Marketing Information DD600S16K4
发布时间：
2018-08-02
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
DD600S16K4
本数据手册详细介绍了欧洲电力半导体和电子公司推出的DD 600 S 16 K4型号二极管。该资料内容全面，涵盖了器件的电气特性、热特性及机械特性，并提供了最高额定值、典型值及特性曲线等关键数据，同时明确了使用条件、注意事项和保修条款，旨在为技术专业人员提供详尽的设计参考。针对文中所述器件，European Power Semiconductor and Electronics Company在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Technische信息/技术信息DD600S65K3
revesion.2.1
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息DD600S65K3
revision:2.1
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| 数据手册 - 英文 |
DD600N整流二极管模块数据表
Revision 3.1
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息/Technical Information DD600S65K3
revesion:2.1
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| 数据手册 - 中文 |
技术信息 IGBT-模块 DD600S17K3_B2
revision: 2.2
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块DD600S17K3\U B2
revision: 2.2
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块DD600S17K3\U B2
revision: 2.2
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| 数据手册 - 英文 |
IPDD60R180CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
IPDD60R037CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
TC22xL（S）-AURIX™ 家庭安全应用
08 / 2016
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表XMC1400
Rel. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管优化™ 擎天柱™5 功率晶体管， 80 V IPB017N08N5
Rev.2.1
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| 数据手册 - 英文 |
第一个高温微控制器应用
2016/12/08
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| 产品勘误说明 - 英文 |
XC886CM-8FF\u AB\u勘误表\u v1\u 3.xml
Rel. 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
XC864新的4KB闪存8位微控制器系列扩展了XC800 8位微控制器系列
2016/12/08
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表XMC4100、XMC4200
1.3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装SG-WLL-2-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装SG-WLL-2-2
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装P-DSO-28-17
Revision 01.00
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| 数据手册 - 英文 |
权力教授™ 超低欧姆智能高压侧电源开关
10 / 2016
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| 数据手册 - 英文 |
650V CoolMOS™ CFDA汽车技术在杆位上的应用
03 / 2012
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29.August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29. August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
1. September 2015
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
1. February 2016
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29. August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29. August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29. August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29. August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29. August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
1. February 2016
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材料含量数据表
29. August 2013
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材料含量数据表
29. August 2013
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
600伏CoolMOS™ G7和650V CoolSiC™ G6配备了新的顶部冷却组件——DDPAK
本文介绍了Infineon公司推出的新型顶侧冷却双DPAK（DDPAK）表面贴装器件（SMD）封装，适用于高压应用，配备高性能600V CoolMOS™ G7 Superjunction（SJ）MOSFET和650V CoolSiC™ G6肖特基二极管技术。该封装的主要优势在于提高功率密度，降低寄生开关损耗和PCB温度，适用于高电压和高功率应用。文章重点介绍了CoolMOS™和CoolSiC™在高压DDPAK SMD封装中的应用，以提高功率密度和优化开关性能。
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双DPAK（DDPAK）封装产品简介
Infineon Technologies推出首款顶侧冷却表面贴装器件（SMD）封装DDPAK，适用于高功率应用，如PC电源、太阳能、服务器和电信。该封装结合了600V CoolMOS™ G7超结（SJ）MOSFET和650V CoolSiC™肖特基二极管G6的高压技术，以及顶侧冷却的创新概念，为高电流硬切换拓扑结构如PFC提供系统解决方案，并为LLC拓扑结构提供高端效率解决方案。DDPAK封装具有内置第四引脚Kelvin源配置和低寄生源电感，可提高效率并实现更高的功率密度。
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风能系统解决方案高系统可靠性的节能部件和子系统
本文介绍了Infineon公司为风力发电系统提供的能源效率组件和子系统，旨在提高系统可靠性。内容涵盖固定速度和双馈感应发电机（DFIG）的拓扑结构，以及相关的产品，如PrimePACK™、IHM、IHV、EconoDUAL™ 3、EconoPACK™ + 和 EconoPACK™。文章还强调了Infineon在提高功率密度、降低损耗和提供高可靠性方面的技术优势，并介绍了ModSTACK™ HD、Bipolar modules and discs等关键产品。
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