Material Composition Declaration WVGA 1/5 CIS
发布时间：
2018-08-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
ARX550AT2R00XPEA0-DRBR-E
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
ARX550AT CMOS图像传感器，VGA，1/5英寸产品概述
7/11/2019
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| 数据手册 - 英文 |
ARX550AT CMOS图像传感器，VGA，1/5英寸产品概述
3/28/2019
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| 测试报告 - 英文 |
ARX550AT2R00XPEA0-DRBR-E材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
ARX550AT2R00XPEA0-DRBR-E材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
ARX550AT:VGA 1/5“CMOS图像传感器
12/6/2017
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| 测试报告 - 英文 |
ARX550AT2R00XPEA0-DRBR-EW材料成分声明
2020-4-13
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| 数据手册 - 英文 |
ADP3193A：8位、可编程、2至3相同步降压控制器
Rev. 1
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用于VR11奔腾IV处理器应用的NCP5389 2/3相降压控制器
Rev. 2
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NCP5392-用于CPU应用的2/3/4相控制器
Rev. 4
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NCP5203二合一DDR电源控制器
Rev. 1
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NCP5383-集成栅极驱动器和AVP的2相降压控制器
Rev. 3
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NCV898032-2 MHz汽车级异步升压控制器
Rev. 2
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NCP1546-具有同步功能的1.5 A、170 kHz降压稳压器
Rev. 5
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NCP1596A-1.5 A、1.5 MHz电流模式PWM降压转换器
Rev. 0
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CS5111 1.4 A开关稳压器，内置5.0 V、100 mA线性稳压器，具有看门狗、复位和使能功能
Rev. 9
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CAT28C65B 64K位CMOS并行EEPROM
Rev. H
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NTMT061N60S5F-MOSFET-功率，单N沟道，SUPEFET V，FRFET，Power88 600 V，61 mΩ，41 A
Rev. 0
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NTMFSC011N08M7-MOSFET-功率单N沟道
Rev. 2
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NSS40600CF8-40 V、7.0 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 4
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NSS40301MZ4-双极性功率晶体管40 V，3.0 A，低V-CE（sat）NPN晶体管
Rev. 3
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NTLJD3115P MOSFET–功率、双通道、P沟道、WDFN 2x2 mm-20 V、-4.1 A
Rev. 7
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HUF75852G3-MOSFET–功率，N沟道，UltraFet，150 V，75 A，16 mΩ
Rev. 3
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HUF75652G3-MOSFET–功率，N沟道，UltraFet，100 V，75 A，8 mΩ
Rev. 3
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FDMS86500L MOSFET，N沟道，PowerTrench-60 V，158 A，2.5 mΩ
Rev. 2
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FDMA008P20LZ-MOSFET-功率，单P沟道，PowerTrench，-20 V，-11 A，13 mΩ
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FDD86367-F085-MOSFET–N沟道，PowerTrench®80 V，100 A，4.2 mΩ
Rev. 3
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FDB1D7N10CL7-N沟道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET 100 V，268 A，1.7 mΩ
Rev. 2
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FCPF125N65S3-MOSFET-功率，N沟道，SuperFET III，易驱动，650 V，24 A，125 mΩ
Rev. 6
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FCMT180N65S3-MOSFET-功率，N沟道，SuperFET III，易驱动650 V，17 A，180 mΩ\n
Rev. 5
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NC7SZ19 TinyLogic UHS 2选1解码器/解复用器
Rev. 3
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MC74LVX4051模拟多路复用器/解复用器
Rev. 9
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MC74LCX257低压CMOS四通道2输入多路复用器，具有5.0 V−容差输入和输出（3态、同相）
Rev. 7
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模拟多路复用器/多路分解器，具有注入电流效应控制，带LSTTL兼容输入，汽车定制
Rev. 10
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FFSB1065A碳化硅肖特基二极管650 V，10 A
Rev. 6
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FFSB1265A碳化硅肖特基二极管650 V，12 A
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
FFSB0665B碳化硅肖特基二极管650 V，6 A
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
FFSB0465A碳化硅肖特基二极管650 V，4 A
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
FFSB0665A碳化硅肖特基二极管650 V，6 A
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
NVHL080N120SC1A MOSFET-SiC功率，单N沟道\n
Rev. 1
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NVHL160N120SC1 MOSFET-SiC功率、单通道N沟道1200 V、160 MΩ、17 a
Rev. 1
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NVH4L080N120SC1 MOSFET-功率，N沟道，碳化硅，TO-247-4L\n
Rev. 1
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NVH4L160N120SC1 MOSFET-SiC电源，单N沟道，TO247-4L，1200 V，160 mΩ，17.3 A\n
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NVH4L020N120SC1 MOSFET-SiC电源，单N沟道，TO247-4L，1200 V，20 mΩ，102 A\n
Rev. 3
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NVBG040N120SC1 MOSFET-SiC电源，单N沟道，D2PAK-7L 1200 V，40 MΩ，60 A\n
Rev. 1
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NTHL020N120SC1 MOSFET-SiC电源，单N沟道1200 V，20 mΩ，103 A\n
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTH4L020N120SC1 MOSFET-SiC电源，单N沟道，TO247-4L 1200 V，20 mΩ，102 A\n
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTBG040N120SC1 MOSFET-SiC功率，单N沟道，D2PAK-7L\n
Rev. 1
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NVH4L020N090SC1 MOSFET-SiC功率，单N沟道，TO247-4L\n
Rev. 0
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NTH4L020N090SC1 MOSFET-SiC电源，单N沟道，TO247-4L 900 V，20 mΩ，118 A\n
Rev. 0
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世强AI
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应用/方案
产品概述ARX550AT:VGA 1/5“CMOS图像传感器
ARX550AT是一款由ON Semiconductor生产的1/5英寸CMOS图像传感器，具有848H x 638V的活性像素阵列。该传感器支持线性和高动态范围模式，采用滚动快门读取方式。具备自动曝光控制、窗口选择和视频/单帧拍摄模式等高级相机功能。ARX550AT能够输出清晰、锐利的数字图像，适用于ADAS摄像头等多种应用，具有高动态范围、PPAP能力、无卤素和AEC认证等特点。
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