NP89N055MUK, NP89N055NUK MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Data Sheet
发布时间:
2018-08-02
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
RENESAS(瑞萨电子)
型号:
NP89N055MUK; NP89N055NUK; NP89N055MUK-S18-AY; NP89N055NUK-S18-AY
本数据手册详细介绍了NP89N055MUK和NP89N055NUK两款N沟道MOS场效应晶体管,专为高电流开关应用设计。该器件核心优势在于具备超低导通电阻,RDS(on) ≤ 4.4 mΩ,同时保持低Ciss特性(典型值4000 pF),有助于提升能效。产品符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用,绝对最大额定值涵盖VDSS 55 V、ID(DC) ±90 A,并支持高达175°C的通道温度及重复雪崩能量108 mJ,确保了在严苛环境下的可靠性。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP89N055MUK,NP89N055NUK数据手册
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SAF-B-21-0012产品寿命终止通知
10 December 2021
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP89N04PUK数据手册
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产品寿命终止通知(SAF-B-23-0016)
11 December 2023
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP55N04SLG数据手册
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Renesas(瑞萨电子)REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)(2018K)
2018年6月
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP89N04MUK,NP89N04NUK数据手册
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NP89N055PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP89N04MUK,NP89N04NUK MOS场效应晶体管数据表
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NP89N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP89N055PUK数据手册
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NP89N04PDK 40 V–90 A–N沟道功率MOS FET应用:汽车数据表
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP89N04PDK数据手册
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NP75N04YUG MOS场效应晶体管数据表
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用于UHF调谐器的MOS场效应晶体管3SK255 RF放大器N沟道SI双栅MOS场效应晶体管4引脚超小型模具
3rd edition
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NP33N06YDG MOS场效应晶体管数据表
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用于UHF波段功率放大器的LDMOS场效应晶体管NEM090303M-28 N沟道硅功率MOSFET
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NP35N04YLG MOS场效应晶体管数据表
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用于2 W+10 W VHF至L波段单端功率放大器的LDMOS场效应晶体管NE55410GR N沟道硅功率LDMOS FET
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NP60N04VUK MOS场效应晶体管数据表
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NP82N10PUF MOS场效应晶体管数据表
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NP23N06YDG MOS场效应晶体管数据表
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NP100N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP90N04VUK MOS场效应晶体管数据表
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NP20N10YDF MOS场效应晶体管数据表
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NP33N075YDF MOS场效应晶体管数据表
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NP109N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP180N055TUK MOS场效应晶体管数据表
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NP110N04PUK MOS场效应晶体管数据表
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NP180N04TUK MOS场效应晶体管数据表
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NP160N04TUK MOS场效应晶体管数据表
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NP90N055MUH、NP90N055NUH、NP90n055PUH MOS场效应晶体管
3rd edition
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NP90N055MDH、NP90N055NDH、NP90n055PDH MOS场效应晶体管
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NP90N04MUH、NP90N04NUH、NP90n04PUH MOS场效应晶体管
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NP100N055MDH、NP100N055NDH、NP100n055PDH MOS场效应晶体管
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NP100N04MUH、NP100N04NUH、NP100n04PUH MOS场效应晶体管
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NP100N055MUH、NP100N055NUH、NP100n055PUH MOS场效应晶体管
December 2007
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NP100N04MDH、NP100N04NDH、NP100n04PDH MOS场效应晶体管
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Renesas(瑞萨电子) MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP75N04YUG数据手册
2010年07月01日
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Renesas(瑞萨电子) MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP160N04TDG数据手册
D18761EJ2V0DS
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Renesas(瑞萨电子) 2SJ647 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D16530EJ1V0DS00
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Renesas(瑞萨电子) 2SJ648 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D16597EJ2V0DS00
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Renesas(瑞萨电子) 2SJ626 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D15962EJ1V0DS00
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Renesas(瑞萨电子) 2SK3663 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册
D16529EJ1V0DS00
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
汽车成功产品组合
瑞萨电子推出互补性产品组合,包括模拟、电源、嵌入式处理和连接产品,共同协作提供全面解决方案。资料详细介绍了瑞萨电子在汽车领域的成功产品组合,涵盖模拟与电源战略、微控制器、R-CAR系统级芯片解决方案、AD/ADAS、驾驶舱、E/E架构、xEV和汽车控制等应用。此外,还介绍了瑞萨电子的传感器解决方案、电源管理IC、视频信号处理、无线充电、汽车高清链接、栅极驱动单元、功率MOSFET、IGBT、智能功率器件、雷达收发器和可配置混合信号IC等产品。
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汽车行业的制胜组合:模拟、电源、嵌入式处理和连接相结合,提供全面的解决方案。
本文介绍了Renesas在汽车电子领域的综合解决方案,包括模拟、电源、嵌入式处理和连接性产品。文章重点介绍了Renesas的“Winning Combinations”策略,通过匹配的产品组合,提供参考设计和解决方案,以减少研发时间和成本。文章涵盖了传感器信号调理、电源管理IC、门驱动器、视频信号处理、无线充电、雷达收发器、触觉驱动器、LED背光驱动器、可配置混合信号IC、微控制器和SoC等多种产品和技术。
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产品侦察车
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离散和功率设备为广泛的高性能应用提供强健、可靠的解决方案
本资料介绍了Renesas公司提供的离散和功率器件,包括晶闸管/硅控整流器、IGBT和功率MOSFET。资料详细介绍了这些器件的特点、技术参数和应用领域,旨在支持高性能应用,提高系统性能并减小尺寸和重量。资料还包含了产品线、技术规格和销售办公室信息。
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本资料主要介绍了Renesas公司在模拟和离散元器件领域的解决方案,涵盖了高精度信号链设计所需的各类产品。内容包括数字电源监控、多单元电池管理、放大器、数据转换器、接口等,旨在为仪器、医疗、通信和工业过程控制等应用提供创新、可靠和可信赖的解决方案。资料详细介绍了各产品的性能特点、应用场景和关键参数。
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