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NP75N04VUK 40 V – 75 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Data Sheet
发布时间: 2018-08-02
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
RENESAS(瑞萨电子)
型号:
NP75N04VUK; NP75N04VUK-E1-AY; NP75N04VUK-E2-AY
本数据手册详细介绍了NP75N04VUK型号N沟道功率MOS场效应晶体管的技术规格与应用特性。该器件专为高电流开关应用设计,具备卓越的电气性能,其超低导通电阻(RDS(on) ≤ 5.7 mΩ)和低输入电容(Ciss = 1630 pF TYP.)有效提升了能效与响应速度。此外,该产品严格遵循汽车行业标准,符合AEC-Q101认证,并采用无铅环保工艺,能够满足汽车电子等严苛环境下的可靠性要求。针对文中所述器件,原厂在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可依托平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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资料平台
数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子) 40 V–75 A–N-channel Power MOSFET NP75N04VUK数据手册
2012年11月20日
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品寿命终止通知(SAF-B-23-0016)
11 December 2023
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子) MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP75N04YUG数据手册
2010年07月01日
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子) 40 V–75 A–N-channel Power MOSFET NP75N04YUK数据手册
2013年02月08日
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP75P04YLG数据手册
Rev.2.00
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数据手册 - 英文
NP75N04VDK 40 V–75 A–N沟道功率MOS FET应用:汽车数据表
Rev.1.00
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Renesas(瑞萨电子) NP75N055YUK 55V–75A–N-channel Power MOSFET数据手册
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Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP75P03YDG数据手册
Rev.2.00
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数据手册 - 英文
NP75N04YUG MOS场效应晶体管数据表
Rev.1.00
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子) 40 V–75 A–N-channel Power MOSFET NP75N04VDK数据手册
2013年02月21日
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数据手册 - 英文
Renesas(瑞萨电子)汽车电子功率器件MOSFET NP50P03YDG数据手册
Rev.2.00
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数据手册 - 英文
XK33L161L322L644i XK晶体振荡器(PROXO II)规格书附录
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数据手册 - 英文
用于RapidCharge™的IW9861超低待机功耗AC/DC数字准谐振反激式控制器产品概要
Rev.0.01
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产品勘误说明 - 英文
更正用户手册中的错误描述通知RL78/G16描述:硬件版本1.00更改技术更新(TN-RL*-A0126A/E)
Rev. 1.00
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产品勘误说明 - 英文
添加对独占访问技术更新的限制(TN-RA*-A0098A/E)
Rev. 1.00
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产品勘误说明 - 英文
对共享同一从机接口的外设进行连续总线访问期间的中断注意事项技术更新(TN-RA*-A0084B/E)
Rev. 2.00
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封装信息/封装结构图 - 英文
集成电路用塑料封装
Rev 2
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封装信息/封装结构图 - 英文
HS300x-MCx系列,16.0 X 24.0 X 6.5 mm模块BD0封装外形图
Revision: 06
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封装信息/封装结构图 - 英文
110-WBBGA 7.00 X 7.50 X 0.99 mm主体,0.65mm mm间距BV0110AA封装外形图
Revision: 00
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封装信息/封装结构图 - 英文
16.3 X 17.0 X 2.20 mm模块ML0100AB封装外形图
Revision: 00
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封装信息/封装结构图 - 英文
40-DSBGA 2.13 X 3.25 X 0.60 mm主体,0.40 mm间距AZR40D1封装外形图
Revision: 02
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封装信息/封装结构图 - 英文
15-WLCSP 1.61 X 2.41 X 0.6 mm主体,0.4mm间距AHG15D1封装外形图
Revision: 01
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封装信息/封装结构图 - 英文
20-WLCSP 1.565 X 1.825 X 0.50 mm,0.35mm间距AWQ20D1封装外形图
Revision: 04
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封装信息/封装结构图 - 英文
RH1CM300 22.53 X 22.66 X 1.47 mm模块ML0138AA封装外形图
Revision: 00
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封装信息/封装结构图 - 英文
14-DFN 4.0 X 3.0 X 0.85 mm主体,0.5 mm间距NRG14S1封装外形图
Revision: 02
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封装信息/封装结构图 - 英文
24-VFQFPN 4.0 X 4.0 X 0.9 mm主体,0.5mm间距NLG24P1封装外形图
Revision: 05
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封装信息/封装结构图 - 英文
NBG24S1 24-VFQFPN 4.0 X 4.0 X 0.75 mm主体,0.5mm间距封装外形图
Revision: 01
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封装信息/封装结构图 - 英文
MOD1 10.00 X 9.00 mm主体,2.00mm间距,RAA2SM0005封装外形图
Revision: 02
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封装信息/封装结构图 - 英文
NCG8P1 8-DFN 2.0 X 3.0 X 0.75 mm主体,0.5mm间距封装外形图
Revision: 05
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封装信息/封装结构图 - 英文
RYZ024A 16.3 X 17.0 X 1.90 mm模块封装外形图
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封装信息/封装结构图 - 英文
NBG8P5 8-DFN 2.0 X 2.0 X 0.9 mm,0.5mm间距封装外形图
Revision: 01
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封装信息/封装结构图 - 英文
L32.3x5 32引脚倒装芯片薄型四方扁平无引脚封装(FCTQFN)外形图
Rev 0
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技术论坛
请问汽车级MOSFET NP75N04VDK 40V/75A的导通电阻RDS(on)为多少?
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你好,想找能P2P替换英飞凌的高边MOS开关IPC70N04S54R6ATMA1,需要车规,请帮忙推荐,谢谢!
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无主机倒车雷达项目中需一颗P沟道MOSFET,要求过车规,VDS 40V左右,ID 要60A以上,导通阻抗最好10mΩ以内,温度范围越高越好,是否有合适推荐?
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应用/方案
汽车成功产品组合
瑞萨电子推出互补性产品组合,包括模拟、电源、嵌入式处理和连接产品,共同协作提供全面解决方案。资料详细介绍了瑞萨电子在汽车领域的成功产品组合,涵盖模拟与电源战略、微控制器、R-CAR系统级芯片解决方案、AD/ADAS、驾驶舱、E/E架构、xEV和汽车控制等应用。此外,还介绍了瑞萨电子的传感器解决方案、电源管理IC、视频信号处理、无线充电、汽车高清链接、栅极驱动单元、功率MOSFET、IGBT、智能功率器件、雷达收发器和可配置混合信号IC等产品。
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汽车行业的制胜组合:模拟、电源、嵌入式处理和连接相结合,提供全面的解决方案。
本文介绍了Renesas在汽车电子领域的综合解决方案,包括模拟、电源、嵌入式处理和连接性产品。文章重点介绍了Renesas的“Winning Combinations”策略,通过匹配的产品组合,提供参考设计和解决方案,以减少研发时间和成本。文章涵盖了传感器信号调理、电源管理IC、门驱动器、视频信号处理、无线充电、雷达收发器、触觉驱动器、LED背光驱动器、可配置混合信号IC、微控制器和SoC等多种产品和技术。
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【应用】瑞萨提供车载无线充电解决方案,符合Qi 1.3标准,无线电源传输效率高达75%
人们对无线充电技术的需求日益增长,借助无线充电技术,在车内即可方便地充电。 瑞萨电子提供的车载无线充电解决方案符合Qi 1.3标准,支持功能安全。该方案采用P9261-3C无线充电发射器,可向三个线圈供电,系统可充电面积大、传输效率高。
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电机解决方案用户友好的电机控制开发环境,缩短上市时间
Renesas提供全面的电机解决方案,包括电机类型、控制方法、传感器特性和相关设备。资料详细介绍了不同类型的电机(如BLDC、步进电机、感应电机)及其控制方法(如120度导通控制和矢量控制),并提供了相应的开发工具和评估系统。此外,资料还涵盖了各种电机控制IC、MOSFET、门驱动器、电源管理器件等,旨在帮助客户缩短产品上市时间,实现绿色社会。
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产品侦察车
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产品侦察车
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NFC智能锁
本文介绍了Renesas Electronics Corporation的NFC技术在智能锁应用中的解决方案。重点介绍了PTX105R NFC控制器,其高功率传输、高灵敏度、低功耗和与现有NFC设备的互操作性。此外,还讨论了NFC在智能锁中的挑战和PTX105R的优势,包括小尺寸、低成本、易于集成和固件更新。文章还涵盖了DA1469x系列微控制器和DA14695 SmartBond模块,它们为智能锁和其他应用提供了高度集成和低功耗的解决方案。
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离散和功率设备为广泛的高性能应用提供强健、可靠的解决方案
本资料介绍了Renesas公司提供的离散和功率器件,包括晶闸管/硅控整流器、IGBT和功率MOSFET。资料详细介绍了这些器件的特点、技术参数和应用领域,旨在支持高性能应用,提高系统性能并减小尺寸和重量。资料还包含了产品线、技术规格和销售办公室信息。
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模拟集成电路和离散电路
本资料主要介绍了Renesas公司在模拟和离散元器件领域的解决方案,涵盖了高精度信号链设计所需的各类产品。内容包括数字电源监控、多单元电池管理、放大器、数据转换器、接口等,旨在为仪器、医疗、通信和工业过程控制等应用提供创新、可靠和可信赖的解决方案。资料详细介绍了各产品的性能特点、应用场景和关键参数。
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【经验】车规AEC-Q101认证N型MOS NP75N04YUK在汽车燃油泵中的应用
油泵是汽车发动机燃油供给系统的重要部件,因此,在设计中选择合适的驱动MOS在油泵中的应用是至关重要的。特分享瑞萨的N型MOS NP75N04YUK,其工作温度为-55℃-175℃,轻松满足汽车油泵中的温度要求。最后,NP75N04YUK符合车规AEC-Q101认证。
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SLG7RN46358参考设计
本资料提供SLG7RN46358元器件的时序图表和连接示例。图表展示了IN、UVLO_AtoD、ENABLE、GATE_A、GATE_B、GATE_C、GATE_D、RESET等终端的tON和tOFF时间。连接示例展示了VDD、GATE_A、GATE_B、GATE_C、GATE_D、UVLO、nRESET、SCL、SDA、GND等引脚的连接方式。资料强调所提供数据为模拟数据,未在实际机器上测试,需自行测试确保无缺陷。
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