Renesas（瑞萨电子）SRAM产品的装配现场转移和材料变更通知（CST-R2-AJ129）
发布时间：
2018-08-03
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
R1LP5256ESP-5SI#B1; R1LP5256ESP-5SI#S0; R1LP5256ESP-5SI#S1; R1LV5256ESP-5SI#B1; R1LV5256ESP-5SI#S0; R1LV5256ESP-5SI#S1; R1LP0108ESN-5SI#B1; R1LP0108ESN-5SI#S0; R1LP0108ESN-5SI#S1; R1LV0108ESN-5SI#B1; R1LV0108ESN-5SI#S0; R1LV0108ESN-5SI#S1; R1LP0408DSP-5SI#B1; R1LP0408DSP-5SI#S0; R1LP0408DSP-5SI#S1; R1RP0408DGE-2LR#B0; R1RP0408DGE-2LR#B1; R1RP0408DGE-2PI#B0; R1RP0408DGE-2PI#B1; R1RP0408DGE-2PR#B0; R1RP0408DGE-2PR#B1; R1RW0408DGE-2LR#B0; R1RW0408DGE-2LR#B1; R1RW0408DGE-2PI#B0; R1RW0408DGE-2PI#B1; R1RW0408DGE-2PR#B0; R1RW0408DGE-2PR#B1; R1RP0416DGE-2LR#B0/#BN; R1RP0416DGE-2LR#B1; R1RP0416DGE-2PI#B0; R1RP0416DGE-2PI#B1; R1RP0416DGE-2PR#B0/#BN; R1RP0416DGE-2PR#B1; R1RP0416DGE-2SR#B0; R1RP0416DGE-2SR#B1; R1RP0416DGE-2UR#B0; R1RP0416DGE-2UR#B1; R1RP0416DGE-2VR#B0; R1RP0416DGE-2VR#B1; R1RW0416DGE-2LR#B0; R1RW0416DGE-2LR#B1; R1RW0416DGE-2PI#B0; R1RW0416DGE-2PI#B1; R1RW0416DGE-2PR#B0; R1RW0416DGE-2PR#B1; RMLV0408EGSP-4S2#CA1; RMLV0408EGSP-4S2#HA0; RMLV0408EGSP-4S2#HA1; RMLV0816BGSD-4S2#AA1; RMLV0816BGSD-4S2#HC0; RMLV0816BGSD-4S2#HA1; RMLV1616AGSD-5S2#AA1; RMLV1616AGSD-5S2#HC0; RMLV1616AGSD-5S2#HA1; R1LP5256ESP-5SI#B0; R1LV5256ESP-5SI#B0; R1LP0108ESN-5SI#B0; R1LV0108ESN-5SI#B0; R1LP0408DSP-5SI#B0; RMLV0408EGSP-4S2#CA0; RMLV0816BGSD-4S2#AC0; RMLV1616AGSD-5S2#AC0
本产品变更通知详细阐述了Renesas（瑞萨电子）关于SRAM产品组装地点转移及材料升级的具体事宜。通知指出，为提升产品可靠性，Renesas决定将SRAM产品的组装基地从北京迁移至台湾的Greatek Electronics Inc.，并同步更换组装材料。此次变更涉及28pin-SOP、52pin-μTSOP、36pin-SOJ及44pin-SOJ等多种封装类型，预计将对组装材料、晶圆厚度及湿度敏感度等级产生影响。变更计划于2019年6月和11月分阶段实施，现有库存产品预计将于2020年12月停止发货，相关客户需及时调整生产与采购计划。Renesas在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该变更通知，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
加工定制
睿奕为IOT物联网提供电池解决方案，支持定制电池功耗、电压、体积、工作环境要求、寿命要求。应用于各种低功耗物联网场景，如智能表计、智能定位、电子标签、ETC、充电桩、智能井盖等场景。
立即提交 IOT物联网电池定制方案 >>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
立即提交 低功耗测试 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
R1LV5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.2.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R1LV5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LP0108ESN-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
【EOL】瑞萨终止使用通知（SAF-B-19-0004-2）
April 14th, 2020
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
SRAM回流焊接条件
2022/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R1LP5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.2.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R1LP5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LP5256ESP-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
【PCN】瑞萨报废通知REL产品操作变更（191226）
DEC 2019
|
下载 |
| 型号命名规则 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） R1LV16/R1LV5256/R1R/RM型号命名规则
2017年06月14日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LPR18BE1288B系列LPR18B
Rev.2.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
LPR18BE1288B系列LPR18B
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV5256ESP-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)（2018K）
2018年6月
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV5256ESP-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LP0108ESN-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV0108ESN-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R1LV0108E系列1Mb高级LPSRAM（128k字x 8bit）
Rev.2.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R1LV0108E系列1Mb高级LPSRAM（128k字x 8bit）
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV0108ESN-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） R1LV0108E系列存储器 数据手册
2016年08月23日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 低功耗SRAM RMWV3216A数据手册
Rev.0.01
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）32Mb和64Mb低功耗SRAM产品工艺等变更通知（CST-R2-AD141）
Rev.1.0
|
下载 |
| 产品勘误说明 - 英文 |
Renesas Synergy™S7G2 MCU组有关SRAM奇偶校验错误的说明
Rev. 1.00
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
Renesas标准SRAM，快速摘要
2022.12
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 低功耗SRAM RMLV1616A数据手册
Rev.0.01
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）32Mb和64Mb低功耗SRAM产品工艺变更通知（CST-R2-AD142）
Rev.1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ISL1218带电池支持SRAM的低功耗RTC
Rev.0.00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 日文 |
Renesas（瑞萨电子）32MB/64Mb的低功耗SRAM包装等产品变更通知（CST-R2-AD139）（日文版）
2018年7月31日
|
下载 |
| 型号命名规则 - 英文 |
低功耗和异步快速4MB SRAM：器件名称解码器
2022/6/20
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ISL1218带电池支持SRAM的低功耗RTC产品介绍
Rev.0.00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
瑞萨SRAM TSOP产品增加组装场地产品变更通知（CST-R2-AJ153）
Rev.1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SRAM和TCAM
Rev.1.10
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 8Mb 5V SRAM停产（EOL）通知（SRAM-2017-E-0531-1）
2017年05月31日
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
低功耗SRAM（0.11um）（4Mbit、8Mbit、16Mbit）
2016/12/06
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ISL1219低功耗RTC，带电池支持的SRAM和事件检测
Rev 2.00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） HM216514TTI5SE等8Mb 5V SRAM停产通知
2017年05月31日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RMWV3216A系列32Mb高级LPSRAM（2M字×16bit）
Rev.1.01
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
RMWV3216A系列32Mb高级LPSRAM（2M字×16bit）
Rev.1.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ISL1221低功耗RTC，带电池支持的SRAM和事件检测
Rev 1.00
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，详细介绍了其标准SRAM产品线。资料涵盖了SRAM的类型、产品组合、优势、技术特点、应用领域、产品路线图、产品基准、长期支持、封装类型、产品线配置以及部分产品的详细规格。资料强调了Renesas SRAM的高可靠性、低功耗、长期稳定支持等特点，并提供了丰富的产品选择以满足不同应用需求。
阅读原文 >>
【产品】4.5V~5.5V的256-Kbit静态RAM R1LP5256E系列，采用0.15um CMOS和TFT技术
Renesas（瑞萨）公司的产品R1LP5256E系列产品是由8位32768字节组成的256-Kbit静态RAM，采用瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。R1LP5256E系列实现了更高的密度，更高的性能和更低的功耗。R1LP5256E 系列适用于以简单接口、电池操作和电池备用为重要设计目标的内存应用程序。
阅读原文 >>
【产品】采用32引脚SOP、TSOP、sTSOP三种封装的1-Mbit 静态RAM R1LV0108E系列
Renesas（瑞萨）公司的产品低功耗SRAM R1LV0108E系列是由8位131072字节组成的1-Mbit静态RAM系列，采用瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。该系列RAM实现了更高的密度，更高的性能和更低的功耗，适用于以简单接口、电池操作和电池备用为重要设计目标的内存应用程序。其封装包括32引脚SOP、TSOP、sTSOP三种。
阅读原文 >>
【产品】2.7V~3.6V单电源的256-Kbit静态RAM R1LV5256E，待机电流为0.6μA
Renesas（瑞萨）公司的产品R1LV5256E系列是由8位32768字节组成的256-Kbit静态RAM系列，由瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。R1LV5256E系列实现了更高的密度，更高的性能和更低的功耗。R1LV5256E系列适用于以简单接口、电池操作和电池备份为重要设计目标的内存应用程序。 它采用28引脚SOP和28引脚TSOP封装。
阅读原文 >>
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、产品规格、技术挑战、软错误对策、技术比较和产品差异化信息。
阅读原文 >>
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas标准SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、技术挑战、产品差异化、技术比较、封装选项和产品线配置。
阅读原文 >>
【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT（Renesas收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。
阅读原文 >>
【产品】低功耗实时时钟 ISL12022M，具有128字节备用电池支持的用户SRAM
ISL12022M是intersil （Renesas收购）推出的一款集成片上振荡器温度补偿和10位数字温度传感器的低功耗实时时钟（RTC），在-40°C to +85°C温度范围内，其温漂小于±5ppm，具有自动夏令时功能。
阅读原文 >>
