Product Overview QSE113: Plastic Silicon Infrared Phototransistor
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
QSE113; QSE113E3R0; QEE113; QSE114
本产品概述详细介绍了ON Semiconductor公司生产的QSE113/114型塑料硅红外光电晶体管。该器件作为一款NPN型硅光电晶体管，采用宽视角、红外透明的黑色塑料侧视封装，具备中等宽接收角（50°）及日光滤光器，并拥有高灵敏度特性。其设计旨在匹配发射器QEE113，能够有效屏蔽环境光干扰，适用于多种通用应用场景。针对文中所述器件，ON Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
Micro-Hybrid提供MEMS红外光源/探测器定制，支持封装形式、滤光片、惰性气体等参数调整，满足气体检测、火焰监测等场景需求。
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布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm； 最小横截面：0.2 mm； 最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述QSE114：塑料硅红外光电晶体管
10/30/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明QSE113E3R0
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
QSE113：塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QSE114
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
QSE113/QSE114塑料硅红外光电晶体管
Rev. 2.1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QSE113
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述QEE113:GaAs红外发光二极管
10/30/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QEE113
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QEE113E3R0
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
QEE113塑料红外发光二极管
Rev. 2.2
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| 数据手册 - 英文 |
QEE113塑料红外发光二极管
Rev.2.2
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| 数据手册 - 英文 |
QEE113:GaAs红外发光二极管
12/16/2017
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产品概述QSE133：塑料硅红外光电管
10/30/2017
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产品概述QSE122：塑料硅红外光电晶体管
10/30/2017
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述QEE123:AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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产品概述QEE122:AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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产品概述QSE159：塑料硅光电传感器
10/30/2017
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产品概述QSE158：塑料硅光电传感器
10/30/2017
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QSD123：塑硅红外光电晶体管产品概述
2/10/2020
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红外硅光电晶体管QSE122
Rev. 2.1
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红外硅光电晶体管QSD123
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
红外硅光电晶体管QSD123
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
QSD123塑料硅红外光电晶体管产品概述
7/19/2019
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QSD124塑料硅红外光电晶体管产品概述
7/19/2019
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QSE122：塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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产品概述QSD123：塑料硅红外光电晶体管
12/28/2017
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产品概述QSD124：塑料硅红外光电晶体管
12/28/2017
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| 数据手册 - 英文 |
QSE133塑料硅红外光电晶体管
Rev. 2.1
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QSE133塑料硅红外光电晶体管
Rev. 2.1
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QSD124：塑料硅红外光电晶体管
4/11/2020
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QSD124：塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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产品概述QSB363：超小型塑料硅红外光电晶体管
10/30/2017
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】KODENSHI推出一款低成本的薄型光电断续器，由高功率的砷化镓红外LED和高灵敏度的硅光电晶体管组成
AUE（KODENSHI集团下属公司）推出了一款低成本的薄型光电断续器，可用于打印机、复印机等多种领域。该传感器是一款高性能的透射式光电断续器，由高功率的砷化镓红外LED和高灵敏度的硅光电晶体管组成。产品的主要用途是检测打印机内是否有纸张，以及检测设备的各种位置。
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【产品】含GaAs发光二极管和NPN硅光电晶体管的光耦合隔离器RV1S2211A，爬电距离8.2毫米
Renesas（瑞萨电子）公司推出的产品RV1S2211A是包含GaAs发光二极管和NPN硅光电晶体管的光耦合隔离器。 该包装非常小巧薄，爬电距离长（8.2毫米）。 这种小型产品适用于需要表面安装和高密度安装的各种接口电路。
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MOC8204M:6引脚DIP高压光电晶体管输出光耦
MOC8204M是一款6引脚DIP高压光电耦合器，采用砷化镓红外发光二极管与高压NPN硅光电晶体管耦合。产品具有高电压特性，适用于消费电子和工业电机等应用。产品符合UL1577和DIN-EN/IEC60747-5-5安全标准。
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MOC217M:8引脚SOIC单通道光电晶体管输出光耦
MOC217M是一款8引脚SOIC单通道光耦合器，由红外发光二极管和硅光电晶体管组成，适用于高密度应用。其主要特点包括紧密匹配的电流传输比、最小BVCEO为70V、低LED输入电流、方便的塑料SOIC-8表面贴装封装。该产品适用于消费电器和工业电机等领域。
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MOCD217M:8引脚SOIC双通道光电晶体管输出光耦
MOCD217M是一款8引脚SOIC双通道光耦合器，由两个红外发光二极管和两个硅光电晶体管组成。适用于高密度应用，具有匹配的电流传输比、低LED输入电流和方便的塑料SOIC-8表面贴装封装。产品符合UL1577安全标准，适用于消费电器和工业电机等应用。
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【产品】TO-18密封封装的NPN硅光电晶体管OP800，适于环境恶劣应用场合、工作温度范围65°C~125°C
OP800系列是TT ELECTRONICS推出的TO-18密封封装的NPN硅光电晶体管，具体包括OP800A、OP800B、OP800C、OP800D四种型号。功耗为250mW。。该系列可提供各种灵敏度范围、增强的温度范围，TO-18封装提供高功耗和恶劣环境操作性能，窄接收角度提供了卓越的轴耦合，基极引线键合以实现传统晶体管偏压。
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【产品】光谱灵敏度为500nm～1050nm的高灵敏度NPN硅光电晶体管SST553-02，结构紧凑易于安装
可天士（KODENSHI）公司的SST553-02是一款高灵敏度NPN硅光电晶体管，安装在一个透明的侧面封装中，结构紧凑，易于安装。尺寸和等效电路图如下图所示：其集电极-发射极最大额定电压为30V，发射极-集电极电压最大额定电压为6V，集电极最大额定电流为40mA，集电极耗散功率为100mW，工作温度范围为-20℃至100℃，存储温度范围为-30℃至100℃，焊接温度为260℃。
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MOC206M:8引脚SOIC单通道光电晶体管输出光耦
MOC206M是一款8引脚SOIC单通道光电耦合器，由红外发光二极管和硅光电晶体管组成，适用于高密度应用。其主要特点包括电流传输比匹配、最小BVCEO为70V、低LED输入电流、塑料SOIC-8表面贴装封装。该产品适用于消费电器和工业电机等应用。
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MOC216M:8引脚SOIC单通道光电晶体管输出光耦
MOC216M是一款8引脚SOIC单通道光耦合器，由红外发光二极管和硅光电晶体管组成，适用于高密度应用。其主要特点包括紧密匹配的电流传输比、最小BVCEO为70V、低LED输入电流、塑料SOIC-8表面贴装封装等。该产品适用于消费电器和工业电机等应用。
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MOC207M:8引脚SOIC单通道光电晶体管输出光耦
MOC207M是一款8引脚SOIC单通道光耦合器，由红外发光二极管和硅光电晶体管组成，适用于高密度应用。其主要特点包括匹配的电流传输比、低LED输入电流、塑料SOIC-8表面贴装封装，以及安全认证。适用于消费电器和工业电机等应用。
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MOCD207M:8引脚SOIC双通道光电晶体管输出光耦
MOCD207M是一款8引脚SOIC双通道光耦合器，由两个红外发光二极管和两个硅光电晶体管组成。适用于高密度应用，具有匹配的电流传输比、低LED输入电流和塑料SOIC-8表面贴装封装。产品符合安全标准，适用于消费和工业电机等应用。
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MOCD208M:8引脚SOIC双通道光电晶体管输出光耦
MOCD208M是一款8引脚SOIC双通道光电耦合器，由两个红外发光二极管和两个硅光电晶体管组成。适用于高密度应用，具有匹配的电流传输比、低LED输入电流、塑料SOIC-8表面贴装封装等特点。产品符合安全规范，适用于家用电器和工业电机等应用。
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4N28M:6针DIP封装光电晶体管输出光耦
4N28M是一款6引脚DIP封装的光电耦合器，采用砷化镓红外发光二极管驱动硅光电晶体管。产品符合UL和VDE安全标准，适用于AC-DC商用电能供应、家用电器和工业电机等应用。主要电气规格包括通道数、电流传输比、最大VCE饱和电压、最大BVCEO、最小BVCBO、最小BVEC、最大上升和下降时间、最小VISO、最小工作温度范围和最大工作温度范围等。
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【选型】适用于恶劣环境的近距离测量传感器：NTC热敏电阻和NPN硅光电晶体管
恶劣的环境条件包括极端温度、压力、冲击、辐射以及化学腐蚀性液体和气体的存在。在这些不友好的条件下，主要目标和挑战是将传感器放置在足够接近测量范围的位置，以实现高度的准确性和可靠性。本文主要介绍针对恶劣环境条件传感器的应用，其中涉及到密封封装的U.S. Sensor的NTC热敏电阻以及TT Electronics公司的OP800SLNPN硅光电晶体管。
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【产品】紧凑且易于安装的高灵敏度NPN硅光电晶体管SST553R-01，半值角典型值为±30°
可天士（KODENSHI）公司推出的SST553R-01是一款高灵敏度的NPN硅光电晶体管，安装在一个黑色的侧面封装中，紧凑且易于安装。尺寸和等效电路图如下图所示：其集电极-发射极最大额定电压为30V，发射极-集电极电压最大额定电压为6V，集电极最大额定电流为40mA，集电极耗散功率为100mW，工作温度范围为-20℃至100℃，存储温度范围为-30℃至100℃，焊接温度为260℃。
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MOCD211M:8引脚SOIC双通道光电晶体管输出光耦
MOCD211M是一款8引脚SOIC双通道光耦合器，由两个红外发光二极管和两个硅光电晶体管组成，适用于高密度应用。该产品具有匹配的电流传输比、低LED输入电流、塑料SOIC-8表面贴装封装，并符合安全规范。适用于家用电器和工业电机等应用。
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