NP33N06YDG MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Data Sheet
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
NP33N06YDG; NP33N06YDG -E1-AY; NP33N06YDG -E2-AY
本数据手册详细介绍了NP33N06YDG型号N通道MOS场效应晶体管的技术参数与应用特性。该器件专为高电流开关应用场景打造，核心优势在于具备低导通电阻与低Ciss电容，其RDS(on)最大值为14mΩ，Ciss典型值为2600pF，有效提升了能效与响应速度。作为逻辑电平驱动类型的晶体管，NP33N06YDG采用小型8引脚HSON封装，专为汽车应用设计并严格符合AEC-Q101标准，能够适应严苛的车规环境要求。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Renesas（瑞萨电子）汽车电子功率器件MOSFET NP33N06YDG数据手册
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产品寿命终止通知（SAF-B-23-0016）
11 December 2023
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NP33N075YDF MOS场效应晶体管数据表
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Renesas（瑞萨电子）REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)（2018K）
2018年6月
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Renesas（瑞萨电子）汽车电子功率器件MOSFET NP33N075YDF数据手册
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NP75N04YUG MOS场效应晶体管数据表
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用于UHF调谐器的MOS场效应晶体管3SK255 RF放大器N沟道SI双栅MOS场效应晶体管4引脚超小型模具
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NP89N055PUK MOS场效应晶体管数据表
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用于UHF波段功率放大器的LDMOS场效应晶体管NEM090303M-28 N沟道硅功率MOSFET
1st edition
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NP89N055MUK，NP89N055NUK MOS场效应晶体管数据表
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用于2 W+10 W VHF至L波段单端功率放大器的LDMOS场效应晶体管NE55410GR N沟道硅功率LDMOS FET
3rd edition
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NP60N04VUK MOS场效应晶体管数据表
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NP35N04YLG MOS场效应晶体管数据表
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NP89N04MUK，NP89N04NUK MOS场效应晶体管数据表
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NP82N10PUF MOS场效应晶体管数据表
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NP23N06YDG MOS场效应晶体管数据表
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NP100N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP90N04VUK MOS场效应晶体管数据表
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NP89N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP20N10YDF MOS场效应晶体管数据表
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NP109N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP180N055TUK MOS场效应晶体管数据表
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NP110N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP180N04TUK MOS场效应晶体管数据表
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NP160N04TUK MOS场效应晶体管数据表
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NP90N055MDH、NP90N055NDH、NP90n055PDH MOS场效应晶体管
3rd edition
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NP90N055MUH、NP90N055NUH、NP90n055PUH MOS场效应晶体管
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NP90N04MUH、NP90N04NUH、NP90n04PUH MOS场效应晶体管
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NP100N055MDH、NP100N055NDH、NP100n055PDH MOS场效应晶体管
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NP100N04MUH、NP100N04NUH、NP100n04PUH MOS场效应晶体管
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NP100N04MDH、NP100N04NDH、NP100n04PDH MOS场效应晶体管
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NP100N055MUH、NP100N055NUH、NP100n055PUH MOS场效应晶体管
December 2007
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Renesas（瑞萨电子） MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP75N04YUG数据手册
2010年07月01日
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Renesas（瑞萨电子） MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP160N04TDG数据手册
D18761EJ2V0DS
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Renesas（瑞萨电子） 2SJ647 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D16530EJ1V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） 2SJ648 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas（瑞萨电子） 2SK3663 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D16529EJ1V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） 2SJ557A P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D19059EJ2V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） 2SJ626 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D15962EJ1V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） 2SJ621 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D15634EJ1V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） 2SJ625 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D15961EJ1V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） 2SK3664 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas（瑞萨电子） 2SK3107 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D13802EJ4V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） μPA1870B N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
G16741EJ1V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） μPA1873 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas（瑞萨电子） 2SJ624 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
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Renesas（瑞萨电子） μPA1857 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
G15060EJ2V0DS00
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Renesas（瑞萨电子） 2SK3408 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D15016EJ4V0DS00
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应用/方案
【产品】采用TO-252封装的N沟道MOS场效应晶体管NP32N055SLE，专为大电流开关应用而设计
瑞萨推出的NP32N055SLE是为大电流开关应用而设计的N沟道MOS场效应晶体管，采用TO-252封装，具有超低导通电阻。
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【产品】175℃耐高温N沟道MOS场效应晶体管，专为高电流开关应用而设计
RENESAS推出的NP35N04YLG是一款N沟道MOS场效应晶体管。漏源电压为40V（VGS=0V），栅源电压为±20V（VDS=0V），漏电流ID（DC）=±35A（TC = 25°C），漏电流ID（脉冲）=±105A，操作和储存结温范围是-55℃~175℃，满足军品级器件的温度要求，具有极高的稳定性，且符合AEC-Q101标准，适用于半导体照明,新能源逆变器,高电流开关和汽车电子等领域。
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