4200-BTI-A Ultra-Fast NBTI/PBTI Package for the Model 4200-SCS
发布时间：
2018-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
TEKTRONIX
型号：
4200-SCS; 4225-PMu; 4225-rPM; 4210-MMPC-C; 4210-MMPC-L; 4210-MMPC-S; 4210-MMPC-W; 4200-PMU-PROBER-KIT; 4200-bTI-a
加工定制
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
4200-SCS参数分析仪技术数据
Rev. O
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| 测试报告 - 英文 |
探索材料科学或设备开发的边界？学习确保电气测量精度的最新技术
REV 08.31.10
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| 测试报告 - 英文 |
探索材料科学或设备开发的边界？学习确保电气测量精度的最新技术
9.13
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4200A-SCS参数分析仪产品技术资料
2019/10/23
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4200A-SCS 参数分析仪产品技术资料
2018/07/03
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4200A-SCS 参数分析仪 产品技术资料
2017/12/22
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| 技术文档 - 英文 |
型号4200-PMU-PROBER-KIT 4225-PMU和4220-PGU SMU和BNC互连套件
Rev. D
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4200-SCS型半导体表征系统解密和安全说明
v121515
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| 测试报告 - 英文 |
提高测量速度和整体测试提高测量速度和整体测试提高模型速度和整体测试时间
2017/12/21
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| 技术文档 - 英文 |
实现更快、更容易的探针连接并防止耗时的测量错误Keithley提供了唯一能够处理I-V、C-V和脉冲I-V信号的探针电缆
2017/12/27
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4200-MAG-BASE、VAC-BASE和4225-RPM型探头站安装底座安装说明
Rev. B
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| 测试报告 - 英文 |
综合测试系统
2017/12/21
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| 数据手册 - 英文 |
型号4210-MMPC-C多测量探头电缆套件快速入门指南
Rev. D
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| 测试报告 - 英文 |
先进的科学研究，尖端的测试测量
8 JUNE 2016
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| 技术文档 - 英文 |
从Windows®XP移动到Windows 7®别忘了你的4200-SCS参数分析仪
02.19.14
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| 数据手册 - 中文 |
4200A-SCS 参数分析仪
2021/10/13
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| 数据手册 - 英文 |
4200A-SCS参数分析仪
2021/10/13
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4200A-SCS 参数分析仪
120120
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4200A-SCS参数分析仪
2017/12/21
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了解如何解决当今半导体器件特性化的挑战。
10.13
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4200A-SCS型参数分析仪解密及安全说明
September 2016
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4200A-SCS参数分析仪数据表
120120
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4200A-SCS参数分析仪数据表
2019/12/08
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4200A-SCS参数分析仪数据表
2017/12/22
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
KTE Interactive V9.1 Service Pack 2软件发行说明和安装说明
Rev. R
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4200A-SCS型参数分析仪
2021/9/23
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先进半导体器件与材料特性分析系统 –4200-SCS的最新技术进展
2017/12/23
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| 技术文档 - 中文 |
利用4200-SCS型参数分析仪,对碳纳米管晶体管(CNT FET)进行电气特性分析
2017/12/22
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4200-SCS型半导体表征系统复杂表征任务的简单选择
2017/12/21
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4205-PG2双通道脉冲发生器
2018/07/02
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2657A高功率System SourceMeter®SMU仪器
2021/07/05
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适配器、电缆、探头和稳定器套件
2018/07/02
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7174A高速低漏电流矩阵8×12
2013/2/23
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
超快单脉冲（UFSP）技术在信道有效迁移率测量中的应用
本文介绍了用于测量沟道有效迁移率（µeff）的新型超快速单脉冲（UFSP）技术。该技术克服了传统测量方法的速度慢、易受快速捕获影响、Vd依赖性、电缆切换、对栅极泄漏敏感和程序复杂等缺点。UFSP技术能够在几微秒内同时测量 Ich 和 Qi，无需电缆切换，并使用 Keithley 4200-SCS 系统进行测量。该技术为 CMOS 技术的工艺开发、材料选择和器件建模提供了准确可靠的迁移率评估工具。
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用于信道有效迁移率测量的超快单脉冲（UFSP）技术
本文介绍了一种新型的超快速单脉冲（UFSP）技术，用于精确测量沟道有效迁移率。该技术通过在几微秒内同时测量电流和电容，克服了传统测量方法中的速度慢、易受电荷捕获影响等缺点。UFSP技术能够提供更准确、更可靠的迁移率测量结果，适用于材料选择、工艺开发和器件建模等CMOS技术领域。
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型号4210-MMPC-C多测量探头电缆套件快速入门指南
该资料介绍了Keithley Instruments公司生产的Model 4210-MMPC-C多测量探头电缆套件的使用指南。该套件包含标准定制连接器和附件，用于进行I-V和C-V测量，并可与Keithley Model 4225-PMU或4200-PIV-A包配合进行脉冲I-V测量。指南详细说明了如何将Model 4200仪器连接到探头主体，如何安装探头电缆套件，以及不同测试场景下的具体设置，包括I-V测试（2线制和4线制）、C-V测试（2线制和4线制）以及使用4200-PIV-A和4225-PMU进行脉冲I-V测量的设置。
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一种使用单个超快脉冲测量通道有效迁移率的技术
本文介绍了一种新型超快速单脉冲技术（UFSP），用于测量MOSFET的通道有效迁移率（μeff）。该技术克服了传统测量方法的缺点，如速度慢、对栅极泄漏敏感等。UFSP技术通过在器件栅极上应用超快脉冲，同时测量源极和漏极的瞬态电流，从而在几微秒内提取μeff。文章详细介绍了UFSP技术的原理、测量步骤和所需硬件，并展示了其在不同器件上的应用效果。
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4200A-SCS型参数分析仪参考手册
本资料为Keithley Instruments公司生产的Model 4200A-SCS参数分析仪的用户手册。手册详细介绍了该分析仪的概述、连接配置、源测量单元（SMU）、脉冲测量和发生器单元、多频率电容-电压单元（CVU）以及Clarius软件的使用。内容涵盖安全注意事项、硬件配置、软件操作、测试项目和故障排除等，旨在指导用户正确使用和维护该分析仪。
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型号4210-MMPC-L多测量探头电缆套件快速入门指南
该资料为Keithley Instruments公司生产的Model 4210-MMPC-L多测量探针电缆套件的快速入门指南。指南详细介绍了该套件的使用方法，包括如何连接Model 4200-SCS仪器、探针顶帽与探针引脚之间的连接，以及不同测试场景下的具体设置，如I-V测试、C-V测试和脉冲I-V测量。此外，还提供了相关文档的链接，以及安装和使用的安全注意事项。
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使用4225-PMU脉冲测量单元和4225-RPM远程/前置放大器开关模块进行低电流脉冲I-V测量——应用笔记
本文介绍了使用4225-PMU脉冲测量单元和4225-RPM远程/前置放大器切换模块进行低电流脉冲I-V测量的方法。文章详细阐述了超快I-V测量的原理，包括脉冲I-V、瞬态I-V和脉冲源三种模式，并解释了如何通过优化测量技术，如连接补偿、低侧测量技术和屏蔽，来提高测量精度和降低噪声。此外，文章还提供了关于如何进行平均读数以减少噪声和预热测试系统的建议。
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非易失性存储器技术的脉冲I-V特性
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非易失性存储器技术的脉冲I-V特性
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非易失性内存技术脉冲 I-V 表征
本文介绍了非易失性内存技术（NVM）的脉冲I-V表征应用指南。内容涵盖NVM简史、测试要求、常用测试参数、NVM技术重要测试参数汇总、4225-PMU和4225-RPM提供的NVM表征功能、闪存测试、PRAM材料测试、FeRAM材料测试、ReRAM和CBRAM测试、优化测量以及测试设备最低配置等方面。全文旨在帮助读者了解NVM技术的测试方法和相关参数，为NVM器件的研发和应用提供参考。
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泰克半浮栅器件研发测试方案
这份资料主要涉及元器件行业的技术发展、市场趋势和关键数据。内容包括元器件市场增长预测、主要产品类别分析、市场份额分布、技术创新动态以及行业未来展望。资料中提到了关键技术和产品，如TFNJGMPBUJOHHBUFUSBOTJTUPS、OT᧔ನဋ7 7QQ等，并提供了相关数据和市场分析。
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吉时利经典测试测量和行业解决方案
吉时利提供的测试测量和行业解决方案广泛应用于半导体和材料领域。其设备可用于二极管、晶体管、IGBT等大功率器件的测试，以及光电材料、纳米材料和电化学材料的分析。此外，吉时利还提供数据采集、电源测试和低功耗测试等解决方案，适用于半导体、材料和电源设计。产品线包括2400、2450、2600B、2650A等系列SMU仪器，以及4200-SCS半导体参数分析仪等。
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吉时利经典测试测量和行业解决方案
吉时利提供的测试测量和行业解决方案专注于精度和速度，主要应用于半导体材料、光电材料、DC-DC转换器、纳米材料、IGBT等大功率器件以及电化学领域。其产品包括多种型号的源表测量单元（SMU）、数据采集系统、电源和连接器等，能够满足不同测试需求。此外，吉时利还提供针对LED、太阳能电池、纳米材料、霍尔效应、电化学材料等领域的测试解决方案。
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Keithley 4200-SCS参数分析仪在晶圆级可靠性测试中的应用
本文介绍了使用Keithley Model 4200-SCS参数分析仪进行晶圆级可靠性测试的方法。文章首先阐述了随着芯片集成度和时钟速度的提高，对器件寿命和可靠性的影响，以及晶圆级可靠性测试（WLR）的重要性。接着，详细介绍了应力-测量技术在WLR测试中的应用，包括热载流子注入（HCI）、负偏压温度不稳定性（NBTI）、电迁移（EM）、时间依赖性介电击穿（TDDB）和电荷至击穿（QBD）测试。文章还讨论了WLR测试仪器的发展趋势和需求，以及Model 4200-SCS和Model 4225-PMU超快速I-V模块的功能。最后，介绍了使用KTEI软件进行WLR测试的实例，包括HCI、NBTI、EM和QBD测试。
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非易失性存储器技术的脉冲L-V特性
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用于非易失性存储器测试的1 ns脉冲解决方案——技术简介
本文档探讨了非易失性存储器（NVM）测试中所需的1纳秒脉冲解决方案。文章介绍了不同类型的NVM，如浮栅闪存、相变存储器、电阻式存储器、磁阻存储器和铁电存储器，并讨论了测试这些存储器所需的技术。文档重点介绍了Tektronix提供的解决方案，包括任意波形发生器、示波器和变压阻抗放大器，以及如何使用这些工具进行超快速脉冲测量。此外，还提供了Fudan大学使用Tektronix解决方案进行半浮栅晶体管测试的案例研究。
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使用4200-SCS型半导体表征系统I-V、C-V、C-f、DLCP、脉冲I-V、电阻率和霍尔电压测量的光伏材料和太阳能电池的应用说明系列电气特性
本文介绍了使用Model 4200-SCS半导体表征系统对光伏材料和太阳能电池进行电气表征的方法。内容包括I-V、C-V、C-f、DLCP、脉冲I-V、电阻率和霍尔电压测量。文章详细描述了如何使用该系统进行这些测量，并提供了测试项目、测试模块和参数提取的详细信息。此外，还介绍了如何通过这些测量来评估太阳能电池的性能和效率。
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