Renesas（瑞萨电子）32MB/64Mb的低功耗SRAM包装等产品变更通知（CST-R2-AD139）（日文版）
发布时间：
2018-08-03
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
-
本产品变更通知详细阐述了瑞萨电子32Mb及64Mb低功耗SRAM产品的世代换代事宜。该变更旨在通过将制造工艺从0.15μm升级至0.11μm，以实现降低功耗与提升生产效率的双重目标。通知中明确列出了多项关键变更事项，包括组装基地的迁移、组装材料及内部结构的调整、防潮包装性能的改进，以及封装外形尺寸与包装规格的更新。根据计划，新产品的出货起始日期定于2019年1月至3月期间，而旧型号的生产停产时间表则安排在2019年12月至2020年12月。针对文中所述的瑞萨电子SRAM产品，Renesas在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该变更方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 低功耗SRAM RMWV3216A数据手册
Rev.0.01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）32Mb和64Mb低功耗SRAM产品工艺等变更通知（CST-R2-AD141）
Rev.1.0
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| 产品勘误说明 - 英文 |
Renesas Synergy™S7G2 MCU组有关SRAM奇偶校验错误的说明
Rev. 1.00
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| 技术文档 - 英文 |
Renesas标准SRAM，快速摘要
2022.12
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| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 低功耗SRAM RMLV1616A数据手册
Rev.0.01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）32Mb和64Mb低功耗SRAM产品工艺变更通知（CST-R2-AD142）
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| 数据手册 - 英文 |
ISL1218带电池支持SRAM的低功耗RTC
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）SRAM产品的装配现场转移和材料变更通知（CST-R2-AJ129）
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| 型号命名规则 - 英文 |
低功耗和异步快速4MB SRAM：器件名称解码器
2022/6/20
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| 数据手册 - 英文 |
ISL1218带电池支持SRAM的低功耗RTC产品介绍
Rev.0.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
瑞萨SRAM TSOP产品增加组装场地产品变更通知（CST-R2-AJ153）
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SRAM和TCAM
Rev.1.10
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 8Mb 5V SRAM停产（EOL）通知（SRAM-2017-E-0531-1）
2017年05月31日
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| 技术文档 - 英文 |
低功耗SRAM（0.11um）（4Mbit、8Mbit、16Mbit）
2016/12/06
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| 数据手册 - 英文 |
ISL1219低功耗RTC，带电池支持的SRAM和事件检测
Rev 2.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） HM216514TTI5SE等8Mb 5V SRAM停产通知
2017年05月31日
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| 数据手册 - 英文 |
RMWV3216A系列32Mb高级LPSRAM（2M字×16bit）
Rev.1.01
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| 技术文档 - 英文 |
RMWV3216A系列32Mb高级LPSRAM（2M字×16bit）
Rev.1.00
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ISL1221低功耗RTC，带电池支持的SRAM和事件检测
Rev 1.00
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RMLV0416E系列4Mb高级LPSRAM（256 kword×16位）
Rev.2.01
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RMLV0416E系列4Mb高级LPSRAM（256 kword×16位）
Rev.2.00
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RMLV0416E系列4Mb高级LPSRAM（256 kword×16位）
2016年01月12日
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RMLV0416E系列4Mb高级LPSRAM（256 kword×16位）
Rev.3.00
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ISL1209低功耗RTC，带电池支持的SRAM和事件检测
Rev 4.00
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| 技术文档 - 英文 |
SRAM回流焊接条件
2022/11/26
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| 数据手册 - 英文 |
ISL1220低功耗RTC，带8字节电池支持的SRAM和独立的FOUT
Rev 1.00
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| 数据手册 - 英文 |
RMLV0408E系列4Mb高级LPSRAM（512 kword×8位）
Rev.2.01
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RMLV0408E系列4Mb高级LPSRAM（512 kword×8位）
Rev.2.00
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RMLV0408E系列4Mb高级LPSRAM（512 kword×8位）
2016年01月12日
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| 数据手册 - 英文 |
RMLV0408E系列4Mb高级LPSRAM（512 kword×8位）
Rev.3.00
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RMLV0414E系列4Mb高级LPSRAM（256 kword×16位）
Rev.2.01
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RMLV0414E系列4Mb高级LPSRAM（256 kword×16位）
Rev.2.00
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RMLV0414E系列4Mb高级LPSRAM（256 kword×16位）
2016年01月12日
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71V256SA低功耗3.3V CMOS快速SRAM 256K（32K X 8位）
Jun.02.20
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技术论坛
WXE Nv.SRAM WM0256BY10这个东西现在还买得到吗，有没有替代品？
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Renesas是否有flash可以替代micron的？
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通讯板卡中需要一颗SRAM给DSP拓展存储，要求64K容量，超快的访问速度，最好有低待机功耗，有什么推荐么？
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我司TOF摄像头项目上需车规级MCU：SRAM：64KB、Flash：256KB以上、支持CANFD、48PIN，低功耗，有合适推荐吗？
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使用VITAL（FMF使用的样式）对IDT的SRAM器件进行元件建模有什么好处？
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应用/方案
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、产品规格、技术挑战、软错误对策、技术比较和产品差异化信息。
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瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas标准SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、技术挑战、产品差异化、技术比较、封装选项和产品线配置。
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瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，详细介绍了其标准SRAM产品线。资料涵盖了SRAM的类型、产品组合、优势、技术特点、应用领域、产品路线图、产品基准、长期支持、封装类型、产品线配置以及部分产品的详细规格。资料强调了Renesas SRAM的高可靠性、低功耗、长期稳定支持等特点，并提供了丰富的产品选择以满足不同应用需求。
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【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT（Renesas收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。
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【产品】低功耗实时时钟 ISL12022M，具有128字节备用电池支持的用户SRAM
ISL12022M是intersil （Renesas收购）推出的一款集成片上振荡器温度补偿和10位数字温度传感器的低功耗实时时钟（RTC），在-40°C to +85°C温度范围内，其温漂小于±5ppm，具有自动夏令时功能。
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IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明
IDT FourPort™ SRAM是一种兼具高速静态存储和复杂多总线互连网络的存储器。它能够显著简化多处理器和多ALU系统的创建，以加速DSP、图形、控制和涉及大量向量处理任务的任务。这种SRAM允许四个处理器同时随机异步地读取或写入同一SRAM数组中的四个位置，从而提高了并行处理能力。此外，它还详细介绍了基于多端口SRAM的多处理器阵列的设计和操作，包括控制协议和负载平衡策略。
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关于“增加瑞萨SRAM TSOP产品组装场地”的指导
Renesas Electronics Corporation宣布增加其SRAM TSOP产品的组装地点，以提高生产产能。新组装地点为Greatek Electronics Inc.，与现有组装商Amkor Technology Malaysia Sdn. Bhd.的产品相比，产品兼容性包括尺寸、电气特性、质量与可靠性。订单可订购部分名称不变，但生产部分名称有所更改。客户需通过Rainbow系统的SPC屏幕确认样本请求和客户批准，样本请求截止日期为2022年10月31日。
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低功耗SRAM先进的技术、卓越的性能和业界领先的支持
本资料介绍了Renesas的低功耗SRAM产品线，包括技术路线图、产品特性、应用领域、技术优势、产品规格和封装类型。资料重点强调了Renesas低功耗SRAM在低功耗、高可靠性、软错误免疫等方面的优势，并提供了详细的产品列表和参数。
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低功耗SRAM先进的技术、卓越的性能和业界领先的支持
本资料介绍了Renesas的低功耗SRAM产品线，包括技术路线图、产品特性、应用领域、性能比较和产品列表。资料重点强调了Renesas低功耗SRAM在低功耗、高可靠性、软错误免疫等方面的优势，并提供了详细的产品规格和应用信息。
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【产品】2.5V高速18兆位同步SRAM IDT71T75602 / IDT71T75802
IDT（Renesas收购）产品IDT71T75602 / IDT71T75802是2.5V高速18,874,368位（18兆位）同步SRAM。 它们旨在消除在读写之间或读写之间切换总线时的死总线周期。 因此，它们被命名为ZBT™或零总线周转。
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致电好友SRAM 09152023
Renesas HERO系列SRAM产品提供256Kb至64Mb的密度，支持3V和5V供电，具有50%更短的交货期。产品具有与竞争对手兼容的插拔式设计，适用于现有插槽。Renesas SRAM在低功耗和高可靠性方面具有优势，包括60%的更低功耗和400倍更好的软错误率。资料中提供了产品规格、交叉参考信息以及销售策略建议。
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