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RJP60D0DPK Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Datasheet
发布时间: 2018-08-02
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
RENESAS(瑞萨电子)
型号:
RJP60D0DPK; RJP60D0DPK-00-T0
本数据手册详细介绍了RJP60D0DPK型号硅N沟道IGBT高速功率开关的技术规格与性能参数。该器件专为高速功率开关应用设计,集成了低损耗与高可靠性的技术优势。在电气特性方面,其集电极到发射极电压为600V,集电极电流达45A(25°C),峰值电流支持至90A,集电极功耗为140W。该IGBT具有低集电极到发射极饱和电压(VCE(sat)典型值为1.6V),有助于降低导通损耗并提升系统效率。此外,器件具备5μs的典型短路承受时间,门到发射极电压额定值为±30V,结温最高可达150°C,并采用无铅引线镀层和芯片键合工艺,符合环保要求。针对该器件,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,所有型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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可定制车载智能天线频率:20kHz、114.5 kHz、120- kHz、125 kHz、134 kHz、134.2kHz、134.5 kHz;工作温度范围:-40ºC to ~125ºC;电感范围:100~734;符合AEC-Q200(汽车质量标准)和IP68标准;
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资料平台
产品变更通知及停产信息 - 英文
Renesas(瑞萨电子)REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)(2018K)
2018年6月
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数据手册 - 英文
RJP60D0DPE硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.1.00
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产品变更通知及停产信息 - 英文
关于撤销瑞萨模具材料UL认证的补充通知(QA21-010)
March 18, 2021
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RJP6065DPM硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJH1CF7RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJH60F3DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJH1CF6RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJH60F6DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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RJH60F0DPK硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJH1CF5RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJH60T4DPQ-A0硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJP30H1DPD硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJP60D0DPP-M0硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJH1CF4RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJH1DF7RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJH30H2DPK-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJP60D0DPM硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.2.00
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RJH60F7ADPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK5012DPP-A0 500V-12A-MOS FET高速功率开关
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RJH6088BDPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK6014DPP-E0 600V-16A-MOS FET高速功率开关数据表
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RJH1BF6RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK5020DPK硅N沟道MOSFET高速功率开关
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RJH6087BDPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK6012DPP-A0 600V-10A-MOS FET高速功率开关数据表
Rev.1.02
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RJH60F4DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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2SK2225 1500V-2A-MOS FET高速功率开关
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2SK2225 1500V-2A-MOS FET高速功率开关
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RJP63K2DPP-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK0346DPA 30V,65A,2.0mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表
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RJH1BF7RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJP6085DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK0391DPA 30V,50A,2.9mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表
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RJH60F5DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK0353DPA 30V,35A,5.2mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表
Rev.5.00
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RJP30E2DPK-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJK4007DPP-M0硅N沟道MOSFET高速功率开关数据表
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RJP63K2DPK-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJP60F5DPK 600V-40A-IGBT高速电源切换数据表
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RJP6085DPN硅N沟道IGBT高速功率开关
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RJH60F6BDPQ-A0 600V-45A-IGBT高速电源切换数据表
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RJP30H2DPK-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJH60F6DPQ-A0 600 V-45 A-IGBT高速电源切换数据表
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RJP30H1DPP-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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数据手册 - 英文
RJP60F0DPE 600 V-25 A-IGBT高速电源切换数据表
Rev.1.00
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RJP63F3DPP-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】提供QSOP和SOIC封装的高速CMOS四路总线开关QS3125,最大耗散功率仅0.5W
瑞萨电子公司(Renesas)的全资子公司IDT推出高速CMOS四路总线开关QS3125。器件提供一组四个高速低电阻CMOS开关,这些开关将输入连接到输出,而没有传播延迟,也不会产生额外的接地反弹噪声。 单个使能端(/OE)用于打开开关。该器件不会给系统增加噪声,接地反弹,传播延迟或显著功耗,是信号和控制开关的理想选择。产品还可以用于模拟开关应用,例如视频等。
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【产品】2A双通道功率MOSFET驱动器,专有Turbo-Driver提供高速性能
Intersil(Renesas收购)推出的ISL89410、ISL89411和ISL89412具有匹配的上升和下降沿延迟时间,提供低输入阻拦和高抗噪性能,适用于开关电源、线路驱动器等应用中。
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3PEAK Releases High-speed Analog Switch TPD160221 with a Signal Switching Rate of up to 16Gbps
3PEAK has launched the high-speed analog switch TPD160221. The TPD160221 high-speed analog switch features a 3.3 V power supply, bidirectional low-latency 2:1 selection, and a switching speed of 16 Gbps. It is compatible with high-speed serial interface signals such as PCIe 3.0/4.0, DP 1.3/1.4, and USB 3.1/3.2.
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The 60V/1.8A N-channel MOSFET SL2308 with Fast Switching Speed, Low Power Consumption and High Reliability
The SL2308 is an N-channel MOSFET with a 60V drain-source voltage and a 1.8A continuous drain current. It features low on-state resistance (135mΩ@10V, 1.8A) and serves as a power electronic component known for its fast switching speed, low power consumption, and high reliability. These characteristics make it an ideal switch and signal processing component in electric balance scooter systems, especially in situations that demand high efficiency and precise control.
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