RJK4007DPP-M0 Silico_代理商_研发采购服务

RJK4007DPP-M0 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Datasheet

发布时间： 2018-08-02

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

RJK4007DPP-M0; RJK4007DPP-M0-T2

本数据手册详细介绍了RJK4007DPP-M0型硅N沟道MOSFET高压开关器件的技术规格与应用参数。作为一款专为高速功率开关设计的器件，该产品具备低导通电阻特性，其典型RDS(on)值仅为0.47Ω（测试条件为ID=7A, VGS=10V, Ta=25°C），同时兼具低漏电流优势，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。资料内容涵盖了该器件的详细电气特性、封装尺寸及订购信息，为工程师在高速开关应用场景下的设计与选型提供了关键参考。Renesas在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。

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加工定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

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可定制车载智能天线频率：20kHz、114.5 kHz、120- kHz、125 kHz、134 kHz、134.2kHz、134.5 kHz；工作温度范围：-40ºC to ~125ºC；电感范围：100~734；符合AEC-Q200（汽车质量标准）和IP68标准；

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资料平台

产品变更通知及停产信息 - 英文	产品寿命终止通知（SAF-B-22-0012） 12 December 2022	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	Renesas（瑞萨电子）REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)（2018K） 2018年6月	下载
数据手册 - 英文	RJK5020DPK硅N沟道MOSFET高速功率开关 Rev.3.00	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	关于撤销瑞萨模具材料UL认证的补充通知（QA21-010） March 18, 2021	下载
技术文档 - 英文	RJP60F7DPK 600V-50A-IGBT高速功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK5018DPK Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	RJH60F5BDPQ-A0 600V-40A-IGBT高速功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK5015DPK硅N沟道MOSFET高速功率开关 Rev.3.00	下载
技术文档 - 英文	RJH60F5DPQ-A0 600V-40A-IGBT高速功率开关 Rev.2.00	下载
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技术文档 - 英文	RJH1BF6RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关 Rev.1.00	下载
技术文档 - 英文	RJP6085DPK硅n沟道IGBT高速功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0353DPA 30V，35A，5.2mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表 Rev.5.00	下载
技术文档 - 英文	RJH60F5DPK硅n沟道IGBT高速功率开关 Rev.3.00	下载

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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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