RJP60D0DPM Silicon N_代理商_研发采购服务

RJP60D0DPM Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Datasheet

发布时间： 2018-08-02

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

RJP60D0DPM; RJP60D0DPM-00-T1

本数据手册详细介绍了RJP60D0DPM型硅N沟道IGBT高速功率开关的技术规格与性能参数。该器件作为一款高速功率开关，具备低集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)典型值为1.6V）和门到发射极电压额定值±30V的特性，有助于降低导通损耗并提升系统效率。其关键优势在于拥有5μs的典型短路承受时间，能够适应严苛的工况要求。此外，产品采用无铅引线镀层和芯片键合工艺，符合环保标准。资料内容涵盖了完整的电气特性、转移特性曲线、热阻抗、开关时间测试电路波形、封装尺寸及使用注意事项，为工程师进行电路设计与评估提供了详实的数据支持。针对该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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加工定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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RX660 Group Renesas Starter Kit for RX660 Smart Configurator CS+教程手册

本资料为Renesas RX660微控制器评估套件（RSK）的Smart Configurator教程手册。内容涵盖如何使用CS+ IDE和Smart Configurator创建RSK平台的工作项目，包括项目创建、Smart Configurator配置、代码生成和调试等步骤。手册详细介绍了RSK平台的功能和特点，以及如何利用Smart Configurator生成和配置代码，适用于RSK平台开发人员。

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本文介绍了如何使用CMake与Renesas CC-RX编译器结合，在Windows主机PC上创建必要的构建环境以执行RX家族C/C++编译器包的构建。内容包括CMake的安装、文件结构、必需文件、构建过程以及示例代码。

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