RJH60V2BDPP-M0 600V - 12A - IGBT Application: Inverter Datasheet
发布时间:
2018-08-02
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
RENESAS(瑞萨电子)
型号:
RJH60V2BDPP-M0; RJH60V2BDPP-M0#T2
本数据手册详细介绍了RJH60V2BDPP-M0型600V-12A绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的技术规格与应用特性。该器件基于先进的沟槽栅极和薄晶圆技术设计,具备低集电极到发射极饱和电压(VCE(sat)典型值为1.6V)和高速开关性能(开启时间tf典型值为75ns),有助于提升系统效率。此外,其内置快速恢复二极管(典型值为25ns),并拥有6μs的典型短路承受时间,能够适应严苛的工况要求。该产品主要适用于逆变器等电力电子应用场景,资料中同时涵盖了绝对最大额定值及应用注意事项,为工程师的设计选型提供参考。基于该方案,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
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Renesas(瑞萨电子) 2017K REL EOL/LTB注册(RECN)通知
2017年06月01日
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Renesas(瑞萨电子) EISUI 遗留产品Pre_EOL通知(RECN GPS-SNE)
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RJH60F5DPQ-A0硅N沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关数据手册(中文)
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分立功率器件产品内箱标签位置更改产品咨询(PA)(BL202301967)
8/2/2023
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Renesas(瑞萨电子) RJH60F5DPQ-A0数据手册(英文)
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Renesas(瑞萨电子)产品计划停产及停产通知(SAF-B-18-0001/0002)
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Renesas报废通知(SAF-B-20-0010)
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Renesas(瑞萨电子) RJH60D1DPE数据手册
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【PCN】瑞萨报废通知REL产品操作变更(191226)
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RJH60D7BDPQ-E0绝缘栅双极晶体管数据手册(中文)
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【EOL】瑞萨终止使用通知(SAF-B-19-0004-2)
April 14th, 2020
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Renesas(瑞萨电子) RJH60D5DPK数据手册
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产品寿命终止通知(SAF-B-22-0010)
12 December 2022
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产品寿命终止通知(SAF-B-23-0016)
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RJH60F6DPQ-A0 600 V-45 A-IGBT高速电源切换数据表
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RJH60M2DPE 600V - 12A -绝缘栅双极晶体管 应用: 逆变器 数据手册
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RJH60M3DPE 600V-17A-IGBT应用:逆变器数据表
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RJH60M0DPQ-E0 600V-22A-IGBT应用:逆变器数据表
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Renesas(瑞萨电子) RJH60D2DPP-M0数据手册
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Renesas(瑞萨电子) RJH60D2DPE数据手册
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Renesas(瑞萨电子) RJH60D5BDPQ-E0数据手册
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RJH60F0DPQ-A0 600 V-25 A-IGBT 600 V-25 A-IGBT数据表
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RJH60F0DPK硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJH60T4DPQ-A0硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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Renesas(瑞萨电子) RJH60D1DPP-M0数据手册
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Renesas(瑞萨电子) RJH60D7BDPQ-E0数据手册(英文)
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RJH60D0DPK 600V-22A-IGBT Application: Inverter数据手册
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Renesas RJH60F5DPQ N沟道绝缘栅双极晶体管的Vgs参数为30V,一般应用时驱动电平的经典值是多少呢?
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世强AI
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应用/方案
离散和功率设备为广泛的高性能应用提供强健、可靠的解决方案
本资料介绍了Renesas公司提供的离散和功率器件,包括晶闸管/硅控整流器、IGBT和功率MOSFET。资料详细介绍了这些器件的特点、技术参数和应用领域,旨在支持高性能应用,提高系统性能并减小尺寸和重量。资料还包含了产品线、技术规格和销售办公室信息。
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获胜的组合解决方案建议
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【产品】600V/10A TO-220FL封装绝缘栅双极型晶体管 RJH60D1DPP-M0,短路耐受时间典型值为5us
瑞萨公司推出型号为RJH60D1DPP-M0的600V-10A-IGBT,短路耐受时间为5us,饱和电压低,内置快速恢复二极管,适合在逆变器中使用。
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IGBT与MOSFET:近距离应用实例分析
本文分析了IGBT与MOSFET在电机逆变器应用中的性能对比。通过设定设计要求,对两种器件的损耗进行了估算,并比较了它们的导通损耗和开关损耗。结果表明,在较高频率下,IGBT由于开关损耗性能较好(较低的二极管恢复损耗)而具有优势;而在较低频率(例如低于8kHz)下,MOSFET由于导通损耗较低(MOSFET没有像IGBT那样的正向特性“膝部”)而具有优势。建议在实际应用条件测试样机后再做最终选择。
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【产品】600V/30A IGBT RJH60T04DPQ-A1,TO-247A直插封装,结壳热阻仅为0.6℃/W
RJH60T04DPQ-A1是一款由Renesas公司推出的IGBT器件,该器件采用沟槽栅极和薄晶圆技术,其封装内内置了快速恢复二极管。其采用TO-247A直插封装,结壳热阻仅为0.6℃/W,具有出色的导热性能,非常适合应用于电流谐振应用中。
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