Renesas（瑞萨电子）32Mb和64Mb低功耗SRAM产品工艺等变更通知（CST-R2-AD141）
发布时间：
2018-08-03
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
R1LV3216RSA-5SI#B1; R1LV3216RSA-5SI#S1; RMLV3216AGSA-5S2#AA0; RMLV3216AGSA-5S2#KA0; R1LV3216RSD-5SI#B0; R1LV3216RSD-5SI#S0; RMLV3216AGSD-5S2#AA0; RMLV3216AGSD-5S2#HA0; R1WV6416RSD-5SI#B0; R1WV6416RSD-5SI#S0; RMWV6416AGSD-5S2#AA0; RMWV6416AGSD-5S2#HA0; R1WV6416RSA-5SI#B0; R1WV6416RSA-5SI#S0; RMWV6416AGSA-5S2#AA0; RMWV6416AGSA-5S2#KA0; R1WV6416RBG-5SI#B0; RMWV6416AGBG-5S2#AC0; R1WV6416RBG-5SI#S0; RMWV6416AGBG-5S2#KC0
本资料以压缩包的形式呈现，包内附有CST-R2-AD141关于32Mb和64Mb低功耗SRAM产品工艺等变更说明的通知以及附录说明。
资料下载
加工定制
睿奕为IOT物联网提供电池解决方案，支持定制电池功耗、电压、体积、工作环境要求、寿命要求。应用于各种低功耗物联网场景，如智能表计、智能定位、电子标签、ETC、充电桩、智能井盖等场景。
立即提交 IOT物联网电池定制方案 >>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
立即提交 低功耗测试 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
R1LV3216R系列32Mb高级LPSRAM（2M字x 16位/4M字x 8位）
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1WV6416RSD-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）32Mb和64Mb低功耗SRAM产品工艺变更通知（CST-R2-AD142）
Rev.1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RMLV3216A Series 32Mb Advanced LPSRAM (2M word × 16bit / 4M word x 8bit)
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV3216RSA-5SI#B1欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CST-R2-AJ153附录
Rev. 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RMLV3216A系列32Mb高级LPSRAM
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1WV6416RSD-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
瑞萨SRAM TSOP产品增加组装场地产品变更通知（CST-R2-AJ153）
Rev.1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R1WV6416R系列64Mb高级LPSRAM（4M字x 16位/8M字x 8位）
Rev.1.00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV3216RSD-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）SRAM TSOP产品新增外部引脚电镀工厂通知（CST-R2-AE321）（日文版）
Rev.1.0
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
Renesas标准SRAM，快速摘要
2022.12
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV3216RSD-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）SRAM TSOP产品新增外部引脚电镀工厂通知（CST-R2-AE323）
Rev.1.0
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
SRAM回流焊接条件
2022/11/26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV3216RSA-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
R1LV3216RSA-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 低功耗SRAM RMWV3216A数据手册
Rev.0.01
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 日文 |
Renesas（瑞萨电子）32MB/64Mb的低功耗SRAM包装等产品变更通知（CST-R2-AD139）（日文版）
2018年7月31日
|
下载 |
| 产品勘误说明 - 英文 |
Renesas Synergy™S7G2 MCU组有关SRAM奇偶校验错误的说明
Rev. 1.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 低功耗SRAM RMLV1616A数据手册
Rev.0.01
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）SRAM产品的装配现场转移和材料变更通知（CST-R2-AJ129）
Rev.1.0
|
下载 |
| 型号命名规则 - 英文 |
低功耗和异步快速4MB SRAM：器件名称解码器
2022/6/20
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ISL1218带电池支持SRAM的低功耗RTC
Rev.0.00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） 8Mb 5V SRAM停产（EOL）通知（SRAM-2017-E-0531-1）
2017年05月31日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ISL1218带电池支持SRAM的低功耗RTC产品介绍
Rev.0.00
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） HM216514TTI5SE等8Mb 5V SRAM停产通知
2017年05月31日
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
低功耗SRAM（0.11um）（4Mbit、8Mbit、16Mbit）
2016/12/06
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SRAM和TCAM
Rev.1.10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RMWV3216A系列32Mb高级LPSRAM（2M字×16bit）
Rev.1.01
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
RMWV3216A系列32Mb高级LPSRAM（2M字×16bit）
Rev.1.00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ISL1219低功耗RTC，带电池支持的SRAM和事件检测
Rev 2.00
|
下载 |
技术论坛
轨道交通项目，使用Renesas LPSRAM RMLV3216AGSA-5S2, 访问时间为多少？
查看官方回答 >>
轨道交通项目，有32Mb LPSRAM需求，工作电压为3V，封装为48pin TSOP有没有合适的推荐？
查看官方回答 >>
轨道控制器项目，有低压32-Mbit静态RAM需求，支持3.3V，48pin产品有没有合适推荐?
查看官方回答 >>
WXE Nv.SRAM WM0256BY10这个东西现在还买得到吗，有没有替代品？
查看官方回答 >>
Renesas是否有flash可以替代micron的？
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
低功耗SRAM
阅读原文 >>
低功耗SRAM先进的技术、卓越的性能和业界领先的支持
本资料介绍了Renesas的低功耗SRAM产品线，包括技术路线图、产品特性、应用领域、技术优势、产品规格和封装类型。资料重点强调了Renesas低功耗SRAM在低功耗、高可靠性、软错误免疫等方面的优势，并提供了详细的产品列表和参数。
阅读原文 >>
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，详细介绍了其标准SRAM产品线。资料涵盖了SRAM的类型、产品组合、优势、技术特点、应用领域、产品路线图、产品基准、长期支持、封装类型、产品线配置以及部分产品的详细规格。资料强调了Renesas SRAM的高可靠性、低功耗、长期稳定支持等特点，并提供了丰富的产品选择以满足不同应用需求。
阅读原文 >>
【产品】32位静态RAM RMLV3216A系列，最大访问时间为55ns
Renesas（瑞萨）公司的产品RMLV3216A系列是32位静态RAM，由2097,152字×16位组成，由瑞萨的高性能Advanced LPSRAM技术制造。RMLV3216A系列实现了更高的密度，更高的性能和更低的功耗，RMLV3216A系列具有低功耗待机功耗，因此，它适用于备用电池系统。
阅读原文 >>
【产品】32Mb高级LPSRAM R1LV3216R系列，采用高性能0.15um CMOS和TFT技术制造
Renesas 推出的32Mb高级LPSRAM R1LV3216R系列是低压32-Mbit静态RAM，采用瑞萨高性能0.15um CMOS和TFT技术制造，分为2,097,152字×16位。R1LV3216R系列适用于存储器应用，其中简单的接口，电池供电和备用电池是主要的设计目标。
阅读原文 >>
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、产品规格、技术挑战、软错误对策、技术比较和产品差异化信息。
阅读原文 >>
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas标准SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、技术挑战、产品差异化、技术比较、封装选项和产品线配置。
阅读原文 >>
【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT（Renesas收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。
阅读原文 >>
【产品】低功耗实时时钟 ISL12022M，具有128字节备用电池支持的用户SRAM
ISL12022M是intersil （Renesas收购）推出的一款集成片上振荡器温度补偿和10位数字温度传感器的低功耗实时时钟（RTC），在-40°C to +85°C温度范围内，其温漂小于±5ppm，具有自动夏令时功能。
阅读原文 >>
低功耗SRAM先进的技术、卓越的性能和业界领先的支持
本资料介绍了Renesas的低功耗SRAM产品线，包括技术路线图、产品特性、应用领域、性能比较和产品列表。资料重点强调了Renesas低功耗SRAM在低功耗、高可靠性、软错误免疫等方面的优势，并提供了详细的产品规格和应用信息。
阅读原文 >>
IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明
IDT FourPort™ SRAM是一种兼具高速静态存储和复杂多总线互连网络的存储器。它能够显著简化多处理器和多ALU系统的创建，以加速DSP、图形、控制和涉及大量向量处理任务的任务。这种SRAM允许四个处理器同时随机异步地读取或写入同一SRAM数组中的四个位置，从而提高了并行处理能力。此外，它还详细介绍了基于多端口SRAM的多处理器阵列的设计和操作，包括控制协议和负载平衡策略。
阅读原文 >>
