Material Composition Declaration Type2SA1416T-TD-E
发布时间：
2018-08-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
Type2SA1416T-TD-E
本物质声明文件详细介绍了Onsemi型号2SA1416T-TD-E的化学成分构成，旨在为用户提供透明且合规的材料数据。该文件系统列出了器件内部包含的各种物质，具体涵盖硅、铋、锡、金、铜、碳黑等关键材料，并精确提供了每种物质的重量及CAS化学文摘社编号。此外，资料重点阐述了产品的合规性，明确声明该器件符合RoHS指令要求，并详细列出了相关的豁免信息，为电子制造企业的环保合规与供应链管理提供了可靠依据。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
GBPC1208W材料成分声明
2019-09-02
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| 测试报告 - 英文 |
CAT25320LI-G材料成分声明
2019-09-02
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| 测试报告 - 英文 |
NCP1536DSR4G材料成分声明
2019-09-02
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SNZD5V6:5.6V，200mw 0201齐纳二极管产品概述
9/1/2019
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MMSZ16E:225 W额定能量齐纳16 V SOD-123产品概述
9/1/2019
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WDFN6包装尺寸
ISSUE O
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| 测试报告 - 英文 |
FJD3076TM材料成分声明
2019-09-01
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MMSZ4698E:225 W额定能量低电流齐纳11 V SOD-123产品概述
9/1/2019
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NTSJ3080CTG：肖特基整流器，低正向电压，双，30a，80v产品概述
9/1/2019
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NTB095N65S3HF：功率MOSFET，N沟道，SUPERFET®III，FRFET®，650 V，36 A，95 mΩ，D2PAK产品概述
9/1/2019
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FQB22P10TM\ U F085:100V P通道QFET®-22A，125mΩ产品概述
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NJL4302D：双极型功率晶体管，PNP，ThermalTrak&trade；，15 A，350 V产品概述
8/31/2019
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NVMFS5C645N：单N沟道功率MOSFET 60V，92A，4.6mΩ产品概述
8/31/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NJVMJD148T4G:NPN双极型功率晶体管产品概述
8/31/2019
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