ROHM官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商
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现货平台 / ROHM 授权代理店
| 订货型号 | BM64375S-VA | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM64375S-VA | 品类 | Power Module |
| 描述/说明 | Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) | 封装/外壳/尺寸 | HSDIP25 |
| 最小包装量 | 60 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Power Device | IGBT | Vᴄᴇs [V] | 600V |
| Iᴄ [A] | 20A | Vce(sat) [V] | 1.7V |
| Reccomended Switching Frequency [kHz] | ～20kHz | Isolation Voltage [Vrms] | 1500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥99.7328
库存：
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| 订货型号 | RGPR10BM40FHTL | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RGPR10BM40FH | 品类 | Ignition IGBT |
| 描述/说明 | 430V 20A Ignition IGBT,Internal material code RGPR10BM40HRYTL | 封装/外壳/尺寸 | TO-252;TO-252(DPAK) |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating Temperature (°C) | -40°C ~ 75°C | Power dissipation(W)(max) | 107 W |
| Vᴄᴇs(V) | 460 V | Grid charge(nC) | 14 nC |
| IC(A) | 20 A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥7.9298
库存：
2,500
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| 订货型号 | RB521SM-30T2R | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RB521SM-30 | 品类 | Diode |
| 描述/说明 | Diode with low VF, low IR and high ESD strength | 封装/外壳/尺寸 | EMD2 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | Reverse Voltage VR [V] | 30V |
| Average Rectified Forward Current IO [A] | 0.2A | Forward Voltage VF (Max.)[V] | 0.47V |
| IF @ Forward Voltage [A] | 0.2A | Reverse Current IR (Max.)[mA] | 0.03mA |
| VR @ Reverse Current[V] | 10V | ||
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￥0.0666
库存：
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| 订货型号 | RUM001L02T2CL | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM001L02 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 1.2V Drive Nch MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-723 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 20V |
| Drain Current ID [A] | 0.1A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 6Ω |
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￥0.1859
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| 订货型号 | RLD90QZWJ-10B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RLD90QZWJ series | 品类 | Laser Diode |
| 描述/说明 | Laser Diode are designed and manufactured for application in ordinary electronic equipment (such as AV equipment, OA equipment, telecommunication equipment, home electronics appliances, amusement equipment, etc.). | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 |
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￥18.5537
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| 订货型号 | RUM002N05T2L | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RUM002N05 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | VMT3 |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Polarity | Nch | Drain-Source Voltage VDSS [V] | 50V |
| Drain Current ID [A] | 0.2A | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 2.4Ω |
| Drive Voltage [V] | 1.2V | ||
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￥0.4245
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39,282
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| 订货型号 | UDZVTE-176.2B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV6.2B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 6.2V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Junction temperature(℃) | 150℃ | Power dissipation(mW) | 200mW |
| Zener Voltage(V) | 6.06~6.33V | IZ @ VZ(mA) | 5mA |
授权代理商：
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￥0.0862
库存：
38,422
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| 订货型号 | BD9D320EFJ-E2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BD9D320EFJ | 品类 | DC/DC Converter |
| 描述/说明 | 4.5V to 18V Input, 3.0A Integrated MOSFET 1ch Synchronous Buck DC/DC Converter | 封装/外壳/尺寸 | HTSOP-J8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Grade | Standard | ch | 1 |
| Integrated FET / Controller | Integrated FET | Topology | Buck |
| Synchronous / Nonsynchronous | Synchronous | Vin1 [V] | 4.5~18V |
| Vout1[V] | 0.765~7V | Iout1 (Max.)[A] | 3A |
| SW frequency (Max.)[MHz] | 0.7MHz | Light Load mode | No |
| EN | Yes | PGOOD | No |
| Operating Temperature [℃] | -40~85℃ | ||
授权代理商：
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￥0.9741
库存：
24,504
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| 订货型号 | RPI-0352E | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | RPI-0352E | 品类 | Photointerrupter |
| 描述/说明 | Transmission type Photointerrupters Eco-Friendly type | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Forward current(mA) | 35mA | Power Dissipation(mW) | 70mW |
| Operating Temperature(℃) | -30 to 85 °C | Collector-emitter voltage(V) | 30V |
| Emitter-collector voltage(V) | 4.5V | Collector current(mA) | 30mA |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥2.4988
库存：
22,648
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| 订货型号 | UDZVTE-175.1B | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | UDZV5.1B, UDZV Series | 品类 | Zener Diode |
| 描述/说明 | 200mW 5.1V, SOD-323FL, Zener Diode | 封装/外壳/尺寸 | SOD-323FL |
| 最小包装量 | 100 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Power dissipation(mW) | 200mW | Junction temperature(℃) | 150℃ |
| Zener voltage(V) | 4.98~5.2V | IZ @ VZ (mA) | 5mA |
| Reverse current(μA) | 2μA(max) | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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授权代理,
一支起订,
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价格：
￥0.0754
库存：
20,256
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合ROHM原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
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加工定制
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
立即提交 射频无源器件定制 >>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
立即提交 笔电热管/高功率热管/平头热管定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
RGPR20NL43HR 430V 20A点火IGBT数据表
Rev.A
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下载 |
| 测试报告 - 英文 |
IGBT湿度敏感等级测试报告
Rev.B
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下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
内部结构IGBT TO-252单
Rev.A
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下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
IGBT封装尺寸
Rev.001
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RGPR50NL45HRB 450V 45A 点火IGBT
Rev.A
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
构成材料清单IGBT TO-252（DPAK）
Rev.A
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
构成材料清单IGBT TO-252（DPAK）
Rev.A
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
内部结构IGBT TO-262 2芯片
Rev.A
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
IGBT标记为-262的说明
Rev.A
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
IGBT IPM的短路电流保护功能
本文详细介绍了短路电流保护功能（SCP）是通过在IPM外部连接分流电阻并将电阻产生的电压反馈至CIN引脚电路的功能。CIN引脚需要用RC滤波器来防止误动作。短路电流保护仅作用于下桥臂。当短路电流保护功能启动时，需要立即停止运行，避免异常状态。分流电阻值和RC滤波器的时间常数先根据所提供的公式参考推荐值进行设置，最终需要在实际应用产品上确认工作情况后来决定。
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先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能
逆变器技术正在突飞猛进地发展，并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术，可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电，来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外，通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案，可以进一步提高逆变器的功率转换效率。罗姆通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用，来促进各种设备的节能，从而为实现可持续发展社会贡献力量。
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详解IGBT IPM的封装：以ROHM第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列为例
BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列分HSDIP25和HSDIP25VC两种引脚形状。HSDIP25为加长型产品（后缀：-VA），HSDIP25VC为控制侧交错型产品（后缀：-VC）。两者的封装尺寸（不包括引脚）均为38.0mm×24.0mm×3.5mm。另外，两者的引脚数量均为25个。下面分别介绍其外形尺寸、引脚配置、印标和散热器的安装方法。
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【经验】解析IGBT的短路的原因及耐受时间的重要性
IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间”的电气特性（参数）。通常，在IGBT等功率元器件处于短路状态时，会流过大电流并在短时间内造成元器件损坏。本文解析IGBT的短路的原因及耐受时间的重要性
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【经验】内置快速恢复二极管的IGBT有怎样的特性？
在使用IGBT的逆变器和电机驱动应用中，二极管也会被用作开关期间产生的反向电流的路径。这种二极管称为“续流二极管”，通常使用“FRD”。针对将IGBT和FRD配套使用的应用，有内置FRD的IGBT可用。本文介绍内置快速恢复二极管的IGBT有怎样的特性。
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【技术】ROHM介绍N沟道IGBT的结构
正如ROHM在“什么是IGBT”一文中所介绍的，通过MOSFET和双极晶体管相结合，使IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。下面以目前主流的N沟道IGBT为例，来介绍IGBT的基本结构。只用“IGBT”描述的是指N沟道IGBT。
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【经验】解析如何在电机应用中区分使用功率器件：IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET
每种功率元器件都有其各自的特点，通常需要根据目标应用和所需特性和性能等来区分使用。本文ROHM将谈一下如何在电机应用中正确地区分使用IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET。
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【经验】解析IGBT的工作原理
ROHM在本文的关键要点：1.当相对于IGBT发射极向IGBT栅极施加正电压时，IGBT导通，流过集电极电流。2.如等效电路图所示，通过Nch MOSFET导通、IB流过PNP晶体管，使PNP晶体管导通，IGBT的集电极和发射极之间导通。
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【应用】罗姆IGBT RGT40TS65DGC11助力户外电源设计，耐压高达650V，可保证运行稳定
锂电池包通过逆变回路输出220V供给家用电器工作，输出电压的稳定关系到产品的品质和用电安全，故需要稳定可靠的IGBT来实现。本文推荐ROHM（罗姆）的IGBT RGT40TS65DGC11用于户外电源的设计。
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【经验】功率元器件使用驱动源极端子的产生效果和使用注意事项说明
有必要尽量减小在开关器件上所产生的开关损耗和导通损耗，根据不同应用减小损耗的方法多种多样，其中一种方法是使用近年来新面市的具有驱动源极端子(即开尔文端子)的新封装。本文ROHM专门就功率元器件使用驱动源极端子所产生的效果和使用注意事项进行说明。
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改变世界的碳化硅功率元器件
SiC元器件在提高效率和节能方面具有显著优势，相较于Si半导体，SiC具有更高的击穿场强和耐热性，适用于高电压和高温环境。SiC MOSFET可实现低导通电阻和低损耗，支持高频驱动和系统小型化。ROHM公司自2000年起致力于SiC元器件的研发和生产，提供多种SiC功率元器件和模块，包括SiC MOSFET、SiC二极管和全SiC功率模块。
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【应用】ROHM 1200V/15A的IGBT助力变频器设计，短路承受时间可达10μs
变频器是通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备，ROHM的IGBT RGS30TSX2DGC11的漏源极电压最高可达1200V，具有低集电极-发射极饱和电压，传导损耗低。具有10μs的额定短路耐受力，短路应力较强，非常适合通用电机应用。
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【经验】如何计算IGBT单次浪涌电流脉冲的瞬时温升？
为了防止功率器件在工作周期中很快受到热应力损坏，因此需要考虑对瞬时结温降额，可以通过浪涌电流、重复峰值电流和雪崩能量在相应壳温下降额来保证。一般在开关电源中大部分开关管频率都在几十KHZ～几百KHZ 之间，电流波形宽度在1ms 以内，此时如果电流波形幅值小于相应壳温下额定电流
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【应用】ROHM 650V单管IGBT RGT40NL65DGTL成功助力400W伺服制动设计
400W伺服驱动器，基于成本和兼容贴片IPM空间布局考虑，制动部分的IGBT会采用650V/20A贴片规格。ROHM的650V/20A的IGBTRGT40NL65DGTL采用TO-263封装，已成功用于400W伺服制动设计，也可以采用7PCS实现整个刹车和INV的分立器件设计方案。
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【应用】ROHM 650V/30A单管IGBT成功助力1500W伺服制动设计
1500W伺服驱动器，基于功耗和布局考虑，制动部分的IGBT采用650V/30A插件规格。ROHM的650V/30A的IGBT RGTV60TS65DGC11采用TO-247封装，已成功用于1500W伺服制动设计，导通饱和压降低至1.5V，短路能力2μS。
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【经验】如何计算IGBT在一定温度下的最大连续工作电流？
IGBT的连续工作电流是选型时最先关注的参数，一般规格书会直接给出额定的电流参数，但由于不同封装、不同条件下，实际的连续工作电流参数就需要重新来计算评估，本文将结合ROHM的IGBT管RGT30NL65D，讨论下如何计算IGBT在一定温度下的最大连续工作电流。
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【应用】罗姆的SiC功率元器件用于UAES的电动汽车车载充电器，效率高达95.7%且功率损耗比以往降低约20%
ROHM的SiC功率元器件（SiC MOSFET）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司的电动汽车车载充电器（On Board Charger，简称“OBC”）。此次ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC产品采用，与以往的OBC相比，新OBC所在单元的效率提高了1%（效率高达95.7%，功率损耗比以往降低约20%）。
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ROHM免费提供电子电路仿真工具ROHM Solution Simulator，轻松验证验证功率元器件、驱动IC等产品
全球知名半导体制造商ROHM面向汽车和工业设备等电子电路设计者和系统设计者，开发出可以在解决方案电路上一并验证功率元器件（功率半导体）、驱动IC及电源IC等的Web仿真工具“ROHM Solution Simulator”，并在ROHM官网上公开了该工具能支持的44个电路解决方案。
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【产品】集电极-发射极击穿电压典型值450V的IGBT RGPR50NL45HR，集电极电流最大额定值45A
为了满足点火线圈驱动电路和电磁线圈驱动电路的应用需求，Rohm推出了一款性能优异的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）RGPR50NL45HR，其通过了AEC-Q101认证，无铅，符合RoHS标准。该器件具有低的集电极-发射极饱和电压(典型值仅1.6V)和高的自钳位电感开关能量，并且内置有栅极-发射极保护二极管和栅极-发射极电阻。集电极-发射极击穿电压典型值450V，集电极电流最大额定值45A。
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【产品】集电极-发射极击穿电压最大额定值430V，集电极电流最大额定值20A的IGBT RGPR20NL43HR
ROHM推出了一款性能优异的绝缘栅双极晶体管(IGBT)，型号为RGPR20NL43HR，通过AEC-Q101认证，无铅，符合Rohs标准，可应用于汽车点火线圈驱动器电路和电磁驱动器电路中。该器件具有较低的集电极-发射极饱和电压(典型值仅1.6V)和高自钳位电感开关能量的优点，并且内置有栅极-发射极保护二极管和栅极-发射极电阻。
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【经验】IGBT栅极充放电平均电流计算，以RGT40TS65DGC11为例说明
在进行IGBT驱动时，假设当驱动脉冲信号加到栅极之前，栅极和发射极之间的初始电压为零。驱动信号的幅值为U，Uge电压由零上升到U时间为Tc，则该电压上升过程可以看成由驱动脉冲对Cge和Cgc两个结电容充电。因此充电电流计算可以分为两部分。第一部分为驱动脉冲对Cge充电，电压由零上升到U，该平均电流为： 第二部分为驱动脉冲对Cgc充电，设集电极-发射极电压为Vce，忽略集电极-发射极的导通压降。
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【产品】400V/30A RGPR30BM40型点火IGBT，专用于点火线圈和电磁阀驱动
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，推出的RGPR30BM40是一款集电极 - 发射极饱和电压（400V）低的点火IGBT产品，集电极最大可通过30A的电流，采用TO-252封装， 适用于点火线圈驱动电路、电磁驱动电路，是一种高度可靠的车规级产品。
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【产品】650V集射极电压的汽车级IGBT RGSXXTS65DHR，适于变频器应用
罗姆(ROHM)是半导体和电子零部件领域的著名生产商，其近期推出了TO-247N封装的RGSXXTS65DHR系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR、RGS00TS65DHR。晶体管具有更低的集射极饱和压降、低开关损耗、短路耐受时间为8μs和内置非常快速且软恢复FRD特点，符合汽车电子的AEC-Q101标准，且达到了无铅标准和通过RoHS认证。
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【经验】SiC-MOSFET与IGBT的区别
本章将针对ROHM推出的SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍。SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。
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【产品】可承受5μs短路耐受时间的650V场截止沟槽型IGBT
RGT16TM65D、RGT30TM65D、RGT40TM65D和RGT50TM65D是ROHM公司推出的低集电极-发射极饱和压降的场截止沟槽型IGBT，其集电极-发射极电压最大为650V，门极-发射极电压最大为±30V。这四款IGBT都具有很低的集电极-发射极饱和压降，Tj= 25℃条件下，其集电极-发射极饱和压降都仅有1.65V；而且这四款IGBT都可承受5us的短路时间。
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ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件介绍
在功率元器件领域，碳化硅作为新一代材料备受瞩目。与以往的硅(Si)材料元器件相比，碳化硅(SiC)材料功率元器件可以实现低导通电阻、高速开关、高温作业。碳化硅元器件活跃于各种领域，
包括电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费类电子设备等。
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【产品】通过车规AEC-Q101级认证的N通道点火IGBT RGPR10BM40FH，集成ESD和过压保护功能
针对点火线圈的市场需求，ROHM推出的N通道点火IGBT——RGPR10BM40FH（20A/460V），该IGBT优势在于集成ESD和过压保护功能，同时通过了车规AEC-Q101级认证，适合汽车行业高电压、高电流的开关产品上设计使用。采用TO252封装占用空间小，适合摩托车内部狭小空间布局；可Pin to Pin替换fairchild的ISL9V3040D3ST和ST的STGB10NB40LZ。
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【产品】针对节能化SiC功率元器件，较上一代产品功率损耗、开关损耗均有突破，最多降低90%
ROHM针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流，致力将在使分立半导体、IC的开发与制造过程中积累起来的技术得到进一步发展的功率元器件产品的阵容壮大。本文主要详细讲述了碳化硅（SiC）半导体和智能功率模块，较上一代产品功率损耗、开关损耗均有突破，最多降低90%。
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ROHM展出最尖端技术的多种小型功率元器件/汽车电子/传感器
2016年3月15日-18日，ROHM在慕尼黑上海电子展上展出了所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC（碳化硅）元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT（物联网）的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多，并且融入了最尖端技术的产品。
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IGBT功率元器件基础知识
本文章中介绍了IGBT的基础知识，包括基于IGBT特点的适用范围和应用示例、IGBT的结构和工作原理、与其他功率晶体管的比较、在电机应用中的区分使用、重要的参数“短路耐受时间”以及FRD内置型IGBT的反向恢复特性等内容。
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【经验】以NGD8201A为例介绍如何提高点火IGBT的热性能
新的发动机改进将需要能够维持更高能量和更高电压的点火系统，以点燃更稀薄的燃料混合物。点火IGBT将需要能够以更高的开关频率和更高的电压来支持更高的能量，以产生火花。 因此，IGBT将承受更高的工作温度。本文以Littelfuse NGD8201A为例，介绍了如何提高点火IGBT的热性能。选择具有较低Vce(ON)的IGBT并使用提供良好散热的适当PCB焊盘布局可以确保在内燃机恶劣环境下可靠运行。
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【产品】20A/400V N沟道点火IGBT LGD8201ATI系列，采用DPAK小封装
Littelfuse推出的逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）LGD8201ATI是N沟道点火IGBT，BVCES@IC典型值为400V，IC最大值为20A，配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。
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【产品】 20A/365V N沟道点火IGBT LGB8207TH，栅极电阻为70Ω
Littelfuse推出的逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）LGB8207TH是N沟道点火IGBT，Ic最大值为20A，BVCES=365V@Ic典型值。配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。
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【产品】20A/450V N沟道点火IGBT LGB8245TI系列
Littelfuse逻辑电平绝缘栅双极晶体管（IGBT）LGB8245TI是N沟道点火IGBT，20A/450V，配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。主要用于点火、直接燃油喷射或需要高电压与高电流切换的应用。
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【产品】18A/400V N沟道点火IGBT LGB18N40ATH 系列，选配栅极电阻和栅极发射极电阻
Littlefuse推出的LGB18N40ATH N沟道点火IGBT配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路，可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高电压与高电流切换的应用。
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