Material Composition Declaration LOG CMOS BUFR LOG LEVL
发布时间：
2018-08-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
M74VHC1GT50DTT1G
本资料详细介绍了元器件制造商针对产品物质成分的合规性声明，重点阐述了产品在RoHS指令下的限制物质含量及整体合规情况。文件中不仅精确列出了产品所使用的各类材料、具体化学成分及其含量占比，还提供了制造商的官方联系方式与权威认证信息，以确保供应链信息的透明度与可追溯性。此外，该声明进一步披露了产品加工过程中的关键工艺参数，如温度控制与时间设定等，为用户的制造工艺集成提供了必要的数据参考。基于该资料所涉的元器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试测试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1GT50同相缓冲器/CMOS逻辑电平移位器TTL兼容输入
Rev. 16
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| 测试报告 - 英文 |
M74VHC1GT50DTT1G材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
M74VHC1GT50DTT1G材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MC74VHC1GT50：单非反转缓冲器，TTL电平
12/30/2017
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1GT50：单非反相缓冲器，TTL级产品概述
5/23/2021
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1GT50：单非反相缓冲器，TTL级产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报日志CMOS BUFR LOG LEVL
2017-12-20
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1GT50：单个同相缓冲器，TTL电平
5/20/2021
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1GT50：单个同相缓冲器，TTL电平
2/9/2020
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G50缓冲器
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G50、MC74VHC1GT50缓冲器
Rev. 18
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G50、MC74VHC1GT50缓冲器
Rev. 17
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G50、MC74VHC1GT50缓冲器
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G50、MC74VHC1GT50缓冲器
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
产品概述MC74VHC1GT50：单非反转缓冲器，TTL电平
MC74VHC1GT50是一款单通道非倒相缓冲器，采用硅栅CMOS技术制造。该器件具有高速操作和低功耗的特点，内部电路由三级组成，包括缓冲输出，提供高噪声免疫和稳定输出。输入与低阈值输入阈值兼容，输出具有全CMOS电平输出摆幅。该器件的输入保护电路允许输入过压，使其可作为1.65V逻辑到5.5V CMOS的逻辑电平转换器。主要特性包括高速、低功耗、低阈值输入、CMOS兼容输出、平衡传播延迟、引脚和功能与其他标准逻辑族兼容等。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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