Renesas（瑞萨电子）SRAM TSOP产品新增外部引脚电镀工厂通知（CST-R2-AE323）
发布时间：
2018-08-03
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
RENESAS（瑞萨电子）
型号：
R1RP0416DSB; R1RW0416DSB; R1LV1616HSA; R1LP5256ESA-5SI#B1; R1LP5256ESA-5SI#BJ; R1LP5256ESA-5SI#S1; R1LV5256ESA-5SI#B1; R1LV5256ESA-5SI#S1; R1LP0108ESF-5SI#B1; R1LP0108ESF-5SI#S1; R1LV0108ESF-5SI#B1; R1LV0108ESF-5SI#S1; R1LV0108ESF-7SR#B1; R1LV0108ESF-7SR#S1; R1LP0108ESA-5SI#B1; R1LP0108ESA-5SI#S1; R1LV0108ESA-5SI#B1; R1LV0108ESA-5SI#BJ; R1LV0108ESA-5SI#S1; R1LV0208BSA-5SI#B1; R1LV0208BSA-5SI#BK; R1LV0208BSA-5SI#S1; R1LV0208BSA-5SI#SK; RMLV0408EGSA-4S2#AA1; RMLV0408EGSA-4S2#KA1; R1LP0408DSB-5SI#B1; R1LP0408DSB-5SI#S1; RMLV0408EGSB-4S2#AA1; RMLV0408EGSB-4S2#HA1; R1LV0216BSB-5SI#B1; R1LV0216BSB-5SI#S1; RMLV0414EGSB-4S2#AA1; RMLV0414EGSB-4S2#HA1; RMLV0416EGSB-4S2#AA1; RMLV0416EGSB-4S2#HA1; RMLV0808BGSB-4S2#AA0; RMLV0808BGSB-4S2#HA0; RMLV0816BGSB-4S2#AA0; RMLV0816BGSB-4S2#HA0; R1RP0416DSB-0PI#D1; R1RP0416DSB-0PR#D1; R1RP0416DSB-2LR#D1; R1RP0416DSB-2LR#S1; R1RP0416DSB-2PI#D1; R1RP0416DSB-2PR#D1; R1RP0416DSB-2PR#S1; R1RP0416DSB-2SR#D1; R1RW0416DSB-0PI#D1; R1RW0416DSB-0PI#S1; R1RW0416DSB-0PR#D1; R1RW0416DSB-0PR#S1; R1RW0416DSB-2LR#D1; R1RW0416DSB-2PI#D1; R1RW0416DSB-2PI#S1; R1RW0416DSB-2PR#D1; R1RW0416DSB-2PR#S1; R1RW0416DSB-2SR#D1; R1RW0416DSB-2UR#D1; RMLV0816BGSA-4S2#AA0; RMLV0816BGSA-4S2#KA0; RMLV1616AGSA-5S2#AA0; RMLV1616AGSA-5S2#KA0; R1LV1616HSA-4SI#B1; R1LV1616HSA-4SI#S1; R1LV1616HSA-5SI#B1; R1LV1616HSA-5SI#BR; R1LV1616HSA-5SI#S1; R1LV1616HSA-5SI#SR; R1LV3216RSA-5SI#B1; R1LV3216RSA-5SI#BU; R1LV3216RSA-5SI#S1
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
R1LP5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.2.00
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| 数据手册 - 英文 |
R1LP5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.1.00
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| 测试报告 - 英文 |
R1LP5256ESA-5SI#S1欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）SRAM TSOP产品新增外部引脚电镀工厂通知（CST-R2-AE321）（日文版）
Rev.1.0
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| 型号命名规则 - 英文 |
低功耗和异步快速4MB SRAM：器件名称解码器
2022/6/20
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| 数据手册 - 英文 |
R1LV5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.2.00
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| 数据手册 - 英文 |
R1LV5256E系列256Kb高级LPSRAM（32k字x 8bit）
Rev.1.00
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| 测试报告 - 英文 |
R1LP0108ESF-5SI#S1欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CST-R2-AJ153附录
Rev. 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
SRAM回流焊接条件
2022/11/26
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| 数据手册 - 英文 |
LPR18BE1288B系列LPR18B
Rev.2.00
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| 数据手册 - 英文 |
LPR18BE1288B系列LPR18B
Rev.1.00
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| 测试报告 - 英文 |
R1LP0108ESF-5SI#B1欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
瑞萨SRAM TSOP产品增加组装场地产品变更通知（CST-R2-AJ153）
Rev.1.0
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| 技术文档 - 英文 |
Renesas标准SRAM，快速摘要
2022.12
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| 测试报告 - 英文 |
R1LV5256ESA-5SI#S1欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）SRAM产品的装配现场转移和材料变更通知（CST-R2-AJ129）
Rev.1.0
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| 型号命名规则 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） R1LV16/R1LV5256/R1R/RM型号命名规则
2017年06月14日
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| 测试报告 - 英文 |
R1LP5256ESA-5SI#B1欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
TFLGA、LFBGA和TFBGA产品基板材料变更通知（IMO-AB-22-0116-2）
10/7/2022
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| 测试报告 - 英文 |
R1LV5256ESA-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知（SAF-B-22-0002）
10 June 2022
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| 数据手册 - 英文 |
R1RP0416D系列4M高速SRAM（256 kword×16位）
Rev.1.00
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| 测试报告 - 英文 |
欧盟产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
TFLGA、LFBGA和TFBGA产品基板材料变更通知（IMO-AB-22-0118-2）
10/7/2022
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| 数据手册 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子） R1RW0416DI Series Speed SRAM数据手册
Rev.2.01
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| 测试报告 - 英文 |
R1LP5256ESA-5SI#B0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）
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| 数据手册 - 英文 |
R1RW0416D系列4M高速SRAM（256 kword×16位）
Rev.2.00
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| 测试报告 - 英文 |
R1LP5256ESA-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas（瑞萨电子）REL EOL/LTB Registration (RECN-ISD/BBSD/ASD-NE/S)（2018K）
2018年6月
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| 数据手册 - 英文 |
R1RW0416D 4M高速SRAM系列产品介绍
Rev.1.00
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| 测试报告 - 英文 |
R1LV5256ESA-5SI#S0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Renesas报废通知（SAF-B-20-0010）
17 December 2020
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| 数据手册 - 英文 |
R1RP0416D 4M高速SRAM系列产品介绍
Rev.1.00
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| 测试报告 - 英文 |
R1RP0416DSB-0PI#D0欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知（SAF-B-23-0016）
11 December 2023
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| 数据手册 - 英文 |
R1LV1616HSA-I系列宽温度范围版本16 M SRAM（1-Mword x 16位/2-Mword x 8位）
Rev. 1.03
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| 测试报告 - 英文 |
R1RP0416DSB-0PI#D1欧盟RoHS和中国RoHS产品信息
2017/12/14
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世强AI
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应用/方案
瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、产品规格、技术挑战、软错误对策、技术比较和产品差异化信息。
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瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，概述了其标准SRAM产品线。内容包括不同类型的SRAM产品，如低功耗SRAM、异步快速SRAM、同步SRAM、多端口SRAM、FIFO、MRAM、EEPROM和SPI NOR Flash。资料还介绍了Renesas标准SRAM的优势，包括高可靠性、稳定的供应链和长期支持、广泛的系列以支持所有应用。此外，还提供了产品路线图、技术挑战、产品差异化、技术比较、封装选项和产品线配置。
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瑞萨标准SRAM产品概要
本资料由Renesas Electronics Corporation提供，详细介绍了其标准SRAM产品线。资料涵盖了SRAM的类型、产品组合、优势、技术特点、应用领域、产品路线图、产品基准、长期支持、封装类型、产品线配置以及部分产品的详细规格。资料强调了Renesas SRAM的高可靠性、低功耗、长期稳定支持等特点，并提供了丰富的产品选择以满足不同应用需求。
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低功耗SRAM先进的技术、卓越的性能和业界领先的支持
本资料介绍了Renesas的低功耗SRAM产品线，包括技术路线图、产品特性、应用领域、技术优势、产品规格和封装类型。资料重点强调了Renesas低功耗SRAM在低功耗、高可靠性、软错误免疫等方面的优势，并提供了详细的产品列表和参数。
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低功耗SRAM先进的技术、卓越的性能和业界领先的支持
本资料介绍了Renesas的低功耗SRAM产品线，包括技术路线图、产品特性、应用领域、性能比较和产品列表。资料重点强调了Renesas低功耗SRAM在低功耗、高可靠性、软错误免疫等方面的优势，并提供了详细的产品规格和应用信息。
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One-Renesas存储器解决方案为工业和通信应用提供最佳存储器组合
Renesas提供全面的内存解决方案，涵盖低功耗SRAM、异步和同步SRAM、多端口内存、FIFO逻辑产品、EEPROM、PROM和闪存。这些产品适用于工业和通信应用，具有高可靠性、稳定供应和长期支持的特点。Renesas的内存产品包括多种类型和密度，满足不同应用的需求。
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低功耗SRAM低功耗高可靠性
本资料介绍了Renesas电子公司的低功耗SRAM产品，包括其可靠性、低功耗特性、长期支持以及产品路线图。资料重点阐述了Renesas低功耗SRAM的高可靠性设计，包括软错误和硬错误的防护措施，以及与竞争对手产品的比较。此外，还提供了具体的产品型号、封装类型、应用示例和设计支持信息。
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低功耗SRAM
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【产品】4.5V~5.5V的256-Kbit静态RAM R1LP5256E系列，采用0.15um CMOS和TFT技术
Renesas（瑞萨）公司的产品R1LP5256E系列产品是由8位32768字节组成的256-Kbit静态RAM，采用瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。R1LP5256E系列实现了更高的密度，更高的性能和更低的功耗。R1LP5256E 系列适用于以简单接口、电池操作和电池备用为重要设计目标的内存应用程序。
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【产品】2.7V~3.6V单电源的256-Kbit静态RAM R1LV5256E，待机电流为0.6μA
Renesas（瑞萨）公司的产品R1LV5256E系列是由8位32768字节组成的256-Kbit静态RAM系列，由瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。R1LV5256E系列实现了更高的密度，更高的性能和更低的功耗。R1LV5256E系列适用于以简单接口、电池操作和电池备份为重要设计目标的内存应用程序。 它采用28引脚SOP和28引脚TSOP封装。
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【产品】采用48引脚塑料TSOPI封装静态RAM R1LV1616HSA-I 系列，内存容量为16 M。
Renesas（瑞萨）公司的产品R1LV1616HSA-I系列是由1-Mword × 16-bit / 2-Mword × 8-bit组成的16-Mbit静态RAM，该器件带嵌入式ECCC。R1LV1616HSA-I采用CMOS工艺技术，可以实现更高的密度、更高的性能和低功耗。该器件具有低待机功耗； 因此，它适用于备用电池系统。它采用48引脚塑料TSOPI封装，可进行高密度表面安装。
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