Material Composition Declaration 40V 8.1 mohm T8 S08FL Dual
发布时间：
2018-08-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFD5C466NWFT1G
本资料为关于40V 8.1 mohm T8 S08FL Dual器件的材料成分声明，详细阐述了该产品的物质构成及合规性信息。声明内容涵盖了产品名称、具体型号、详细的材料成分列表，包括各成分的名称、CAS号及重量占比，并明确标注了RoHS指令相关的豁免信息。该文件确认产品符合欧盟RoHS指令要求，为用户在环保合规及供应链管理方面提供了权威依据。基于该声明所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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NVMFD5C466N MOSFET–功率，双N沟道
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NVMFD5C466N MOSFET–功率，双N沟道
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材料成分声明NVMFD5C466NWFT1G
2018-01-21
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NVMFD5C466N功率MOSFET 40 V，8.1 mΩ，49 A，双N-沟道
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NVMFD5C466NWFT1G材料成分声明
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材料成分声明NVMFD5C466NT1G
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NVMFD5C466N双N沟道功率MOSFET产品概述
8/16/2019
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2019-08-16
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NVMFD5C466N：功率MOSFET 40V，46A，8.1MΩ，双N沟道，逻辑电平
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材料成分声明NVMFD5C466NLT3G
2018-01-15
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产品概述NVMFD5C466N：功率MOSFET 40 V，46 A，8.1 mΩ，双N通道，逻辑电平
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NVMFD5C466NL：双通道N沟道功率MOSFET 40V、52a、7.4MΩ产品概述
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2019-03-31
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NVMFD5C466NL MOSFET-功率，双N沟道
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5/20/2021
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NVMFD5C466NLWFT3G材料成分声明
2020-4-13
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2019-07-17
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2019-03-31
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材料成分声明NVMFD5C466NLWFT1G
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2020-4-13
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2019-07-17
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2019-03-31
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NVMFD5C466NL双N沟道功率MOSFET 40V、52A、7.4mΩ产品概述
3/29/2019
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2018-01-15
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NVMFD5C466NL功率MOSFET 40 V，7.4 mΩ，52 A，双N-沟道
Rev. 3
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汽车产品选型指南
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应用/方案
Xilinx Zynq®UltraScale+MPSoC汽车电源传输解决方案应用说明
本文档旨在提供针对Xilinx Zynq UltraScale+ MPSoC的汽车级电源解决方案。该文档详细介绍了Xilinx Automotive XA Zynq UltraScale+ MPSoC系列产品的特点，包括其AEC-Q100认证和ISO 26262 ASIL C级认证。文档提出了多种电源架构，以适应不同设计的需求，并平衡PCB面积、BOM成本、功率效率和可扩展性。此外，还讨论了功能安全考虑因素，包括电源域和时序，以及如何通过适当的监控和控制功能实现ASIL C和ASIL D级别的功能安全。文档还提供了两个应用示例，并详细说明了所需的电源轨和电流。
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