CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT High frequency amplifier Transistor 2SC4774GP
发布时间：
2018-08-03
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
CHENMKO
型号：
2SC4774GP
本数据手册详细介绍了CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD生产的2SC4774GP高频放大晶体管。该器件专为小信号放大设计，采用SC-70/SOT-323表面贴装封装，具备低饱和电压（VCE(sat)最大值为0.3V）和低寄生电容（Cob典型值为1.0pF）等关键特性，有助于提升电路效率与信号质量。在电气性能方面，其集电极-基极电压为-12V，集电极-发射极电压为-6V，集电极电流DC为50mA，总功耗达250mW，并支持-55°C至+150°C的宽温工作范围，能够适应严苛的应用环境。CHENMKO在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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CHENMKO企业有限公司表面贴装玻璃钝化FBM11GP至FBM17GP
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CHENMKO企业有限公司快速恢复整流器1N4933GP至1N4937GP
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CHENMKO企业有限公司肖特基势垒整流器S10S60GP
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CHENMKO企业有限公司肖特基势垒整流器S10C70FGP至S10C100FGP
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辰科企业有限公司肖特基势垒整流器S10C200SGP
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CHENMKO企业有限公司肖特基势垒整流器S10C70GP至S10C100GP
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CHENMKO企业有限公司肖特基势垒整流器S05A30GP至S05A60GP
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CHENMKO企业有限公司肖特基势垒整流器LS15A20GP至LS15A45GP
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CHENMKO企业有限公司肖特基势垒整流器LS10C50GP至LS10C100GP
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辰科企业有限公司表面贴装BD4148FGP
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辰科企业有限公司表面贴装BD4148CGP
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CHENMKO企业有限公司表面贴装BAW56WGP
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成科企业有限公司BAW56TGP表面安装
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CHENMKO企业有限公司表面贴装CHWD03HHGP-A
2014-10
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辰科企业股份有限公司表面贴装CHWD03HBGP
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世强AI
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应用/方案
温度稳定与高频特性兼备，時科SS8050＆SS8550双极型晶体管的高效应用
在现代电子电路中，双极型晶体管（BJT）仍然是核心元件之一，特别是在模拟电路、功率放大和驱动电路中发挥着至关重要的作用。時科推出的SS8050和SS8550晶体管对，以其卓越的性能和高可靠性，成为了许多工程师和设计师的理想选择。小编将围绕其主要特性展开讨论，并阐述在实际应用中的显著优势。
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合科泰采用SOT-23封装的数字晶体管MMUN2214，可用于逆变器和音视频信号放大等领域
合科泰给大家介绍一款采用SOT-23封装的数字晶体管MMUN2214，可用于作为了一种集成了基极电阻的双极性晶体管，它的主要作用有开关和信号放大等。数字晶体管可以被用作高频开关、控制模拟信号开关、数码信号变换开关、音视频信号开关等领域。
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【产品】采用平面NPN硅外延双极型工艺的高频低噪声晶体管2SC3356，具有高功率增益、低噪声系数等电流特性
2SC3356是萨科微推出的一款超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用SOT-23贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。
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【产品】适于高频应用的超低噪声硅N沟道结型场效应晶体管2N5484、2N5485、2N5486
CENTRAL SEMICONDUCTOR（美国中央半导体公司） 2N5484，2N5485和2N5486是硅N沟道JFET，专为RF放大器和混频器应用而设计。栅源电压VGS=20V时，栅源电流IGSS为均为1.0nA（最大）。当频率达到百兆以上时，噪声系数依然很小，因此该系列产品适合高频应用。
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【产品】采用高频氮化镓场效应晶体管的放大器演示板，无线电源传送系统的理想选择
宜普电源转换公司宣布推出采用创新、高性能零电压开关（ ZVS） D类放大器拓扑、支持无线电源转换应用的演示板：EPC9506 及EPC9507 演示板。该板为放大器（发射）演示板，使用宜普公司具高频开关性能的氮化镓晶体管，使得无线电源系统可实现超过75%效率。
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PH10工艺ums0.1μmgaas甚高频pHEMT电子迁移率晶体管工艺
PH10技术采用0.1µm GaAs pHEMT工艺，适用于低噪声放大，频率可达110GHz，典型Ft为130GHz，功率密度超过300mW/mm，噪声系数为2.3dB @ 70GHz。工艺包括双金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥、通孔和金镀背面。PH10技术经过空间评估，并提供BCB封装。该工艺适用于E波段通信、W波段雷达、光纤、安全传感器、空间仪器等多种应用。典型产品包括LNA 71-86GHz、MPA 71-76GHz、MPA 81-86GHz等。
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時科推出超高频低噪声晶体管BFS520，SOT-323 SMD封装，具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围等特性
時科超高频低噪声晶体管BFS520，采用平面NPN硅外延双极的工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想电流等特性，SOT-323 SMD封装。主要应用于高频、超高频和有线电视高电平频率宽带低噪声放大器。
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【产品】超高频晶体管阵列，SOI工艺使得晶体管之间有良好隔离
HFA3046，HFA3096，HFA3127和HFA3128是由Intersil公司推出的一款超高频晶体管阵列，是由互补双极键合晶圆硅绝缘体（SOI）技术中制造的，此技术工艺被称为UHF-1。NPN晶体管呈现8GHz的fT，而PNP晶体管提供5.5GHz的fT。 这两种型号都表现出低噪音（3.5dB），非常适合高频放大器和混频器应用。
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【产品】采用SOT-89贴片式封装的NPN高频低噪声晶体管2SC3357，功耗极限值为1200mW
2SC3357是萨科微推出的一款超高频低噪声功率晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，采用SOT-89贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV等高频宽带低噪声放大器。
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