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NP20N10YDF MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Data Sheet
发布时间: 2018-08-02
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
RENESAS(瑞萨电子)
型号:
NP20N10YDF; NP20N10YDF-E1-AY; NP20N10YDF-E2-AY
本数据手册详细介绍了NP20N10YDF型N沟道MOS场效应晶体管的技术规格与应用参数。该器件专为高电流开关应用设计,具备低导通电阻与低电容特性,其RDS(on)最大值仅为55mΩ,典型输入电容低至1000pF,并支持逻辑电平驱动,能够有效提升系统效率。此外,该产品通过了严格的AEC-Q101认证,完全符合汽车级应用标准,确保在严苛环境下的可靠性。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,NP20N10YDF在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP20N10YDF数据手册
Rev.1.00
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品寿命终止通知(SAF-B-23-0016)
11 December 2023
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP20P04SLG数据手册
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Renesas(瑞萨电子)REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)(2018K)
2018年6月
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP20P06YLG数据手册
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产品变更通知及停产信息 - 英文
SAF-B-21-0008-2:本通知的目的是传达瑞萨电子(Renesas Electronics)已开始对部分零件号进行寿命终止(EOL)处理。
17 June 2021
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数据手册 - 英文
NP20P04SLG-40V–-20A–P沟道功率MOSFET规格书
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP20P06SLG数据手册
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用于UHF调谐器的MOS场效应晶体管3SK255 RF放大器N沟道SI双栅MOS场效应晶体管4引脚超小型模具
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用于UHF波段功率放大器的LDMOS场效应晶体管NEM090303M-28 N沟道硅功率MOSFET
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用于2 W+10 W VHF至L波段单端功率放大器的LDMOS场效应晶体管NE55410GR N沟道硅功率LDMOS FET
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NP33N075YDF MOS场效应晶体管数据表
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NP90N055MUH、NP90N055NUH、NP90n055PUH MOS场效应晶体管
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NP90N055MDH、NP90N055NDH、NP90n055PDH MOS场效应晶体管
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NP90N04MUH、NP90N04NUH、NP90n04PUH MOS场效应晶体管
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NP100N04MUH、NP100N04NUH、NP100n04PUH MOS场效应晶体管
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NP100N055MDH、NP100N055NDH、NP100n055PDH MOS场效应晶体管
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NP100N055MUH、NP100N055NUH、NP100n055PUH MOS场效应晶体管
December 2007
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Renesas(瑞萨电子) MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP75N04YUG数据手册
2010年07月01日
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Renesas(瑞萨电子) 2SJ648 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas(瑞萨电子) 2SJ557A P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas(瑞萨电子) 2SJ626 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas(瑞萨电子) 2SK3664 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas(瑞萨电子) 2SJ621 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D15634EJ1V0DS00
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
汽车成功产品组合
瑞萨电子推出互补性产品组合,包括模拟、电源、嵌入式处理和连接产品,共同协作提供全面解决方案。资料详细介绍了瑞萨电子在汽车领域的成功产品组合,涵盖模拟与电源战略、微控制器、R-CAR系统级芯片解决方案、AD/ADAS、驾驶舱、E/E架构、xEV和汽车控制等应用。此外,还介绍了瑞萨电子的传感器解决方案、电源管理IC、视频信号处理、无线充电、汽车高清链接、栅极驱动单元、功率MOSFET、IGBT、智能功率器件、雷达收发器和可配置混合信号IC等产品。
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汽车行业的制胜组合:模拟、电源、嵌入式处理和连接相结合,提供全面的解决方案。
本文介绍了Renesas在汽车电子领域的综合解决方案,包括模拟、电源、嵌入式处理和连接性产品。文章重点介绍了Renesas的“Winning Combinations”策略,通过匹配的产品组合,提供参考设计和解决方案,以减少研发时间和成本。文章涵盖了传感器信号调理、电源管理IC、门驱动器、视频信号处理、无线充电、雷达收发器、触觉驱动器、LED背光驱动器、可配置混合信号IC、微控制器和SoC等多种产品和技术。
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【产品】采用TO-252封装的N沟道MOS场效应晶体管NP32N055SLE,专为大电流开关应用而设计
瑞萨推出的NP32N055SLE是为大电流开关应用而设计的N沟道MOS场效应晶体管,采用TO-252封装,具有超低导通电阻。
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【产品】175℃耐高温N沟道MOS场效应晶体管,专为高电流开关应用而设计
RENESAS推出的NP35N04YLG是一款N沟道MOS场效应晶体管。漏源电压为40V(VGS=0V),栅源电压为±20V(VDS=0V),漏电流ID(DC)=±35A(TC = 25°C),漏电流ID(脉冲)=±105A,操作和储存结温范围是-55℃~175℃,满足军品级器件的温度要求,具有极高的稳定性,且符合AEC-Q101标准,适用于半导体照明,新能源逆变器,高电流开关和汽车电子等领域。
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