RJP1CS06DWA / RJP1CS06DWS 1250V - 100A - IGBT Application: Inverter Datasheet
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
RJP1CS06DWA; RJP1CS06DWS; RJP1CS06DWS-80#W0; RJP1CS06DWA-80#W0
本数据手册详细介绍了RJP1CS06DWA与RJP1CS06DWS型号IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的技术规格与特性。该器件集电极到发射极电压达1250V，集电极电流在25°C时为200A，具备低饱和电压（VCE(sat)典型值1.8V）与高速开关性能，其最大结温可达175°C，并拥有至少10μs的短路承受时间及优化的电容参数，适用于逆变器等高可靠性应用场景。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台提供的专职FAE团队将协助用户进行选型、设计验证及调试，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
8英寸未切割晶圆IGBT UV带更换产品更改通知（PCN）（BL202301547）
6/19/2023
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IGBT和FRD裸片产品（BL202202569）订购零件号和外包装箱更换
12/22/2022
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IGBT和FRD裸片产品订购零件号和外包装箱变更产品变更通知（PCN）（BL202202569）
1/25/2023
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| 数据手册 - 英文 |
RJP1CS26DWA/RJP1CS26DWS 1250V-100A-IGBT应用：逆变器数据表
Rev.1.00
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| 数据手册 - 英文 |
XK33L161L322L644i XK晶体振荡器（PROXO II）规格书附录
Rev.1.00
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| 数据手册 - 英文 |
用于RapidCharge™的IW9861超低待机功耗AC/DC数字准谐振反激式控制器产品概要
Rev.0.01
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| 产品勘误说明 - 英文 |
更正用户手册中的错误描述通知RL78/G16描述：硬件版本1.00更改技术更新（TN-RL*-A0126A/E）
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| 产品勘误说明 - 英文 |
添加对独占访问技术更新的限制（TN-RA*-A0098A/E）
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| 产品勘误说明 - 英文 |
对共享同一从机接口的外设进行连续总线访问期间的中断注意事项技术更新（TN-RA*-A0084B/E）
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
集成电路用塑料封装
Rev 2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
HS300x-MCx系列，16.0 X 24.0 X 6.5 mm模块BD0封装外形图
Revision: 06
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
110-WBBGA 7.00 X 7.50 X 0.99 mm主体，0.65mm mm间距BV0110AA封装外形图
Revision: 00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
16.3 X 17.0 X 2.20 mm模块ML0100AB封装外形图
Revision: 00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
40-DSBGA 2.13 X 3.25 X 0.60 mm主体，0.40 mm间距AZR40D1封装外形图
Revision: 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
15-WLCSP 1.61 X 2.41 X 0.6 mm主体，0.4mm间距AHG15D1封装外形图
Revision: 01
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
20-WLCSP 1.565 X 1.825 X 0.50 mm，0.35mm间距AWQ20D1封装外形图
Revision: 04
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
RH1CM300 22.53 X 22.66 X 1.47 mm模块ML0138AA封装外形图
Revision: 00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
14-DFN 4.0 X 3.0 X 0.85 mm主体，0.5 mm间距NRG14S1封装外形图
Revision: 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
24-VFQFPN 4.0 X 4.0 X 0.9 mm主体，0.5mm间距NLG24P1封装外形图
Revision: 05
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
NBG24S1 24-VFQFPN 4.0 X 4.0 X 0.75 mm主体，0.5mm间距封装外形图
Revision: 01
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
MOD1 10.00 X 9.00 mm主体，2.00mm间距，RAA2SM0005封装外形图
Revision: 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
NCG8P1 8-DFN 2.0 X 3.0 X 0.75 mm主体，0.5mm间距封装外形图
Revision: 05
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
RYZ024A 16.3 X 17.0 X 1.90 mm模块封装外形图
Revision: 02
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
NBG8P5 8-DFN 2.0 X 2.0 X 0.9 mm，0.5mm间距封装外形图
Revision: 01
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
L32.3x5 32引脚倒装芯片薄型四方扁平无引脚封装（FCTQFN）外形图
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
L16.3x3G 16引脚四方扁平无引脚塑料封装外形图
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
L14.3X3 14引脚阶梯切割超薄四方扁平无引脚塑料封装（SCTQFN）外形图
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| 产品图纸 - 英文 |
PWQN0056KF-A外形图
2023/6/14
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| 产品图纸 - 英文 |
PRBG0552GC-A外形图
2023/3/3
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| 产品图纸 - 英文 |
PLBG0361KD-A外形图
2023/5/31
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| 产品图纸 - 英文 |
PLBG0359KA-A外形图
2023/5/31
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
PSC-4969-01封装外形图
Revision: 00
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| 测试报告 - 英文 |
Renesas REAR56957AJSN SERISE REAR56957AJSN#HC1 REAR 56957JASN#YB1可靠性报告（Apr-22-H0053-A）
Apr. 17, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
Renesas Rear56957BGSM Serise Rear56957BGSM#HC0 Reral56957 BGSM#YB1 Reral56957 BGSM#YJ1 Reral 56957 bgsm#YK1可靠性报告（Apr-22-H0054-A）
Apr. 17, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
瑞萨REARS 56953AGSM SERISE REAR56953AGSM#HC0 REAR56953AGSM#YB1 REAR56953AGSM#YJ1 REAR 56953 AGSM#YK1可靠性报告（4月22日-H0048-A）
Apr. 17, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
瑞萨Read4304GSP系列Read4304GSP#YK1可靠性报告（4月22日-H0039-A）
Apr. 17, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
瑞萨REAC1251JSN SERISE REAC1251JSN#GC1 REAC1251 JSN#GC2 REAC1251 JSN#HC2 REAC125 1JSn#HC3 REAC125 1JSn#HC4 REAC1251 Jsn#YB1 REAC1251 Jsn#YB5 REAC 12511 Jsn*YK1 REAC 12511 Jsn*YK5可靠性报告（4月22日-H0046-A）
Apr. 17, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
瑞萨REAC1251GSP系列REAC1251GSP#GC0 REAC1251 GSP#YK1可靠性报告（Apr-22-H0044-A）
Apr. 17, 2023
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】1250V/100A绝缘栅双极型晶体管，高压大电流变频器首选
RJP1CS06DWA / RJP1CS06DWS是瑞萨电子公司的一款绝缘栅双极型晶体管，栅极电荷总量Qg的典型值为540nC，开关上升时间典型值为60ns，下降时间典型值为160ns，驱动功率低，开关频率快。非常适合高压、大电流的变频器应用。
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NFC智能锁
本文介绍了Renesas Electronics Corporation的NFC技术在智能锁应用中的解决方案。重点介绍了PTX105R NFC控制器，其高功率传输、高灵敏度、低功耗和与现有NFC设备的互操作性。此外，还讨论了NFC在智能锁中的挑战和PTX105R的优势，包括小尺寸、低成本、易于集成和固件更新。文章还涵盖了DA1469x系列微控制器和DA14695 SmartBond模块，它们为智能锁和其他应用提供了高度集成和低功耗的解决方案。
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SLG7RN46358参考设计
本资料提供SLG7RN46358元器件的时序图表和连接示例。图表展示了IN、UVLO_AtoD、ENABLE、GATE_A、GATE_B、GATE_C、GATE_D、RESET等终端的tON和tOFF时间。连接示例展示了VDD、GATE_A、GATE_B、GATE_C、GATE_D、UVLO、nRESET、SCL、SDA、GND等引脚的连接方式。资料强调所提供数据为模拟数据，未在实际机器上测试，需自行测试确保无缺陷。
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RA系列入门级系列RA2E2微控制器简介
Renesas Electronics Corporation发布了RA Family系列中的RA2E2微控制器。RA2E2是一款低功耗、高集成度的微控制器，适用于多种应用场景，包括家用电器、医疗保健、工业自动化和建筑自动化等。该产品具有以下特点：基于Arm® Cortex®-M23核心，最高64KB闪存和8KB RAM，支持I3C接口，具有小型封装选项，包括最小的WLCSP封装。RA2E2还提供了灵活的软件包（FSP），允许客户重用其遗留代码，并与来自Arm生态系统的合作伙伴的软件相结合，以加快复杂连接和安全功能的实施。
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为RL78系列推出基于LoRa®的解决方案
本文介绍了基于LoRa技术的RL78系列微控制器解决方案。内容包括LoRa和LoRaWAN技术的概述、无线通信标准比较、LPWA标准比较、应用示例、RL78系列解决方案的特点、功耗和无线性能、通信软件、网络拓扑示例、LoRaWAN堆栈软件、RF驱动软件、评估工具、应用示例、软件开发环境、合作伙伴以及基于LoRa的解决方案网页。
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智能模拟单片机RL78/I1E介绍
本资料介绍了Renesas Electronics的Smart Analog MCU RL78/I1E系列。资料详细阐述了该系列MCU的特点、应用领域和性能优势，包括其低功耗、高集成度和丰富的模拟功能。此外，资料还提供了产品规格、技术参数和设计指南，旨在帮助工程师进行相关产品的设计和开发。
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RL78/G22组MCU NPI概述
Renesas Electronics Corporation发布RL78/G22 GROUP MCU，该系列MCU具备低功耗、高灵敏度电容触摸功能，适用于电池供电的物联网设备。主要特点包括32MHz RL78-S3 CPU核心、32KB/64KB闪存、4KB SRAM、多种封装选项，以及37.5uA/MHz的运行模式功耗。适用于通用、物联网、电池供电设备、家用电器、工业和消费电子等领域。
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AN-CM-293 DC-DC过电流保护应用笔记
本应用笔记详细介绍了如何在SLG46585 DC/DC转换器中启用过流保护（OCP）功能，尤其是在输出电压为3V或3.3V时。笔记中包含了设计文件和电路图，解释了当输出电压设定为3V或3.3V时，如何通过特定的应用电路和内部设计电路来避免DC/DC转换器因过流保护而无法恢复的问题。此外，还讨论了如何通过计数器和延时功能来控制OCP事件，以及如何调整相关参数以适应不同的应用需求。
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