Application Note Series I-V Measurements of Nanoscale Wires and Tubes with the Model 4200-SCS and Zyvex S100 Nanomanipulator
发布时间:
2018-08-03
类型:
应用笔记或设计指南,设计参考、应用指南
品牌:
TEKTRONIX
型号:
4200-SCS; S100
该应用笔记详细阐述了利用Keithley Model 4200-SCS半导体表征系统与Zyvex S100纳米操作器协同工作,实现纳米线及纳米管I-V特性测量的方法与技巧。资料深入探讨了在纳米尺度下进行电路元件电气表征所面临的挑战,并提出了将两者结合的解决方案,从而实现高达5nm的移动精度以及优于1pA的电流测量能力。文中详细解析了两点与四点测量理论,展示了如何应用这些技术进行低电阻和低电压测量,并涵盖了测试系统配置、误差来源分析及系统安全措施等关键内容,为纳米材料的高精度表征提供了全面指导。针对文中所述Keithley及Zyvex相关产品,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台提供专职FAE团队的技术支持,覆盖从选型、设计验证到调试的全过程,满足全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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应用/方案
4200-SCS型半导体表征系统参考手册
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4200-SCS型半导体表征系统参考手册
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采用4200-SCS型半导体表征系统对碳纳米管晶体管(CNT FET)进行电学表征
本文介绍了使用Model 4200-SCS半导体表征系统对碳纳米管场效应晶体管(CNT FETs)进行电学表征的方法。文章详细阐述了如何通过该系统进行电流-电压(I-V)、脉冲I-V和电容(C)测量,并提供了优化测量结果的技术和注意事项。此外,文章还介绍了CNT FET的结构和特性,以及如何使用Model 4200-SCS系统中的各种模块进行测量。
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可视化体验质量,改善用户的观看体验
资料主要介绍了Tektronix公司提供的多种视频质量监测和分析产品,旨在提升用户的观看体验。内容包括不同类型的视频质量问题,如块状失真、视频冻结、音频响度问题等,以及相应的解决方案和预防措施。资料还提供了全球各地的联系方式和产品详细信息。
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用4200-SCS型半导体表征系统进行电荷泵测量
本文介绍了使用Model 4200-SCS半导体表征系统进行电荷泵测量方法。该方法通过脉冲电压和测量直流衬底电流来分析MOS结构的半导体-介电界面。文章详细描述了电荷泵测量的原理、硬件配置、软件操作以及数据分析方法,包括固定幅度/电压基扫描和固定基/可变幅度扫描等常见技术。此外,还介绍了如何使用KITE软件自动化测量过程和分析结果。
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4200-SCS型半导体表征系统探针驱动程序的编写
本文档详细介绍了为Keithley Model 4200-SCS半导体表征系统编写探针驱动程序的过程。内容包括:探针驱动程序的基本功能、编程语言要求、使用到的库函数、探针参数结构体定义、KCON和KITE配置方法、探针特定驱动程序的编写步骤等。文档还提供了探针参数结构体定义的详细说明和示例配置文件。
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用低噪声4200-SCS半导体表征系统进行超低电流测量
本文主要讨论了使用低噪声模型4200-SCS半导体特性系统进行超低电流测量的关键技术和注意事项。内容包括系统接地和屏蔽、系统噪声最小化技术、测试系统稳定时间以及选择合适的系统配置等方面。强调了在低电流测量中,系统接地、屏蔽、噪声控制和配置选择对测量准确性的重要性。
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4200-SCS四探针电阻率和霍尔电压测量
本文介绍了使用Model 4200-SCS半导体特性系统进行四探针电阻率和霍尔电压测量的方法。文章详细阐述了四探针法测量电阻率的原理和步骤,包括四点共线探针法和van der Pauw方法。同时,介绍了如何使用Model 4200-SCS进行霍尔电压测量,并讨论了测量过程中可能出现的误差和注意事项。
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为型号4200-SCS创建外部仪器驱动程序
本文介绍了如何为Model 4200-SCS参数分析仪创建外部仪器驱动程序。文章首先概述了Model 4200-SCS的灵活架构,使其能够控制IEEE-488 (GPIB)或RS-232 (串行)通信端口上的任何外部仪器。接着,详细说明了创建自定义仪器驱动程序的过程,包括规划、布局、编码、测试和调试等步骤。文章还提供了创建辅助设备驱动程序的示例,并讨论了实现高级功能如串行轮询、返回测量数据和输出消息等的技术细节。
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捕获性能:下一代媒体测试和监控解决方案加速全球创新
本文介绍了Tektronix公司在视频测试和监控领域的解决方案,涵盖了直播IP视频制作、4K HDR制作和交付、基于文件的质量控制、移动和工作室制作、后期制作、设施运营以及视频服务提供商解决方案等多个方面。文章详细介绍了Tektronix的PRISM媒体分析平台、波形监视器和光栅化器、同步和参考发生器、文件质量控制解决方案、视频网络监视器、MPEG分析器和软件解决方案、图像质量分析解决方案等产品。
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用Cascade Nucleus Prober软件和4200-SCS型半导体表征系统选择晶圆图参数
本文介绍了使用Cascade Nucleus Prober软件和Model 4200-SCS半导体表征系统进行参数晶圆映射的方法。通过GPIB总线控制Summit系列晶圆探针,结合Nucleus软件和4200-SCS的KTEI软件环境,实现晶圆上不同颜色圆片的视觉显示,以参数值区分。文章详细描述了硬件和软件的设置步骤,包括连接设备、配置GPIB通信、设置晶圆映射几何形状等。此外,还介绍了如何获取和通信晶圆映射参数,以及如何在KITE项目中实现这一功能。
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型号4200-SCS
本资料为Keithley 4200-SCS启动指南,详细介绍了该设备的组装、系统连接、测试 fixture 连接、启动和登录、测试项目启动、测试定义、测试运行、数据查看、图形查看、打印和导出数据等操作步骤。指南中包含了对测试界面、测试定义、测试运行状态、数据查看和图形查看的详细说明。
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利用4200-SCS型半导体表征系统对高阻抗器件进行甚低频电容电压测量
本文介绍了使用4200-SCS半导体表征系统进行非常低频电容-电压测量的方法。该方法利用超低频C-V技术,能够在10mHz至10Hz的频率范围内对高阻抗器件进行精确的电容测量。文章详细阐述了VLF C-V技术的原理、测量步骤、软件使用以及优化测量方法。此外,还提供了实际应用案例,包括MOS电容和n-MOSFET的测量实例。
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用V-Ramp和J-Ramp技术评估氧化物的可靠性
本文介绍了使用电压斜坡(V-Ramp)和电流斜坡(J-Ramp)技术评估氧化物可靠性的方法。文章详细描述了这两种测试技术的原理、步骤和实施细节,包括测试前的准备、测试过程中的参数设置和数据分析。特别强调了使用Keithley 4200-SCS半导体表征系统进行氧化物可靠性测试的优势,包括其精确的电压和电流控制、自动化参数提取和先进的数据分析技术。文章还讨论了氧化物缺陷和超薄氧化物特性的表征,以及如何通过这些技术来监测和分析氧化物电流。
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使用监控沟道热载流子(CHC)来监控MOSFET器件的退化使用监控沟道热载流子(CH)来监控MOSFET器件的退化
本文介绍了使用Keithley Model 4200-SCS半导体特性测试系统进行MOSFET器件的通道热载流子(CHC)退化测试。文章详细阐述了CHC退化测试的原理、流程、设备连接、参数设置、数据采集和分析方法,并提供了具体的操作步骤和示例。通过该测试,可以评估MOSFET器件在CHC应力下的可靠性。
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推荐用于教育的电子工程工作台
本文介绍了Tektronix和Keithley提供的适用于教育领域的测试和测量解决方案。文章详细介绍了三种推荐的实验室配置,包括基础教学实验室、电子工程实验室和下一代射频/无线实验室,涵盖了从基础到高级的测试设备。此外,文章还介绍了适用于教育实验室的精选产品,如示波器、任意函数发生器、软件和服务等。最后,文章通过案例展示了Tektronix在教育领域的应用和影响力。
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用4200-SCS半导体表征系统和3400系列脉冲/图形发生器进行电荷泵测量
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使用斜坡率法对4200-SCS型半导体表征系统进行准静态C-V测量的应用说明系列
本文介绍了使用Model 4200-SCS半导体表征系统和斜率率方法进行准静态C-V测量的方法。该方法利用两个4200-SMU源测量单元和两个4200-PA预放大器,通过测量电压、时间和放电电流来计算电容值。文章详细描述了测量步骤、参数设置和优化技巧,包括低电流测量实践和软件参数调整。
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4200-SCS型半导体表征系统
本资料为Model 4200-SCS半导体表征系统应用手册,主要内容包括软件许可协议、安全注意事项、图形数据分析、基本测试序列、高级应用、控制外部设备、脉冲应用等。手册详细介绍了软件的使用方法、测试序列的设置、外部设备的控制以及脉冲应用的实现,旨在帮助用户更好地理解和应用Model 4200-SCS系统。
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4200-SCS型半导体表征系统
本资料为Keithley Instruments公司生产的Model 4200-SCS半导体表征系统用户手册。手册详细介绍了系统的安装、操作、维护以及常见测试方法。内容包括系统硬件概述、软件环境、常见设备表征测试、与其他仪器的控制方法、脉冲生成等。手册强调了安全注意事项,并提供了故障排除指南。
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