NVMFS5C450NL: Power MOSFET 40V, 110A, 2.8 mOhm, Single N-Channel,SO8-FL, Logic Level.
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C450NL; NVMFS5C450NLAFT1G; NVMFS5C450NLWFAFT1G
本数据手册详细介绍了NVMFS5C450NL型号器件，这是一款40V、110A、2.8mΩ的单通道N沟道功率MOSFET。该器件采用逻辑电平设计及5x6mm的SO8-FL小型封装，专为紧凑高效的应用场景打造，具备卓越的热性能。其关键技术特性包括低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（QG）及低电容参数，有效优化了导通损耗与驱动损耗。此外，该产品符合AEC-Q101标准及RoHS环保要求，并提供湿边选项与增强光学检查，完全满足汽车级应用的严苛需求。在应用领域方面，该MOSFET广泛适用于反转电池保护、各类功率开关（高边、低边及H桥驱动）、开关电源，以及电磁阀驱动（如ABS、燃油喷射）和电机控制（EPS、雨刮器、风扇、座椅）等汽车电子系统，亦可用于ECU、底盘及车身等负载开关场景。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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NVMFS5C450NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、110A、2.8mΩ\n
2/9/2020
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
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材料成分声明
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材料成分声明
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2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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产品概述NVMFS5C450NL：功率MOSFET 40V，110A，2.8 mOhm，单N沟道，
1/20/2018
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材料成分声明NVMFS5C450NLWFAFT1G
2018-01-16
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NVMFS5C450NL功率MOSFET
Rev. 4
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NVMFS5C450NL功率MOSFET
Rev. 4
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NVMFS5C450NL功率MOSFET
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NVMFS5C450NLWFAFT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NLWFAFT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C450NL功率MOSFET 40 V，2.8 mW，110 A，单N-沟道
Rev. 3
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材料成分声明T6 40V N通道LL in u8FL
2017-12-04
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材料成分声明NVMFS5C450NLAFT1G
2018-01-16
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产品概述NVMFS5C450N：功率MOSFET 40V，102A，3.3 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
12/28/2017
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NVMFS5C450NLAFT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NLAFT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C450N单N沟道功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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NVMFS5C450N功率MOSFET 40 V，3.3 m ，102 A，单N-沟道
− Rev. 2
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材料成分声明NVMFS5C450NLWFT1G
2018-01-16
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NVMFS5C450N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C450N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C450NLWFAFT3G材料成分声明
2020-02-09
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NVMFS5C450NLWFAFT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NLWFAFT3G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明NVMFS5C450NLWFT3G
2018-01-16
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NVMFS5C450N MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 2
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C450NLWFT1G材料成分声明
2020-01-23
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NVMFS5C450NLWFT1G材料成分声明
2019-10-28
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NVMFS5C450NLWFT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NLWFT1G材料成分声明
2019-03-30
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技术论坛
扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。
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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料
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应用/方案
产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。
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产品概述NVMFS5C450N：功率MOSFET 40V，102A，3.3 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS5C450N是一款40V、102A、3.3mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用包括电池保护、开关电源、功率开关、电磁阀驱动、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。
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