ROHM官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商
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| 订货型号 | BR24A02FVM-WMTR | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BR24A02FVM-WM, BR24Axxx-WM | 品类 | Serial EEPROM |
| 描述/说明 | Serial EEPROM Series Automotive EEPROM 105℃ Operation I²C BUS EEPROM (2-Wire) | 封装/外壳/尺寸 | MSOP8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Grade | Automotive | I/F | I2C BUS(2-Wire) |
| Supply Status | Recommended | Density [bit] | 2kbit |
| Vcc [V] | 2.5~5.5V | Operating Temperature [℃] | -40~105℃ |
| Input Frequency (Max.)[Hz] | 400kHz | Functional Safety | FS supportive |
| Common Standard | AEC-Q100 (Automotive Grade) | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥4.7710
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| 订货型号 | RB521SM-30T2R | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RB521SM-30 | 品类 | Diode |
| 描述/说明 | Diode with low VF, low IR and high ESD strength | 封装/外壳/尺寸 | EMD2 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | Reverse Voltage VR [V] | 30V |
| Average Rectified Forward Current IO [A] | 0.2A | Forward Voltage VF (Max.)[V] | 0.47V |
| IF @ Forward Voltage [A] | 0.2A | Reverse Current IR (Max.)[mA] | 0.03mA |
| VR @ Reverse Current[V] | 10V | ||
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￥0.0666
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78,652
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| 订货型号 | RUM001L02T2CL | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM001L02 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 1.2V Drive Nch MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 20V |
| Drain Current ID [A] | 0.1A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 6Ω |
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￥0.1859
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| 订货型号 | RLD90QZWJ-10B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RLD90QZWJ series | 品类 | Laser Diode |
| 描述/说明 | Laser Diode are designed and manufactured for application in ordinary electronic equipment (such as AV equipment, OA equipment, telecommunication equipment, home electronics appliances, amusement equipment, etc.). | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
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￥18.5537
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| 订货型号 | RUM002N05T2L | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM002N05 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | VMT3 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 50V |
| Drain Current ID [A] | 0.2A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 2.4Ω |
| Drive Voltage [V] | 1.2V | ||
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￥0.4245
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| 订货型号 | UDZVTE-176.2B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV6.2B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 6.2V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Junction temperature(℃) | 150℃ | Power dissipation(mW) | 200mW |
| Zener Voltage(V) | 6.06~6.33V | IZ @ VZ(mA) | 5mA |
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥0.0862
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| 订货型号 | BD9D320EFJ-E2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BD9D320EFJ | 品类 | DC/DC Converter |
| 描述/说明 | 4.5V to 18V Input, 3.0A Integrated MOSFET 1ch Synchronous Buck DC/DC Converter | 封装/外壳/尺寸 | HTSOP-J8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Grade | Standard | ch | 1 |
| Integrated FET / Controller | Integrated FET | Topology | Buck |
| Synchronous / Nonsynchronous | Synchronous | Vin1 [V] | 4.5~18V |
| Vout1[V] | 0.765~7V | Iout1 (Max.)[A] | 3A |
| SW frequency (Max.)[MHz] | 0.7MHz | Light Load mode | No |
| EN | Yes | PGOOD | No |
| Operating Temperature [℃] | -40~85℃ | ||
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￥0.9741
库存：
24,504
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| 订货型号 | RPI-0352E | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RPI-0352E | 品类 | Photointerrupter |
| 描述/说明 | Transmission type Photointerrupters Eco-Friendly type | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Forward current(mA) | 35mA | Power Dissipation(mW) | 70mW |
| Operating Temperature(℃) | -30 to 85 °C | Collector-emitter voltage(V) | 30V |
| Emitter-collector voltage(V) | 4.5V | Collector current(mA) | 30mA |
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￥2.4988
库存：
22,648
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| 订货型号 | UDZVTE-175.1B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV5.1B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 5.1V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Power dissipation(mW) | 200mW | Junction temperature(℃) | 150℃ |
| Zener voltage(V) | 4.98~5.2V | IZ @ VZ (mA) | 5mA |
| Reverse current(μA) | 2μA(max) | ||
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￥0.0754
库存：
20,256
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| 订货型号 | SML-D13MWT86CAN | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | SML-D13MW(C), SML-D13x Series | 品类 | Chip LED |
| 描述/说明 | Mini-mold Chip LED | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Forward current(mA) | 20mA | Operating Temperature(℃) | -40 to 100℃ |
| Emitting color | Yellowish green | Forward voltage(V) | 2.1V |
| Power Dissipation(mW) | 75mW | Luminous Intensity(mcd) | 45mcd |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥0.8138
库存：
15,474
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
聚焦企业数据存储定制需求，支持定制分布式存储、集中式存储等存储架构、TB至PB级存储容量及读写速度、并发处理能力等性能指标优化，助力企业数据高效管理。
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支持铲齿散热器鳍片最大加工厚度0.1-10mm，最大宽度600mm，铝挤散热器鳍片最小铝挤厚度5mm，最小鳍片间距1cm；定制散热器产品工艺有热管焊接，穿片，打磨，铲齿，铝挤及CNC加工修边飞面等。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Termination Regulator for DDR-SDRAMs BD3537F
Rev.001
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| 数据手册 - 英文 |
Termination Regulator for DDR-SDRAMs BD3531F
Rev.001
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| 数据手册 - 英文 |
Termination Regulator for DDR-SDRAMs BD3532F
Rev.001
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| 数据手册 - 英文 |
Termination Regulators for DDR-SDRAMs BD3538F BD3538HFN
Rev.001
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spi存储器，8M以上的，能字节擦出的有吗。什么型号。？
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世强代理的eeprom最大容量的是多少？
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Could BUCK5 support 0.95V for VDD_GPU/VDD_VPU and VDD_DRAM? According to the NXP datasheet, it defined 0.85V/0.9V/0.95V for VDD_GPU/VDD_VPU and VDD_DRAM.
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请问有没有替代TI的tps51200的国产器件推荐？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【应用】 高安全性串行EEPROM用于医用机械臂，宽输入电压1.6-5.5V，采用SOP8等多种封装
EEPROM和FLASH同为存储芯片，在部分场景，二者会同时应用到一个产品中，记录报警信息、数据保持、模式切换等重要信息。但由于EEPROM的高可靠性、长寿命是FLASH所满足不了的，在一机械臂项目中，有使用到ROHM的BR24G02NUX-3TTR，本文将重点介绍该芯片的参数及应用。
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【产品】采用SOP-J8M封装的16Kbit低功耗串行EEPROM BR24G16FJ-3N，可支持I²C总线接口
ROHM旗下BR24G16FJ-3N，是一款16Kbit串行EEPROM，支持I²C总线接口。封装形式为SOP-J8M。通过串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）双端口可实现所有控制操作。
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【产品】I²C总线接口的串行EEPROM，容量为16Kbits，数据保留期超过40年
BRCB016GWL-3U是ROHM推出的一款I2C总线接口的串行EEPROM，容量为16Kbits，工作电压范围为1.7V~3.6V，采用UCSP50L1封装，封装尺寸为1.10mm x 1.15mm x 0.55mm。
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【产品】ROHM 64Kbit串行EEPROM BR24H64xxx-5AC系列，通过AEC-Q100认证
ROHM（罗姆）推出的BR24H64xxx-5AC系列是64Kbit串行EEPROM，具有I²C总线接口。该系列产品通过AEC-Q100等级1认证，适合汽车应用。工作电压1.7~5.5V，支持1MHz工作。写入时间不超过3.5ms，具有防止误写入的功能，擦写次数可高达400万次（Ta=25℃）。
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【产品】ROHM推出BR24H32xxx-5AC系列32Kbit串行EEPROM，通过AEC-Q100认证
ROHM（罗姆）推出的BR24H32xxx-5AC系列是32Kbit串行EEPROM，具有I²C总线接口，通过AEC-Q100等级1认证，工作电压1.7~5.5V，支持1MHz工作。写入时间不超过3.5ms，具有防止误写入的功能，擦写次数可高达400万次。
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【产品】AEC-Q100认证的BR24H128xxx-5AC系列I²C总线接口串行EEPROM
ROHM（罗姆）的BR24H128xxx-5AC系列是具有I2C总线接口的128 Kbit串行EEPROM，通过AEC-Q100 Grade 1认证。该产品最大工作温度125℃，工作电压为1.7V至5.5V，工作频率为1MHz。
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【产品】I²C总线接口32Kbit串行EEPROM BR24G32xxx-5，防止误写入
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，由其新推出的BR24G32xxx-5系列是I2C总线接口的一个32Kbit串行EEPROM，所有控件均可通过2个串行时钟（SCL）端口和串行数据（SDA）端口获得，页面写入模式32字节，位格式4K x 8位，主要应用于普通电子设备，如：影音设备、办公自动化设备、电信设备、家用电器、娱乐设备等
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【产品】采用I2C总线接口的128Kbit串行EEPROM BR24G128xxx-5系列
BR24G128xxx-5系列是ROHM推出的128Kbit串行EEPROM，采用I2C总线接口，芯片单电源操作电压为1.6V~5.5V，适合电池使用，写入周期最大可达5ms，且数据可擦写400万次（Ta = 25°C），数据保存时效长达200年（Ta = 55°C），具有很高的寿命和可靠性。
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【产品】1.6V~5.5V单电源的串行EEPROM存储器BR24T16-W，I2C总线接口
罗姆推出的BR24T16-W型串行EEPROM存储器产品，I2C总线接口。该系列具有自定时编程周期,低电流消耗，防止误写入等特征。系列产品提供不同的外观和封装。产品具体积小，重量轻，适用于工业产品、医疗产品、通信产品等应用领域。
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【产品】32K容量的BR24G32xxx-5系列串行EEPROM，广泛应用于各种电子设备
BR24G32xxx-5系列是ROHM推出的容量为32K的串行EEPROM，该系列产品包含5款型号，具有1.6V~5.5V的宽工作电压范围，工作频率可达1MHz，该系列产品具有极低的电流消耗，防止误写入功能，数据读写的安全性，稳定性和可靠性极高，广泛应用于各种电子设备。
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【产品】64M/128M/256M通用SDRAM系列，广泛应用于电视,医疗,PC,车载等
MD56V62161M/MD56V72161C/MD56V82161A是ROHM推出的容量依次为64M/128M/256M的通用SDRAM系列，采用50pin的塑料TSOP(Ⅱ)封装，最大工作频率可达166MHz，广泛应用于电视,医疗,PC,车载等。
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【产品】I2C总线接口串行EEPROMBR24T128-W，超过100万个写入周期
世强代理的ROHM的BR24T128-W系列是I2C总线接口方式的串行EEPROM，整个BR24T128-W系列串行EEPROM均是无铅产品，符合RoHS认证。
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【产品】用于汽车I²C总线的串行EEPROM存储器BR24H256xxx-5AC，工作温度高达125℃
BR24H256xxx-5AC系列是ROHM推出的存储容量为256K的串行EEPROM存储器，支持I2C协议，该系列产品的工作温度最高可达125℃，广泛应用于汽车相机,汽车电子。
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【产品】完全符合I²C总线标准的256K串行EEPROM存储器BR24T256-W系列
ROHM推出的BR24T256-W系列是其推出的采用I2C总线接口的串行EEPROM，容量为256K（32K x 8bit），该系列产品具有更高的可靠性，稳定性，安全性上以及更快的效率，广泛应用于各种工业产品,医疗产品,通信产品。
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【产品】64K容量的BR24T64-W系列串行EEPROM，超过100万数据擦写次数
BR24T64-W系列是ROHM推出的采用I2C总线接口的串行EEPROM，该系列共9款型号，采用不同的封装方式，产品符合RoHS标准，具有更高的可靠性，稳定性，安全性上以及更高的效率，在工业领域，医疗领域，通信领域有着广泛的应用。
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【产品】1V至5.5V、用于DDR-SDRAM的终端稳压器BD35390FJ，具备高达1A的灌/拉电流能力
ROHM推出的BD35390FJ是一款终端稳压器，符合JEDEC对DDR1/2/3-SDRAM的要求。 该线性电源采用内置N沟道MOSFET和专为提供出色瞬态响应而设计的高速OP-AMPS。
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【产品】1.0V至5.5V，1A用于DDR-SDRAM的单通道终端稳压器BD3533
ROHM推出的BD3533是单通道终端稳压器，符合JEDEC标准对DDR-SDRAM的要求。 该线性电源采用内置N沟道MOSFET和专为提供出色瞬态响应而设计的高速运算放大器。 它具有高达1A的电流能力，并且具有3.3V至5.0V的电源偏置要求，用于驱动N沟道MOSFET。
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【产品】符合JEDEC标准对DDR1、DDR2和DDR3-SDRAM要求的终端稳压器，可提供最高1A的输出电流
全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了两款符合JEDEC对DDR1-SDRAM，DDR2-SDRAM和DDR3-SDRAM要求的终端稳压器——BD3539FVM和BD3539NUX。该芯片内置N沟道MOSFET和专门设计的高速运算放大器可以提供出色的瞬态响应。这两款芯片具有高的电流输出能力，可以提供最高1A的输出电流。
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【产品】适用于JEDEC标准DDR－SDRAM的终端稳压器线性稳压器BD3531F
ROHM的BD3531F是适用于JEDEC标准DDR－SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1.5A电流的线性电源；内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要5.0V偏压电源。本产品具有优异的输出电压精度和负载调整率，适合用于DDR I/II - SDRAM供电的场合。
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【产品】SPI 总线接口的128Kbit串行EEPROM，125°C操作温度
BR25H128-2AC是ROHM的SPI 总线接口的128Kbit串行EEPROM。BR25H128-2AC系列的存储器由BR25H128F-2AC、BR25H128FJ-2AC与BR25H128FVT-2AC三种不同的型号构成。BR25H128-2AC系列存储器具有体积小、速度快、稳定性好以及高可靠性等特点，是一款具有社会价值以及应用前景的产品。
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【产品】兼具Microwire总线的串行EEPROM存储器，高速写入时间不超过5ms
BR93G46-3是ROHM（罗姆）最新研制的串行式带电可擦可编程只读存储器，存储容量为1K，具有高速读写、自定时编程周期和体积小巧等突出特点。该芯片采用单电源供电，使用Microwire总线结构，通过独立设置3条通信线路，实现芯片片选、串行时钟和串行数据输入/输出等功能。可用于个人电脑、单片机、电子设备等领域。
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【产品】1Mbit低功耗串行EEPROM BR24T1M-3AM，满足工业存储需求
ROHM BR24T1M-3AM系列串行EEPROM包括两种不同型号：BR24T1MFJ-3AM与BR24T1MF-3AM。具有节省微控制器端口、符合AEC-Q100 Grade3标准、SCL/ SDA端子内置噪声滤波器等一系列特征优势。每页中的字节数均为256字节，电源电压均为1.7V to 5.5V，位格式均为128K×8，容量为1Mbit，操作温度为-40°C~+85°C。
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【产品】SPI总线接口的64Kbit串行EEPROM BR25H640-2AC系列，工作电压范围为2.5V至5.5V
ROHM推出的BR25H640-2AC是SPI总线接口的64Kbit串行EEPROM。BR25H640-2AC系列存储器包括BR25H640FVM-2AC、BR25H640FVT-2AC、BR25H640F-2AC和BR25H640FJ-2AC 四种型号。工作电压范围为2.5V至5.5V，工作的温度范围为-40°C至+ 125°C，适合常温以及恶劣环境条件下。
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【产品】32Kbit SPI 总线接口的BR25H320-2C系列串行EEPROM ，符合AEC-Q100标准
ROHM推出的BR25H320-2C是SPI 总线接口的串行EEPROM。BR25H320-2C系列由4中不同的型号构成，分别为：BR25H320F-2C、BR25H320FJ-2C、BR25H320FVT-2C与BR25H320FVM-2C。存储容量为32Kbit，位格式为4Kx8，所支持的电源电压范围为2.5~5.5V。数据保存50年，数据重写次数高达300,000次。
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【产品】工业型1K串行EEPROM BR25H010-2C，2.5V到5.5V单电源供电
罗姆(ROHM)推出BR25H010-2C系列串行存储器产品，内存大小为1K，分别采用MSOP8，TSSOP-B8， SOP8， SOP-J8的封装形式，具有多样化的设计选择，能够满足不同设计需求。此外，采用SPI总线接口方式，数据保存时间大于100年，写周期大于100万次，具有很高的可靠性，非常适合用于工业设备领域。
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【产品】SPI总线接口方式的256Kbit串行EEPROM BR25H256-2AC，高达10MHz的时钟频率
ROHM的BR25H256-2AC是SPI总线接口方式的256Kbit串行EEPROM。本系列产品共有两种：BR25H256F-2AC和BR25H256FJ-2AC。其中BR25H256F-2AC采用的是SOP8封装，BR25H256FJ-2AC采用的是SOP-J8的封装。电压范围可在2.5V至5.5V之间，便于电池的使用。宽工作温度范围，最低-40°C，最高+ 125°C，有着很强的环境适应性。
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【产品】存储容量为1M的SPI串行BR25A1M-3M EEPROM存储器，最高运行温度为105°C
BR25A1M-3M是ROHM推出的一款存储容量为1M的SPI总线串行接口的EEPROM存储器，最高运行温度为105°C，最适合电池应用，用于SPI总线接口。BR25A1M-3M存储器的特点是高速运作，独立电源运行，书写字节多，耗电量低，读取操作时的地址自动增量功能，可预防写入错误。数据保留时间长，超过100年，书写周期多达一百万次以上。可用于计算机、手机等应用领域。
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【产品】16Kbit SPI 总线接口方式的串行EEPROM BR25H160-2C，待机功耗仅有0.1微安
ROHM推出的16Kbit SPI 总线接口方式的串行EEPROM BR25H160-2C，包括BR25H160F-2C,BR25H160FJ-2C,BR25H160FVM-2C,BR25H160FVT-2C四个型号，较低的功耗，待机时电流仅为0.1微安，体积小，重量轻，多样化的封装便于用户选择，适用于工业产品，车载娱乐等领域。
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【产品】SPI BUS接口的256Kbit串行EEPROM存储器BR25A256-3M，超过100万次的写入周期
罗姆（ROHM）推出的BR25A256-3M系列产品是SPI BUS接口的256Kbit串行高性能EEPROM存储器，包括BR25A256F-3M，BR25A256FJ-3M和BR25A256FJ-3M。超过100万次的写入周期和100年数据存储，防止书写错误的功能使用户可以放心的使用。
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【产品】存储容量512K，待机功耗低至3uA，支持I2C总线接口的串行EEPROM存储器BR24T512-3AM
罗姆(ROHM)推出的BR24T512-3AM系列是一款采用I2C总线接口的串行EEPROM，容量为512K（64K*8），包括含三种型号BR24T512F-3AM、BR24T512FJ-3AM与BR24T512FVT-3AM。该产品具有自定时编程循环，具有极低的电流消耗（待机功耗仅3uA）以及防止误写入功能，这使该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。
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【产品】具有多种封装可选的串行EEPROM存储器,存储容量8K，ESD保护电压±4kV，
罗姆推出了BR24G08-3A系列高性能EEPROM存储器产品，该系列产品的全系内存大小为8K，该系列产品分别采用DIP-T8，SOP8，SOP-J8，TSSOP-B8，TSSOP-B8J，MSOP8，VSON008X2030的封装形式，具有多样化的设计选择，能够满足不同设计需求，产品适用于工业产品，医疗产品，通信产品等应用领域。
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【产品】128K/256K/1M串行EEPROM存储器BR24Gxxx-3A，支持I2C通信、功耗低至300mW
罗姆推出的BR24Gxxx-3A系列为高性能EEPROM存储器产品，包括128K，256K，1M共三种存储空间，BR24Gxxx-3A系列EEPROM存储器所有控制均由2个串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）端口提供，并且除EEPROM之外的其他设备可以连接到同一个端口，从而节省了微控制器端口，该产品还具有写保护功能，可有效避免低电压造成的写入错误。可应用于工业、医疗和通信领域。
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【产品】搭载4级输出驱动能力128M/256M bit DRAM MD56V72160C、MD56V82160A
ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor发出搭载输出驱动能力调节功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C“/256M bit SDRAM“MD56V82160A“。本LSI搭载了4级输出驱动能力调节功能，非常适用于车载设备等要求高可靠性的用途。
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【产品】工业型SPI总线串行EEPROM BR25HxxxF-2LB（H2），数据可保存100年以上
BR25HxxxF-2LB（H2）系列是ROHM集团推出的工业型串行EEPROM，其主要面向工业设备市场，可保证长期稳定供货。该系列工业型串行EEPROM存储容量范围为1K~128K，采用SPI总线接口方式，工作温度最高可支持125℃，数据保存时间大于100年，写周期大于100万次，具有很高的可靠性，非常适合用于工业设备领域。
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【产品】16M存储容量、3.3V供电时钟同步型DRAM MSM56V16161N，工作频率最高可达166MHz
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，其推出的MSM56V16161N系列为16M（2×512K×16）容量大小的SDRAM (Synchronous DRAM) ，采用硅栅CMOS工艺制成，属于时钟同步型DRAM。该系列存储器工作在3.3V，其输入输出兼容LVTTL电平,非常适合用于电视、医疗、PC、车载等领域。
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【产品】车载Microwire总线串行EEPROM存储器BR93Axx-WM，同一系列引脚兼容，数据可擦写100万次
BR93Axx-WM是ROHM集团推出的车载Microwire总线串行EEPROM系列。该系列串行EEPROM工作温度最高可达105℃，存储容量涵盖1K/2K/4K/8K/16K，工作电源电压范围宽，适合采用电池供电，且具有高可靠性。适用于工业控制、消费电子、尤其是车载应用领域。
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【产品】容量1K~64K的I2C串行EEPROM存储器BR24Axxx-WM,符合AEC-Q100标准
BR24Axxx-WM是ROHM集团推出的车载I2C总线串行EEPROM系列，是一种非易失性存储器。该系列串行EEPROM工作温度最高可达105℃，存储容量涵盖1K/2K/4K/8K/16K/32K/64K，工作电源电压范围宽，适合采用电池供电，且具有高可靠性，整个系列均是无铅产品，符合RoHS标准。该系列产品符合AEC-Q100标准，非常适合用于工业控制、消费电子、尤其是车载应用领域。
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【产品】2K串行EEPROM存储器BR24G02-3A，256word×8bit配置
ROHM的串行存储器是256*8bit配置的串行EEPROM存储器，布局紧凑，可靠性高。 具有1.6V~5.5V的宽操作电压范围，对电压波动具有很强的适应性。型号：BR24G02-3A，BR24G02F-3A，BR24G02FJ-3A，BR24G02FVJ-3A，BR24G02FVM-3A，BR24G02FVT-3A，BR24G02NUX-3A
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【产品】4K串行EEPROM存储器BR24G04-3，支持400kHz高速I2C模式
ROHM的BR24G04-3系列EEPROM存储器具有1.6V~5.5V宽操作电压范围，完全符合国际I2C总线标准，支持400kHz的I2C快速操作模式，数据传输速度极快。度型号：BR24G04-3，BR24G04F-3，BR24G04FJ-3，BR24G04FV-3，BR24G04FVJ-3，BR24G04FVM-3，BR24G04FVT-3，BR24G04NUX-3
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【产品】串行EEPROM存储器BR24G16-3，可反复擦写高达100万次、适用于双摄手机
罗姆(ROHM)推出BR24G16-3系列串行EEPROM存储器，以电子信号来修改其内容，有100年的数据保持的可靠特性，智能手机中首选的存储产品。型号：BR24G16-3, BR24G16F-3,BR24G16FJ-3,BR24G16FV-3,BR24G16FVT-3,BR24G16FVJ-3,BR24G16FVM-3,BR24G16NUX-3,BR24G16QUZ-3。
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【产品】32K串行EEPROM存储器BR24G32-3A，1MHz运行频率
罗姆(ROHM)推出的BR24G32-3A系列高性能EEPROM存储器具有100万个写入周期，长达40年以上的数据保存时效保障该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。ESD保护电压在-4000V~+4000V之间，符合工业级芯片温度范围要求，能够在苛刻环境温度下运行，综上所述，该系列产品能够适应大多数工况条件，适用于需要高可靠性的工业产品。
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【产品】支持I2C通信协议，存储容量2K的工业级串行EEPROM存储器
罗姆半导体集团推出了BR24G02-3系列串行EEPROM存储器，这几款产品均采用256*8bit的存储结构，内存大小均为2K，具有多种封装形式，分别为：DIP-T8 ，SOP8 ，SOP-J8，SSOP-B8 ，TSSOP-B8，TSSOP-B8M，TSSOP-B8J，SOP- J8M，MSOP8，VSON008X2030。能够胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。
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