Material Composition Declaration SA2TIGBT TO3PN 20A 1250V
发布时间：
2018-08-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FGA20S125P-SN00336
本资料为关于SA2TIGBT TO3PN 20A 1250V产品的材料成分声明文件，详细阐述了该元器件的物质构成与合规性信息。文件内容涵盖了产品名称、型号规格、详细的材料成分列表，以及各成分的化学物质名称、CAS编号和具体含量。此外，该声明重点明确了产品的RoHS合规性声明及有害物质限制情况，确保符合相关环保标准，并提供了制造商的联系方式及认证信息，为用户在产品选型与环保认证环节提供了权威的数据支持。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队技术支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述FGA20S125P:1250V，20A，短路阳极IGBT
12/19/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FGA20S125P-SN00336 SA2TIGBT TO3PN 20A 1250V
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
FGA20S125P:1250V，20A，短路阳极IGBT
12/14/2017
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| 测试报告 - 英文 |
FGA20S125P-SN00336材料成分声明
2019-08-12
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| 数据手册 - 英文 |
短路A220A，IGBT 1250V阳极
Rev. C1
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| 数据手册 - 英文 |
NTSV30H100ECT 30A，100V，极低正向电压沟槽式肖特基整流器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
KAE-08151 2856（H）x 2856（V）行间传输EMCCD图像传感器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCP4894音频功率放大器，1.8瓦，可选择关闭
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G126、MC74VHC1GT126同相三态缓冲器
Rev. 23
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| 包装规格/规范 - 英文 |
磁带和卷盘包装标准
Rev. 31
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51XZ1、FAM65CR51XZ2升压转换器级，用于多相和半桥PFC
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NXH010P90MnF1PTG、NXH010P90MnF1PG F1-2封装SiC MOSFET模块
Rev. P1
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V 3040P3 EcoSpark®点火IGBT
Rev. 4
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NB7NPQ1002MAMTGEVB评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
FGD3245G2-F085C EcoSPARK®2点火IGBT
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
P2N2907A放大晶体管
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NCV70516微型步进电机驱动器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
MC14049UB十六进制缓冲器
Rev.11
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| 数据手册 - 英文 |
NL37WZ06带开漏输出的三重逆变器
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
NCP705 LDO稳压器-超低静态电流，I-Q 13μA，超低噪声
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51AXZ1、FAM65CR51AXZ2升压转换器级，用于带SiC二极管的多相和半桥PFC
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
LMV301运算放大器，轨到轨，低输入偏置电流，1.8 V至5 V单电源
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
MC44608外部元件少可靠灵活的开关电源控制器
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
KAF-09000 3056（H）x 3056（V）全帧CCD图像传感器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
1PMT5920B系列3.2瓦塑料表面贴装POWERMITE®封装
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS5C404NLT 40 V、0.67 mΩ、370 A功率、单通道、N沟道MOSFET数据手册
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NV25128、NV25256 EEPROM串行128/256 kb SPI汽车级0
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NCV8164 LDO稳压器，300 mA，低压差，超低噪声，高电源抑制比（PSRR），电源良好
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NL17SZ32单路2输入或门数据手册
Rev. 20
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| 数据手册 - 英文 |
NC7WZ132 TinyLogic UHS双通道2输入与非门，带施密特触发器输入数据手册
Rev. 4
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世强AI
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应用/方案
AN-4155 Fairchild’s Second-Generation,Field-Stop,Shorted-Anode, Trench IGBTs for Induction Heating Applications 数据手册
Fairchild半导体公司推出第二代场截止、短阳极、沟槽IGBT产品系列，适用于感应加热应用。该系列IGBT具有内置体二极管，适用于软开关应用，如感应炉和逆变微波炉。与传统的NPT沟槽IGBT相比，该技术提供更低的饱和电压和更低的尾电流，从而提高系统效率。该产品在单端谐振逆变器中的应用得到验证，表现出优异的性能。
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飞兆半导体的第二代，场停止，短路阳极，沟道IGBT感应加热应用
Fairchild半导体公司推出第二代场截止、短阳极、沟槽IGBT产品系列，适用于感应加热应用。该系列IGBT具有内置体二极管，适用于软开关应用，如感应炉和逆变微波炉。与传统的NPT沟槽IGBT相比，该技术提供更低的饱和电压和更低的尾电流，从而提高了系统效率和稳定性。
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AN-4155 Fairchild用于感应加热应用的第二代、场截止、短路阳极、沟槽式IGBT
Fairchild半导体公司推出第二代场截止、短阳极、沟槽IGBT产品系列，适用于感应加热应用。该系列IGBT具有内置体二极管，适用于软开关应用，如感应炉和逆变微波炉。与传统的NPT沟槽IGBT相比，该技术提供更低的饱和电压和更低的尾电流，从而提高系统效率和稳定性。
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NCP4318提示和技巧
本文详细介绍了NCP4318同步整流控制器在LLC转换器中的应用。文章首先阐述了LLC转换器的工作原理，特别是同步整流技术在提高转换效率方面的作用。接着，详细说明了NCP4318的典型应用电路，包括其如何通过检测SR MOSFET的漏源电压来控制同步整流。文章还讨论了NCP4318在不同工作条件下的实际操作，包括死区时间调节、最小导通时间、多级VTH−OFF调整、边缘倒置电流处理、软启动和VDD连接方式等。此外，还提供了与LLC控制器配合使用时的注意事项，以及PCB布局建议和门极驱动功耗估算。最后，文章总结了NCP4318的功能和优势，并提供了相关参考资料。
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RSL15天线设计指南
本资料介绍了RSL15 EVB天线的设计，适用于与RSL15评估和开发板（RSL15-EVB）配合使用的RSL15 QFN（NCH-RSL15-512-101Q40-ACG）。天线采用L形四分之一波长设计，易于设计和集成到PCB布局中。资料中提供了模拟天线设计，并详细说明了PCB堆叠和参考天线布局。此外，还展示了天线性能的模拟结果，包括回波损耗、辐射图案和灵敏度模拟。
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eCLINPS Plus™SPICE建模套件应用笔记
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LVDS、CMOS和ECL应用笔记比较
本文对比了LVDS、CMOS和ECL三种信号传输技术的性能特点。文章首先介绍了ECL技术的高性能和低功耗优势，随后对比了CMOS技术的发展历程和LVDS技术的应用。文章重点分析了LVDS技术在点对点和点对多点通信中的性能表现，并与其他技术进行了比较。最后，文章总结了ECL技术在速度和功耗方面的优势，以及LVDS技术在高速通信中的应用前景。
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系统设计人员指南：构建PCIe®时钟树，同时解决时序挑战
本文档为ON Semiconductor的PCIe时钟树构建指南，旨在解决高速串行通信中的时序挑战。内容涵盖PCIe标准的演变、时钟架构、时钟规格、系统挑战以及ON Semiconductor提供的时钟树解决方案。重点介绍了时钟发生器、时钟缓冲器、零延迟缓冲器和PCIe开关等产品，以实现高性能的时钟树设计。
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线间CCD图像传感器的垂直时序优化
本文档为ON Semiconductor的应用笔记，主要针对其Interline CCD图像传感器中的垂直时序优化问题。内容涉及如何解决垂直条纹效应，包括垂直时钟脉冲的调整方法、不同型号传感器的条纹间距、以及如何通过调整时钟交叉点来消除条纹。此外，还提供了实际操作中的示例和注意事项。
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VITA 1300像素重映射应用说明
本资料为ON Semiconductor公司发布的VITA 1300像素重映射应用笔记。内容主要介绍了VITA 1300 LVDS版本的像素重映射过程，包括像素阵列组织、数据传输方式、同步通道和时钟输出等。此外，还详细描述了不同采样模式下，单色传感器和彩色传感器数据输出顺序的差异。
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全帧CCD传感器的装箱模式操作
本文详细介绍了ON Semiconductor的20m和24m像素全帧CCD传感器在binning模式下的两种操作方法，并分析了相关性能问题。文章涵盖了传感器操作、图像获取、垂直和水平寄存器操作、像素饱和、CCD设置调整以及饱和视频输出信号等内容。此外，还讨论了binning操作时的偏置推荐，以实现最大电荷容量和满足CCD灵敏度、噪声和动态范围的需求。
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RSL10 Smart Shot相机功耗测量
本文档详细介绍了RSL10智能快照相机的功耗测量结果。该相机平台包括单色和彩色两种变体，均采用超低功耗组件，如onsemi的ARX3A0图像传感器、RSL10 SiP模块和SunplusIT SPC1100A图像传感器处理器。文章重点讨论了设计考虑因素，包括将视觉子系统放置在单独的电源轨上、将RSL10 SiP模块置于深度睡眠状态以及使用高速MIPI和SPI接口。此外，还提供了两种相机的功耗测量数据和电池寿命估计。
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NCL31000ASGEVB评估板快速入门指南
本资料为ON Semiconductor提供的NCL31000ASGEVB评估板/套件的使用说明。资料中详细介绍了该评估板/套件的使用注意事项，包括免责声明、责任限制、使用限制等。此外，还提供了连接LED灯串、电源供应、NTC温度测量等操作步骤。
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NCV78703R1GEVK测试程序
本资料为ON Semiconductor NCV78703R1GEVK评估套件的测试程序。内容涵盖初始设置、测试步骤和故障排除。包括连接电源、设置电压、启动软件、检查SPI通信和输出电压等步骤。
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NCP139AFCT180T2G演示板测试程序
本资料为NCP139AFCT180T2G演示板测试程序，涉及稳压直流电源、VBIAS、电子负载等测试设置。测试步骤包括连接测试装置、施加VBIAS和VIN电压、加载Iout电流，并检查输出电压Vout。测试程序旨在验证演示板的性能和稳定性。
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NCP139AFCT110T2G演示板测试程序
本资料为NCP139AFCT110T2G演示板测试程序，涉及稳压直流电源、VBIAS、电子负载等测试设置。测试步骤包括连接测试装置、施加VBIAS和VIN电压、加载Iout电流，并检查输出电压Vout。测试程序涵盖从连接测试装置到结束测试的整个过程。
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NCP139AFCT100T2G演示板测试程序
本资料为NCP139AFCT100T2G演示板测试程序，涉及稳压直流电源、VBIAS、电子负载等测试设置。测试步骤包括连接测试装置、施加VBIAS和VIN电压、加载Iout电流，并检查输出电压Vout。测试程序旨在验证演示板的性能和稳定性。
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NCP139AFCT05ADJT2G演示板的测试程序
本资料为NCP139AFCT05ADJT2G演示板测试程序，涉及稳压直流电源、VBIAS、Vref、电子负载等测试设置。测试步骤包括连接测试装置、施加电压、设置负载、调整输出电压、增加负载电流、检查输出电压稳定性、关闭负载和电源，最后结束测试。
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NCD57253GEVB评估板的测试程序
本资料为NCD57253GEVB评估板的测试流程说明。内容包括连续性测试、功能/设置测试，涉及电源电压、电流测量、信号生成与输出等步骤，旨在确保评估板的正常功能。
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