RJH1CV7DPQ-E0 1200V - 35A - IGBT Application: Inverter Datasheet
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
RJH1CV7DPQ-E0; RJH1CV7DPQ-E0#T2
本数据手册详细介绍了Renesas（瑞萨电子）型号为RJH1CV7DPQ-E0的1200V-35A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的初步技术规格。该器件基于先进的沟槽栅极和薄晶圆技术制造，具备卓越的电气性能，其典型集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.8V，有助于降低导通损耗。在开关特性方面，该IGBT支持高速开关，下降时间（tf）典型值为280ns，且内置了快速恢复二极管，反向恢复时间（trr）典型值为200ns，能够显著提升系统效率。此外，器件还具备5μs的典型短路承受时间，增强了在复杂电路环境下的可靠性。该产品采用特定封装，适用于逆变器等工业应用场景。Renesas（瑞萨电子）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 中文 |
RJH1CV7DPQ-E0 1200V - 35A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 规格书 数据手册
REV,5.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）
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RJH1CV7DPK 1200V-35A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.3.00
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71V424S 71V424L 3.3V CMOS静态RAM 4兆（512K X 8位）
May.04.21
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8V19N882评估板手册
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8A34043四通道通用变频器
February 4, 2022
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71V3556S/71V3558S/71V3556SA/71V 3558SA 128K X 36，256K X 18 3.3V同步ZBT SRAM 3.3V I/O，突发计数器流水线输出
Aug.06.21
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PS9822-1，-2 1 Mbps集电极开路输出型8引脚SSOP（SO-8）高速光电耦合器
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PS8501、PS8501L1、PS8501L2和PS8501L3高速模拟输出型8引脚DIP光电耦合器
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RBN40H125S1FPQ-A0 1250V-40A-IGBT功率开关
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CR05AM-16A 800V-0.3A-晶闸管低功率使用
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| 电路原理图 - 英文 |
R_160_IPS 2550_12X 30_OD 62_ID38
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R_150_IPS 2550_4X 90_OD 32_ID15
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| 电路原理图 - 英文 |
R_148_IPS 2550_2x 180_OD 32_ID15
Version 1.0
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IDT54/74FCT374T/AT/CT快速CMOS八通道D寄存器（3态）
10/03/09
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IDT74FCT2373AT/CT快速CMOS八通道透明锁存器
09/29/09
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IDT74FCT163344A/C 3.3V CMOS一对四地址/时钟驱动器
09/10/09
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IDT74ALVCH162373 3.3V CMOS 16位透明D型锁存器，具有3态输出和总线保持功能
06/15/2016
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72V3611 3.3伏CMOS同步FIFO™ 64 x 36英寸
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IDT72v01、IDT72v02、IDT72V03、IDT72 V04、IDT 72V05、IDT 72V06 3.3伏CMOS异步FIFO 512 X 9、1，0 24 X 9、2，048 X 9、4，096 X 9，8，192 X 9，16，384 X 9
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71V632 64K x 32 3.3V同步SRAM流水线输出突发计数器，单周期取消选择
2023/1/28
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71V124SA 3.3V CMOS静态RAM 1兆（128K X 8位）中心电源和接地引脚排列
Jun.30.20
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71256SA CMOS静态RAM 256K（32K X 8位）
Jun.29.20
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71124 CMOS静态RAM 1 Meg（128K X 8位）革命性的引脚排列
Feb.27.20
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7008S/L高速64K x 8双端口静态RAM
Jan.05.22
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IDT49FCT806/A快速CMOS缓冲器/时钟驱动器
MAY 2010
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
RZ/A2M集团RZ/A2M软件核心包V8.20发行说明
Rev.8.20
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】三款1200V-25A/30A/35A IGBT，短路承受时间5µs，适用于逆变器
Renesas推出的RJH1CV5DPQ-E0、RJH1CV6DPQ-E0、RJH1CV7DPQ-E0绝缘栅型双极型晶体管（IGBT），内置一个功能强大的快速恢复二极管，集电极-发射极的饱和电压极低，典型值为1.8V，降低了IGBT的总体损耗；另外，其还具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，可以降低导通损耗及开关损耗；短路承受时间典型值为5µs，主要应用于逆变器等领域。
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【产品】1200V/35A的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72，可用于工业传动
Vincotech（威科）的IGBT功率模块80-M212PMA035M731-K220A72，属于MiniSKiiP®PIM 2产品系列，芯片为IGBT M7，具有低VCEsat和增强EMC性能，击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为35A，可应用于工业传动等领域。
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RX660 Group Renesas Starter Kit for RX660 Smart Configurator教程手册（适用于E²Studio）
本资料为Renesas RX660微控制器评估套件（RSK）的用户手册，旨在指导用户如何使用e2 studio IDE和Smart Configurator插件创建和配置RSK平台上的项目。内容包括项目创建、Smart Configurator的使用、代码生成、用户代码集成以及调试方法。资料详细介绍了RSK的硬件和软件配置，以及如何通过Smart Configurator生成针对特定MCU功能的代码模块。
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RX660 Group Renesas Starter Kit for RX660 Smart Configurator CS+教程手册
本资料为Renesas RX660微控制器评估套件（RSK）的Smart Configurator教程手册。内容涵盖如何使用CS+ IDE和Smart Configurator创建RSK平台的工作项目，包括项目创建、Smart Configurator配置、代码生成和调试等步骤。手册详细介绍了RSK平台的功能和特点，以及如何利用Smart Configurator生成和配置代码，适用于RSK平台开发人员。
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CC-RX编译器
本资料为Renesas Electronics的CC-RX编译器用户手册，适用于RX系列微控制器。手册详细介绍了CC-RX编译器的功能、特性、使用方法以及相关技术规范。内容包括编译器概述、命令参考、输出文件、编译器语言规范、汇编语言规范、段规范、库功能规范、启动、函数调用接口规范、消息和注意事项等。手册旨在帮助用户理解和应用CC-RX编译器，开发基于RX系列微控制器的应用和系统。
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RX65n组通过RX65n云套件和FreeRTOS使用Amazon Web服务可视化和控制传感器信息
本资料介绍了使用Renesas的RX65N Cloud Kit板和Amazon FreeRTOS，通过Wi-Fi连接将传感器信息可视化在Amazon Web Services (AWS)上，并使用AWS shadow服务控制板上的LED。资料详细说明了硬件配置、软件配置、连接AWS、使用shadow服务、Elasticsearch和Kibana进行数据可视化的步骤。
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RA系列、RL78系列、RX系列、瑞萨Synergy™平台CTSU自测软件
本应用笔记介绍了Renesas电子的电容式触摸功能安全解决方案。针对RA系列、RL78系列、RX系列和Renesas Synergy™平台，详细描述了CTSU和CTSU2的诊断软件，旨在帮助用户符合IEC60730 B级安全标准。软件提供了CTSU的五种诊断类型和CTSU2的九种诊断类型，包括过压检测、电流控制振荡器测试、输出电压测试等。此外，还提供了API规范和示例应用流程图，以及使用“QE for Capacitive Touch”创建项目的步骤。
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RA6E1组2位MCU用户手册：硬件
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RA4E1组32位MCU用户手册：硬件
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【产品】扬杰科技发布1200V/10~35A IGBT PIM新品，P2、P3封装外形可选
扬杰科技发布了其IGBT PIM新品，产品有P2、P3两款封装外形，1200V，电流10A~35A，芯片参数稳定，一致性优异，采用环保物料，符合RoHS标准，主要用于电动驱动器、交直流伺服驱动放大器和不间断电源。
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【产品】1200V/35A flowPIM® E2产品系列PIM (CIB) IGBT功率模块，采用IGBT4芯片技术
全球领先的 IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech（威科）推出的10-E212PMA035SC-L188A48Z、10-EY12PMA035SC-L188A48T系列功率模块，击穿电压为1200V，芯片标称额定电流为35A。且产品拓扑结构都为PIM (CIB)，使用了Al2O3材料进行基础绝缘，主要用于工业驱动。
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使用CMake和Renesas CC-RX编译器的集成开发环境e²studio
本文介绍了如何使用CMake与Renesas CC-RX编译器结合，在Windows主机PC上创建必要的构建环境以执行RX家族C/C++编译器包的构建。内容包括CMake的安装、文件结构、必需文件、构建过程以及示例代码。
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RZ/G2可信执行环境启动指南
本资料介绍了RZ/G2可信执行环境（TEE for RZ/G2）的概述，包括其组成部分、构建环境、构建步骤以及如何启用安全启动。资料详细说明了如何使用Yocto构建环境构建TEE for RZ/G2，并提供了针对不同RZ/G2系列处理器的具体构建指令。此外，还介绍了如何进行安全启动，包括安全模块、加密密钥环和用户数据的配置过程。
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篡改检测器应用笔记
本应用笔记介绍了使用SLG46811 IC作为模拟SPI主设备驱动AT45DB161E闪存的设计，用于篡改检测。该设计通过GPIO外部信号或低Vdd电压检测触发SLG46811向闪存写入数据，记录事件。详细描述了内部模块配置、设计验证和进一步考虑因素。
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RL78/G23遥控信号接收（NEC格式，停止模式）
本应用笔记介绍了如何使用遥控信号接收器（REMC）和STOP模式接收遥控信号。适用于NEC格式（包括标题、32位数据和重复代码）。当检测到10秒内没有遥控信号输入时，MCU将切换到STOP模式。在STOP模式下检测到遥控信号输入时，应用程序使用低速外围时钟（fSXP）执行遥控信号接收处理。笔记中详细说明了硬件配置、软件设置和中断处理流程。
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Adesto 16Mbit产品概述
本资料概述了Adesto公司16Mbit串行闪存产品的特性、功能比较、命令集、设备ID、状态寄存器、SFDP表、封装选项等。资料详细比较了AT25SF161、AT25SF161B、AT25FF161A和AT25XE161D等产品的差异，包括内存容量、电压范围、操作温度、耐用性、数据保留、命令集、设备ID、状态寄存器、SFDP表和封装选项等。资料还提供了AT25XE161D产品的电池监控功能和其他特殊功能。
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RA2L1组免触摸按钮演示解决方案示例软件
本应用笔记介绍了基于RA2L1组电容式触摸传感器单元2（CTSU2）的无触控按钮演示解决方案（RTK0EG0036D01001BJ）的软件规范。该软件使用QE for Capacitive Touch和FSP配置器生成，通过测量触摸电极与人体之间的电容来检测人体的接触或接近。软件结构包括QE Touch模块和QE CTSU模块，通过LED和蜂鸣器声音通知用户检测结果。此外，还提供了初始化、结果通知和构建选项等详细信息。
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【产品】1200V/35A Sixpack拓扑结构 IGBT功率模块10-EZ126PA035SC-L859F48T
Vincotech公司推出10-EZ126PA035SC-L859F48T IGBT功率模块，击穿电压1200V/额定电流35A，采用Sixpack拓扑结构和IGBT4芯片技术，使用flow E1模块外壳，封装尺寸62.8 mm x 34.8 mm x 12 mm，可用于工业驱动和UPS。
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【产品】1200V/35A Sixpack IGBT功率模块80-M212WPA035SC-K389F，适用于工业驱动
Vincotech公司推出IGBT功率模块80-M212WPA035SC-K389F，击穿电压1200V/额定电流35A，采用Sixpack拓扑结构和IGBT4芯片技术，使用MiniSKiiP® 2模块外壳，封装尺寸58.9 mm x 51.9 mm x 16 mm，适用于工业驱动。
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RL78/G23设置窗口比较器
本资料介绍了如何使用RL78/G23微控制器上的比较器作为窗口比较器。内容包括硬件配置、软件设置、操作流程以及中断处理。通过设置内部参考电压和D/A转换器输出作为参考电压，实现输入电压的比较，并根据比较结果输出高电平或低电平信号。资料还提供了示例代码和硬件配置图，以帮助用户理解和实现窗口比较器功能。
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【产品】1200V/35A IGBT功率模块 80-M2126PA035M7-K717F70
Vincotech公司推出80-M2126PA035M7-K717F70 IGBT功率模块，属于MiniSKiiP® PACK 2产品系列，使用Sixpack拓扑结构和IGBT M7芯片技术，击穿电压1200V/额定电流35A，封装尺寸58.9 mm x 51.9 mm x 16 mm，可用于工业驱动。
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【产品】1200V/35A Booster IGBT功率模块10-PZ12B2A040MR01-M330L68Y
全球领先的 IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech（威科）推出的10-PZ12B2A040MR01-M330L68Y IGBT功率模块，属于flowBOOST 0 dual SiC产品系列。其击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为35A。该产品具有快速反向恢复时间、低导通电阻的优点，可应用在太阳能逆变器和电源应用中。
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【产品】1200V/35A flowPACK 1+R系列IGBT功率模块10-F112R6A035SC-M439E08
全球领先的IGBT功率模块解决方案的供应商Vincotech（威科）推出的10-F112R6A035SC-M439E08 IGBT功率模块，该产品击穿电压为1200V，标称芯片额定电流为35A，且产品采用Sixpack+Rectifier拓扑结构和IGBT4芯片技术，易于并联，具有低关断损耗，专为能量再生应用设计。
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