PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN) A0706-03
发布时间：
2018-08-03
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT70P247L55BYGI; IDT70P247L55BYI; IDT70P9268L50BYGI; IDT70P248L55BYGI; IDT70P248L55BYI; IDT70P257L55BYGI; IDT70P257L55BYI; IDT70P258L55BYGI; IDT70P258L55BYI; IDT FRA-1509-01
本产品/工艺变更通知（PCN）详细阐述了Integrated Device Technology, Inc.（IDT）关于CVBGA-100标准及绿色塑料封装组装工厂的调整事宜。资料明确指出，自2007年9月30日起，IDT正式将AIT-Indonesia添加为该类封装的替代组装工厂。此次变更经过严格验证，确认不会影响产品的湿气性能，且无需对现有数据表进行任何修改。文件中包含了详尽的变更数据、测试报告以及受影响产品编号的完整列表，旨在确保用户能够准确掌握供应链动态并维持生产连续性。针对文中所述IDT相关产品，IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该变更通知，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
VERY LOW POWER 1.8V8K/4K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT70P257/247L
JANUARY 2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）N0906-04
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IEN03-02
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
VERY LOW POWER 1.8V8K/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM IDT70P258/248L
JANUARY 2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
I0307-05产品/工艺变更通知单（PCN）
8/15/2003
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IEN03-04
Revision 5/21/2003
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70P9268移动多媒体接口（M2I）超低功耗1.8V 16K X 16同步双端口静态RAM数据表
November 16, 2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I0209-01
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 11/19/2002
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 4/30/2002
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 1/22/02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 2/28/02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 1/30/02
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| 数据手册 - 英文 |
移动多媒体接口（M2I）超低功耗1.8V16K X 16同步双端口静态RAM数据表IDT70P9268
November 16, 2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）L0407-02
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T351
Revision 4/30/2002
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T351
Revision 11/19/2002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I-0210-02
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32V332
Revision 3/20/02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I-0210-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I0110-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I0207-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I0309-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SG0703-05
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT77V011
Revision 10/22/01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
N1204-01产品/工艺变更通知单（PCN）
April 27, 2012
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT77010
Revision 6/24/2002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I-0210-06
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I0412-01
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）F0112-02
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知71T75702、71T5902、71T75602和71T75802
Revision 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）I0303-03
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32V334和IDT79RC32V332
Revision 8/15/2002
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32V334和IDT79RC32V332
Revision 7/23/2002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）U0803-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SG0707-01
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32V334/IDT79RC32V332
Revision 11/2/01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）TB0605-07
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）I0510-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SG0703-03
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SG0703-04
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）L-0405-04
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SG0703-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
W1107-01产品/工艺变更通知单（PCN）
July 5,2011
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0511-01
REV. 00
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世强AI
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应用/方案
低功耗双端口高级手持设备应用说明AN-410
本资料主要介绍了IDT70P248低功耗双端口解决方案在高端无线手机中的应用。该方案通过双处理器架构，提高手机处理能力，同时提供高效的处理器间通信和低功耗特性。资料详细阐述了IDT70P248在降低功耗、提供高级功能和简化设计方面的优势。
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低功耗双端口在高级手机应用中的应用说明
本文介绍了IDT70P248低功耗双端口在高端手机应用中的解决方案。该方案采用双处理器架构，提高处理能力，并通过IDT70P248实现处理器间的高速通信。IDT70P248具有低功耗、高带宽、多功能等特点，可优化手机性能和续航。此外，还介绍了IDT70P248的输入读取寄存器和输出驱动寄存器，提高系统灵活性。
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低功耗双端口在高级手机应用中的应用说明AN-410
本资料探讨了IDT70P248低功耗双端口技术在高端无线手机中的应用。资料介绍了双处理器架构在满足高端手机处理需求方面的优势，包括模块化设计和降低开发成本。此外，IDT70P248提供了高带宽、低功耗的处理器间通信解决方案，并具备输入读取寄存器和输出驱动寄存器等高级功能，以增强系统的灵活性和控制能力。资料还提供了IDT70P248的功耗和性能参数，以及其在不同无线标准下的通信带宽。
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设计提示：IDT PCIe®Gen2交换机中的时钟体系结构
本文介绍了IDT PCIe Gen2交换机的时钟架构。内容包括全球参考时钟输入、端口参考时钟输入、全局时钟锁相环（PLL）的设计，以及时钟信号的调制和频率选择。此外，还讨论了时钟信号的电气规格、散布频谱时钟（SSC）的应用和EMI的降低。
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