Material Composition Declaration SS SOT23 DR XSTR PNP 80V
发布时间：
2018-08-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MMBTA56LT1G-HFE
本物质声明文件详细介绍了特定型号元器件的材料构成与合规性信息。该资料针对SS SOT23封装的PNP 80V扩展晶体管，系统阐述了产品内部所使用的各类基础材料及其成分含量，涵盖硅、镍、铁、铜等关键物质。同时，文件明确声明该产品符合欧盟RoHS指令的环保要求，并附带了制造商联系方式、详细产品规格及制造地点等背景信息，为用户进行产品合规性审查与供应链管理提供了权威依据。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述MMBTA56L:PNP双极晶体管
1/1/2018
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1G-HFE材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1G-HFE材料成分声明
2019-07-17
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1G-HFE材料成分声明
2019-03-31
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PDN#：P741AAB
May. 19, 2017
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| 评估板使用说明 - 英文 |
采用WT6636F评估板的EVBUM2732/D 90 W Type-C PD3.0/QC4.0电源适配器解决方案用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
MMBTA56L：PNP双极晶体管
5/20/2021
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| 数据手册 - 英文 |
MMBTA56L：PNP双极晶体管
2/27/2020
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| 数据手册 - 英文 |
MMBTA56L：PNP双极晶体管数据表
5/22/2021
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBTA56LT1G-HFE
2018-01-18
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| 数据手册 - 英文 |
MMBTA56L PNP双极晶体管产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1G材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1G材料成分声明
2019-07-17
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1G材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
MMBTA55L系列，驱动器晶体管PNP硅
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MMBTA55L系列、MMBTA56L系列、SMMBTA56L系列驱动器晶体管PNP硅
Rev. 9
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SS SOT23 DR XSTR PNP 80V
2017-12-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SS SOT23 DR XSTR PNP 80V
2017-12-27
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| 数据手册 - 英文 |
MMBTA55L系列、MMBTA56L系列、SMMBTA56L系列-驱动器晶体管
Rev. 9
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBTA56LT1G
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBTA56LT1
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1材料成分声明
2019-07-17
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| 测试报告 - 英文 |
MMBTA56LT1材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SS SOT23 DR XSTR SPCL TR
2017-12-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SS SOT23 DR XSTR SPCL TR
2017-12-27
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| 测试报告 - 英文 |
SMMBTA56LT1G材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
SMMBTA56LT1G材料成分声明
2019-07-17
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| 测试报告 - 英文 |
SMMBTA56LT1G材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SMMBTA56LT1G
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
SMMBTA56LT1材料成分声明
2020-04-13
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| 测试报告 - 英文 |
SMMBTA56LT1材料成分声明
2019-07-17
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| 测试报告 - 英文 |
SMMBTA56LT1材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SMMBTA56LT1
2018-01-18
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| 数据手册 - 英文 |
NTSV30H100ECT 30A，100V，极低正向电压沟槽式肖特基整流器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
KAE-08151 2856（H）x 2856（V）行间传输EMCCD图像传感器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCP4894音频功率放大器，1.8瓦，可选择关闭
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G126、MC74VHC1GT126同相三态缓冲器
Rev. 23
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| 包装规格/规范 - 英文 |
磁带和卷盘包装标准
Rev. 31
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51XZ1、FAM65CR51XZ2升压转换器级，用于多相和半桥PFC
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NXH010P90MnF1PTG、NXH010P90MnF1PG F1-2封装SiC MOSFET模块
Rev. P1
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V 3040P3 EcoSpark®点火IGBT
Rev. 4
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安森美的SMMBTA56LT1G，PNP管，-80V，-500mA，电流放大倍数100MIN，封装SOT-23，找国产完全替换，有合适的推荐吗？
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应用/方案
可调光，9.5 W，120 Vac CCR照明电路
本文档详细介绍了DN05088/D Dimma CC LED照明电路的设计和应用。该电路采用并联-串联拓扑，适用于110至130Vac输入电压，效率高达80%。电路设计考虑了温度变化对LED电压的影响，并通过调整单个电阻（R3）来适应不同的LED电压。电路与三极管调光器兼容，并提供了详细的元件清单和性能数据。
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可调光120VAC，6.5W输入并联串联照明电路
本文档介绍了ON Semiconductor的DN05084/D可调式LED照明电路设计。该电路采用并行-串联LED配置，适用于110至130Vac输入电压，效率高达77%。电路设计考虑了温度变化对LED电压的影响，并通过调整单个电阻（R3）来适应不同的LED电压。电路与三极管调光器兼容，并具有优异的功率因数和总谐波失真性能。文档还提供了电路的原理图、性能数据、物料清单以及与三极管调光器的兼容性测试结果。
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用于双向晶闸管调光的恒流调节LED电路
本资料介绍了适用于AC LED照明的恒流稳压器电路设计，特别针对TRIAC调光性能进行了优化。电路采用110至130Vac输入电压，采用并行-串联拓扑，输出功率为9.0W，输入功率为11.7W，效率为77%。电路特点包括无需电解电容，所有组件均为表面贴装，0.98功率因数和17%总谐波失真，防止LED闪烁和漏电问题。电路运行时，LED电压应在每串60至68伏之间。
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带WT6615F设计说明的90W C型PD3.0/QC4.0电源适配器解决方案
本资料介绍了一种90W Type-C接口PD3.0电源适配器解决方案，适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑适配器。该方案支持PD3.0、QC4.0、QC4.0+和PPS协议，具有通用AC输入电压（90-264Vac）、飞回拓扑、隔离（3kV）等特点。方案采用ON半导体NCP1342 HF PWM控制器、NCP4306D同步整流控制器、NTMFS6B03同步MOSFET和ATP104开关MOSFET等元件，并提供完整电路图、PCB和BOM清单。
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带WT6636F设计说明的90W C型PD3.0/QC4.0电源适配器解决方案
本资料介绍了一种90W Type-C接口PD3.0电源适配器解决方案，适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备。该适配器采用通用AC输入，支持PD3.0、QC4.0、QC4.0+和PPS协议，具备高效率、低待机功耗和紧凑型设计等特点。方案采用NCP1622 CrM VSFF PFC控制器、NCP1568 ACF控制器、NCP51530高速高桥驱动器等元器件，并配合WT6636F PD3.0协议控制器实现所需功能。
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高效率QR反激式适配器，带USB-PD/C型输出，采用NCP1342设计说明
本资料介绍了基于NCP1342的90至265Vac输入、60W输出功率的高效QR Flyback适配器设计，适用于USB-PD/Type-C输出。NCP1342是一款高度集成的准谐振反激控制器，具有主动X2电容器放电功能，可实现无负载功耗低于70mW。该设计采用NCP43080进行次级侧同步整流，优化了所有工作模式下的效率。资料还提供了电路图、磁芯设计、效率与负载关系图、EMI性能图以及物料清单等信息。
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