SDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Standard Speed IGBT
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IR HiRel
型号：
IRG4BC20SDPbF
本数据手册详细介绍了IRG4BC20SDPbF绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及其配套的HEXFRED超快软恢复二极管。作为第四代IGBT产品，该器件采用行业标准TO-220AB封装，具备极低的电压降（1.4V典型值@10A）和紧密的Vce(on)分布特性。其内部将IGBT与优化的HEXFRED二极管共封装，专为桥式配置设计，能够显著降低导通和二极管损耗，且恢复特性优异，所需吸收电路极少。该S系列产品特别针对逆变器驱动和无刷直流驱动进行了优化，在高达3KHz及4KHz的PWM频率下可实现功率损耗最小化，从而提供最高效率。此外，器件符合无铅环保标准。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。英飞凌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，平台库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台专职FAE团队可提供选型、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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